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公开(公告)号：CN102725114B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201180007140.6
申请日：2011-01-24
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: B29C41/28 , B29K2079/08 , C08J5/18 , C08J2379/08 , G01B11/0691 , G01N21/86 , G01N2021/869
Abstract: 本发明提供一种聚酰亚胺膜的制造方法及制造装置，可以生产性良好地制造在面内具备均匀物性的聚酰亚胺膜。利用红外分光光度法测定自支撑膜的溶剂含量，根据该测定结果，控制从聚酰亚胺前驱体流延物的干燥条件、自支撑膜的后加热条件及聚酰亚胺前驱体溶液自模具的挤出量中选出的一种以上的条件。
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公开(公告)号：CN103442870A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280013838.3
申请日：2012-03-19
Applicant: 宇部兴产株式会社
Inventor： 上木户健
CPC classification number: H01L31/02 , B29C41/28 , B29C2035/0822 , B29K2079/08 , C08J5/18 , C08J2379/08 , H01L31/0392 , H01L31/03926 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种即使高温加热也难以产生发泡或膨胀等的聚酰亚胺膜、其制备方法及其制备装置。该聚酰亚胺膜制备装置，具有支撑体3、浇铸炉4、固化炉5，固化炉5划分成多个区域从而可使自我支撑性膜1b阶段性地升温；在自我支撑性膜的上面侧和/或下面侧，与所述自我支撑性膜具有一定间隔配置有红外线加热器15。通过该聚酰亚胺膜制备装置，可制备在450℃下加热20分钟后挥发成分含量为0.1质量%以下的聚酰亚胺膜。
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公开(公告)号：CN102458849A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080026427.9
申请日：2010-04-14
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: B29C55/04 , B29C41/24 , B29C41/28 , B29C55/08 , B29K2079/08 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/085 , B32B15/20 , B32B27/08 , B32B27/281 , B32B27/38 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2307/514 , B32B2307/546 , B32B2307/732 , B32B2457/08 , C08G73/1042 , C08G73/1046 , C08G73/105 , C08G73/1067 , C08G73/1071 , C09D179/08 , C23C18/1641 , C23C18/165 , C23C18/31 , H05K1/0346 , H05K2201/0154 , Y10T428/265 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明涉及聚酰亚胺膜，其为具有各向异性的线膨胀系数，在聚酰亚胺层(b)的单面或两面层叠了聚酰亚胺层(a)的聚酰亚胺膜，其特征在于，聚酰亚胺层(a)是由包含具有下述化学式(1)的结构的二胺的单体成分得到的聚酰亚胺。(通式(1)中，R表示选自通式(2)所示的组中的1价的基团。)(通式(2)中，R1表示氢原子或甲基，二个R1可以相同，也可以不同)。
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公开(公告)号：CN1933967A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009328.9
申请日：2005-03-02
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: B32B27/281 , B32B15/08 , B32B27/08 , B32B2307/306 , B32B2379/08 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721
Abstract: 一种粘合性增强的聚酰亚胺薄膜，该薄膜包含由具有高刚度和低线膨胀系数的聚酰亚胺(A)构成的芯层，该芯层的至少一个面上涂有包含耐热表面处理剂和能形成高耐热无定形聚酰亚胺(B)的聚酰亚胺前体的涂层经加热形成的薄层。
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公开(公告)号：CN102458848B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201080025986.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 宇部兴产株式会社
Abstract: 本发明涉及敷金属用的聚酰亚胺膜，是具有各向异性的线膨胀系数，在聚酰亚胺层(b)的单面或两面层叠了聚酰亚胺层(a)的敷金属用的聚酰亚胺膜，聚酰亚胺层(b)是由包含3，3′，4，4′-联苯四甲酸二酐的酸成分和包含对苯二胺的二胺成分得到的聚酰亚胺，聚酰亚胺层(a)是由包含选自苯二胺和二氨基二苯醚中的至少1种二胺的单体成分得到的聚酰亚胺，还包含表面处理剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102089365B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200980127135.1
