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公开(公告)号：CN104900627B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510069717.6
申请日：2015-02-10
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 佐藤宪一郎
IPC: H01L23/498 , H01L21/68 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供可提高各半导体芯片的定位精度的半导体装置，该半导体装置在带有导电图案的绝缘基板与端子之间并联连接有多个小型半导体芯片。本发明还提供这种半导体装置的制造方法、以及在该制造方法中使用的定位治具。本发明的半导体装置具有：带有导电图案的绝缘基板；通过第1接合材料连接于导电图案的矩形的第1半导体芯片；在导电图案上与第1半导体芯片隔开间隔地配置、通过第2接合材料连接于导电图案的矩形的第2半导体芯片；以及配置于第1半导体芯片以及第2半导体芯片的上方、通过第3接合材料连接于第1半导体芯片、且通过第4接合材料连接于第2半导体芯片的端子。该端子在第1半导体芯片与第2半导体芯片之间的上方具有贯通孔。
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公开(公告)号：CN104900627A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510069717.6
申请日：2015-02-10
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 佐藤宪一郎
IPC: H01L23/498 , H01L21/68 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/18 , H01L21/67121 , H01L21/67259 , H01L23/49541 , H01L23/49579 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/77 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40227 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73221 , H01L2224/73271 , H01L2224/77272 , H01L2224/77702 , H01L2224/77705 , H01L2224/80121 , H01L2224/80136 , H01L2224/80815 , H01L2224/85121 , H01L2224/85136 , H01L2224/85801 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/172 , H01L2924/17724 , H01L2924/17747 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供可提高各半导体芯片的定位精度的半导体装置，该半导体装置在带有导电图案的绝缘基板与端子之间并联连接有多个小型半导体芯片。本发明还提供这种半导体装置的制造方法、以及在该制造方法中使用的定位治具。本发明的半导体装置具有：带有导电图案的绝缘基板；通过第1接合材料连接于导电图案的矩形的第1半导体芯片；在导电图案上与第1半导体芯片隔开间隔地配置、通过第2接合材料连接于导电图案的矩形的第2半导体芯片；以及配置于第1半导体芯片以及第2半导体芯片的上方、通过第3接合材料连接于第1半导体芯片、且通过第4接合材料连接于第2半导体芯片的端子。该端子在第1半导体芯片与第2半导体芯片之间的上方具有贯通孔。
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公开(公告)号：CN105609440A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510649189.1
申请日：2015-10-09
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 佐藤宪一郎
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/4889 , H01L23/057 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/49844 , H01L23/49866 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L29/1608 , H01L29/7393 , H01L29/872 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/83801 , H01L2224/84214 , H01L2224/84801 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , G01R31/025 , H01L24/85 , H01L2224/85 , H01L2224/85801
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在混合搭载基板材料不同的两个以上的半导体元件的功率半导体模块中，能够可靠去除电气特性的不合格品的功率半导体模块的制造方法及其中间装配单元。在带金属箔绝缘基板(3)的金属箔(3b)焊接有基板材料不同且泄漏电流的大小相差一个数量级以上的半导体元件(1a)和半导体元件(2b)。在半导体元件(1a)和半导体元件(2b)的表面电极分别连接有不对半导体元件之间进行连结的布线部件(20a)和布线部件(20b)。由于能够通过前述布线部件对各半导体元件个别地进行通电，并个别地进行泄漏电流的检测，所以能够发现泄漏电流大的不良现象。
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公开(公告)号：CN104067388A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380005467.9
申请日：2013-03-15
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 佐藤宪一郎
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/10 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/367 , H01L23/3672 , H01L23/3675 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/562 , H01L2224/32225 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够基于良好的散热性能降低热阻抗，抑制多个半导体芯片间的热干涉，具有高可靠性的低成本的带散热鳍片的功率半导体模块。本发明的带散热鳍片的半导体模块(100)的金属底座(1)具有厚度较薄的顶板部(11)和厚度比该顶板部(11)厚的外周部(15)，顶板部(11)的一侧面上搭载有绝缘基板(8)，该绝缘基板(8)的上侧具有通过焊锡接合搭载了多个半导体芯片(IGBT芯片(3)、FWD芯片(4))的金属箔(5)，该绝缘基板(8)的下侧具有通过焊锡(6)与顶板部(11)的表面进行接合的金属箔(5)，金属底座(1)一侧具有将绝缘基板(8)和半导体芯片和将该半导体芯片之间进行连接所需的金属布线进行树脂封装的结构，与绝缘基板(8)相对的金属底座(1)的另一侧具有散热鳍片(10)。
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