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公开(公告)号：CN103430306B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201180068823.2
申请日：2011-11-15
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 小平悦宏
CPC classification number: H01L23/498 , H01L21/76838 , H01L23/142 , H01L23/24 , H01L23/49811 , H01L25/072 , H01L2924/0002 , H05K2201/10166 , H05K2201/1031 , Y02P70/611 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体模块(100)中，带导电图案绝缘基板(2)粘着了半导体芯片、主电路端子(4)、控制端子(5)，在粘着了带导电图案绝缘基板(2)的金属散热基板(1)上粘着具有使主电路端子(4)的表面以及控制端子(5)露出的第1开口部(11)的树脂外壳(8)，在形成于构成树脂外壳(8)的侧壁的第2开口部(11)插装埋入了固定主电路端子(4)以及控制端子(5)的螺母(22)的树脂体(7)，在树脂外壳(8)内填充树脂材料(9)，其中，使第1开口部(11)的侧壁(18)为表面侧变窄的锥形，在控制端子(5)设置与该锥形的侧壁接触的锥形的接触部(19)，通过用埋入了螺母(22)的树脂体(7)固定作为独立端子的单梁构造的控制端子(5)，能够使控制端子(5)的表面高度(17)高精度地对齐。
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公开(公告)号：CN103247543B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310011503.4
申请日：2013-01-11
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 小平悦宏
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有外置型端子结构的半导体器件的组装治具和使用该组装治具的半导体器件的制造方法。组装治具（100）包括配设在带导电图案的绝缘基板（52）上的外框（1）、和配设在该外框上支承外部导出端子即独立端子（53）的支柱部件（2）。使用该组装治具（100）将独立端子（53）焊接在带导电图案的绝缘基板（52）上时，使骑跨支柱部件配设的独立端子的底部与带导电图案的绝缘基板上的熔化前的焊锡板（54）接触。此时，使组装治具与独立端子利用合计的自重而接触。由于在利用自重接触的状态下进行焊接，对熔化焊锡（55）的压力不会过大。因此，能够使焊接焊脚的形状成为最佳。其结果是能够获得高可靠性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN103247543A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310011503.4
申请日：2013-01-11
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 小平悦宏
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有外置型端子结构的半导体器件的组装治具和使用该组装治具的半导体器件的制造方法。组装治具（100）包括配设在带导电图案的绝缘基板（52）上的外框（1）、和配设在该外框上支承外部导出端子即独立端子（53）的支柱部件（2）。使用该组装治具（100）将独立端子（53）焊接在带导电图案的绝缘基板（52）上时，使骑跨支柱部件配设的独立端子的底部与带导电图案的绝缘基板上的熔化前的焊锡板（54）接触。此时，使组装治具与独立端子利用合计的自重而接触。由于在利用自重接触的状态下进行焊接，对熔化焊锡（55）的压力不会过大。因此，能够使焊接焊脚的形状成为最佳。其结果是能够获得高可靠性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN103210489A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054787.4
申请日：2011-08-19
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H05K1/181 , H01L23/043 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/02 , H05K1/18 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 电源模块（100）由金属基底（1）、连接至金属基底（1）的绝缘衬底（2）、连接至绝缘衬底（2）的电路图案的半导体芯片和控制端子（6）、以及接合至金属基底（1）的树脂外壳（7）所构成。该控制端子（6）包括贯穿树脂外壳（7）的盖（9）的贯穿部（6a）、连接至贯穿部（6a）的L-形成型部（6b）、和连接至L-形成型部（6b）的连接部（6c）。在控制端子（6）的部分中设置突出部（10），其贯穿盖（9）。该突出部（10）与被配置在盖（9）的表面上的突出接收部（9b）相接触。L-形成型部（6b）与设置在盖（9）的后表面上的凸起部（9c）接触。藉此，当连接器安装到控制端子（6）或从控制端子（6）上移除时，防止应力被传输至绝缘衬底（2），且可提供具有高绝缘强度的高度可靠的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102859671A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180018762.9