申请日：2009-05-20
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H01L31/0392 , C08J5/18 , C08J2379/08 , H01L31/03928 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T428/31681
Abstract: 公开了一种由芳香四羧酸组分和芳香二胺组分制得的聚酰亚胺膜，基于25℃时的最初尺寸，在25～500℃下其尺寸变化率为-0.3％～+0.6％。该聚酰亚胺膜可以用作CIS太阳电池的基底。
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公开(公告)号：CN103764731A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280040995.3
申请日：2012-08-17
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C08J5/18 , B29C41/24 , B32B15/08 , B32B15/088 , B29K79/00
CPC classification number: B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/088 , B32B37/10 , B32B2307/748 , B32B2379/08 , B32B2457/08 , C08G69/26 , C08J5/18 , C08J2377/10 , Y10T156/10 , Y10T428/31681
Abstract: 本发明提供一种热融着性聚酰亚胺膜及其制备方法、及使用该热融着性聚酰亚胺膜的聚酰亚胺金属层积体。该热融着性聚酰亚胺膜是聚合四羧酸二酐成分与二胺成分得到的单层的热融着性聚酰亚胺膜，所述四羧酸二酐成分含有2,3,3',4'-联苯基四羧酸二酐与3,3',4,4'-联苯基四羧酸二酐，所述二胺成分含有以式(I)所示芳香族二胺化合物为主成分，(其中，X是O、CO、C(CH3)2、CH2、SO2、S、或是直接键合，当X为2种以上键合形式时，各自可相同也可不同，n是0～4的整数)。
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公开(公告)号：CN103502006A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021972.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H05K1/036 , B32B15/08 , B32B27/281 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2307/31 , B32B2457/08 , C08G73/10 , H05K1/0393 , H05K3/022 , H05K2201/0154 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明提供一种在加热过程不会产生起泡和其他问题的聚酰亚胺膜,以及聚酰亚胺金属层压体，其中所述聚酰亚胺膜与金属层是层压的。本发明涉及一种聚酰亚胺膜，包括:聚酰亚胺层(b),和层压接触所述聚酰亚胺层(b)的聚酰亚胺层(a),其中不与聚酰亚胺层(a)接触的所述聚酰亚胺层(b)的一面具有热熔结合性,不与聚酰亚胺层(b)接触的所述聚酰亚胺层(a)的一面不具有热熔结合性,并且所述聚酰亚胺层(a)包括由四羧酸组分和二胺组分形成的聚酰亚胺，所述四羧酸组分含有2,3,3',4'-联苯四羧酸二酐。
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公开(公告)号：CN102112293A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130759.9
申请日：2009-06-02
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: B29C41/003 , B29C41/24 , B29C55/08 , B29D7/01 , B29K2077/10 , B29K2079/08 , B29L2007/008 , C08G73/1067 , C08J5/18 , C08J2379/08 , C08L79/08
Abstract: 本发明提供工业上容易实施的、制备宽度方向(TD)的线性膨胀系数比传送方向(MD)的线性膨胀系数小的芳族聚酰亚胺薄膜的方法。将芳族聚酰亚胺薄膜的制备中使用的自支撑性芳族聚酰亚胺前体薄膜的溶剂含量调节为25～45质量％的值，酰亚胺化率调节为5～40％范围的值，沿宽度方向在80～240℃范围的温度开始与自支撑性芳族聚酰亚胺前体薄膜的加热同时进行的拉伸，在350～580℃范围的温度下进行将拉伸的自支撑性芳族聚酰亚胺前体薄膜变换为自支撑性芳族聚酰亚胺薄膜的步骤。
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公开(公告)号：CN102089366A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127146.X
申请日：2009-05-20
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C08J5/18 , B32B15/088 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , B29C41/24 , B29K2079/08 , H01L31/03928 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 一种CIS太阳电池，由聚酰亚胺-金属层压制品制造，其中所述聚酰亚胺-金属层压制品具有聚酰亚胺膜和金属层，所述金属层位于所述薄膜上并被用作电极。所述金属层用作形成在自支撑膜一面(B面)上的电极，所述B面在生产自支撑膜的过程中与支撑物相接触。
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