申请日：2011-09-08
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/072 , H01L2224/26175 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48647 , H01L2224/48747 , H01L2224/48847 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83051 , H01L2224/83447 , H01L2224/85447 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在抑制制造成本时提高可靠性。半导体器件（100）包括基板（110）、安装在基板（110）上的绝缘基板（141和142）、在绝缘基板（141和142）上形成的金属图案（152和155）、隔着接合材料安装在金属图案（152和155）上的电子部件、以及与配线用布线分开的布线构件（201至206），该布线构件包含抗接合材料的材料并且在金属图案（152和155）上以及在电子部件周围形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118715611A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380018201.1
申请日：2023-06-13
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/36
Abstract: 本发明提供抑制向构成装置的各构件产生不需要的应力的半导体装置及半导体的制造方法。半导体装置（10）具备基底板（2）、半导体元件（1）、保护构件（pr1a、pr1b、pr2a、pr2b）以及冷却体（3）。基底板（2）具有碳化硅形成体（2a）和金属填充体（2b1、2b2），在金属填充体（2b1、2b2）设置有贯通孔。半导体元件（1）隔着绝缘基板（12）而搭载于碳化硅形成体（2a）的上表面。保护构件（pr1a、pr1b、pr2a、pr2b）形成于金属填充体（2b1、2b2）的表面，并具有比碳化硅形成体（2a）的硬度低的硬度。冷却体（3）抵接于基底板（2）的底面侧并通过贯通于贯通孔的螺钉（sc1、sc2）而被紧固于基底板（2）。
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公开(公告)号：CN108290250B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201780004199.7
申请日：2017-05-10
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 抑制异种材料的界面处的破坏。软钎焊接合部、以及具备该接合部的电子设备及半导体装置，所述软钎焊接合部包含：使软钎焊材料熔融而成的软钎焊接合层(10)、以及至少一方为Cu或Cu合金构件(123)的被接合体(11)、(123)，所述软钎焊材料含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb、2.0～4.0质量％的Ag、超过0且为1.0质量％以下的Ni，余量由Sn和不可避免的杂质组成，前述软钎焊接合层在与前述Cu或Cu合金构件(123)的界面具备包含(Cu，Ni)6(Sn，Sb)5的第一组织(1)和包含(Ni，Cu)3(Sn，Sb)X的第二组织(式中，X为1、2、或4)(2)。
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公开(公告)号：CN109417068A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780039411.3
申请日：2017-12-08
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 小平悦宏
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备在主面部具有贯通孔的端子部和设置有使端子部的主面部露出的开口的壳体部，开口具有与端子部的主面部的角对应的角部，壳体部在开口的周围具有厚壁部，所述厚壁部在构成角部的两个边上树脂厚度与相邻的角部之间的中央部相比变厚。进一步地，在壳体部也可以形成有从角部向外侧延伸的切口部。切口部的从壳体部的上表面方向观察到的外形的至少一部分可以以曲线形成。
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公开(公告)号：CN108290250A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201780004199.7
申请日：2017-05-10
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 抑制异种材料的界面处的破坏。软钎焊接合部、以及具备该接合部的电子设备及半导体装置，所述软钎焊接合部包含：使软钎焊材料熔融而成的软钎焊接合层(10)、以及至少一方为Cu或Cu合金构件(123)的被接合体(11)、(123)，所述软钎焊材料含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb、2.0～4.0质量％的Ag、超过0且为1.0质量％以下的Ni，余量由Sn和不可避免的杂质组成，前述软钎焊接合层在与前述Cu或Cu合金构件(123)的界面具备包含(Cu，Ni)6(Sn，Sb)5的第一组织(1)和包含(Ni，Cu)3(Sn，Sb)X的第二组织(式中，X为1、2、或4)(2)。
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