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公开(公告)号：CN105209182A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480027259.3
申请日：2014-03-12
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: B05D7/24 , B05D3/02 , C08G73/10 , C08K5/17 , C08K5/3445 , C08L79/08 , C09D5/25 , C09D179/08
CPC classification number: C08G73/10 , C08G73/1046 , C08G73/1067 , H01B3/306
Abstract: 本发明涉及一种用于制备聚酰亚胺绝缘涂层的方法，所述方法包括以下步骤：将聚酰亚胺前体组合物施用到基板上，并烘烤在所述基板上的所述组合物，其中所述聚酰亚胺前体组合物包含聚酰胺酸和选自咪唑和胺化合物的碱性化合物，以及在该烘烤步骤中，加热所述聚酰亚胺前体组合物的时间长度为10秒至180秒；从100℃到280℃的平均增温速率为5℃/s或更大；以及最高加热温度为300℃到500℃。
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公开(公告)号：CN101409536A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710085700.5
申请日：2002-05-10
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , B06B1/0644 , G10K11/04 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/02102 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H2003/021 , H03H2003/0428 , Y10S977/888 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 在硅晶片(51)的表面形成了氧化硅薄层(53)的基板上，形成洼陷(52)。跨过洼陷(52)一样配置的夹层构造体，由压电体层(62)以及接合于其双面的下方电极(61)和上方电极(63)构成。下方电极(61)的上表面以及与它接合的压电体层(62)的下表面，高度RMS误差为25nm以下。下方电极(61)的厚度为150nm以下。这样，提供具有优良的电机械接合系数和音响品质系数的高性能的薄膜音响共振器。
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公开(公告)号：CN1894849A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200480037896.5
申请日：2004-12-17
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: H03H3/02 , H01L41/22 , H03H9/17 , H01L41/107
CPC classification number: H03H3/04 , H01L41/316 , H03H9/173 , H03H9/174
Abstract: 公开了一种制造压电薄膜器件的方法，其包括：在基片(11)的上表面上形成能够由特定化学物质蚀刻的绝缘层(12)的步骤；在绝缘层的部分区域上形成牺牲层(13)的步骤，所述牺牲层由与绝缘层相比所述特定化学物质对其具有更高的蚀刻速度的物质制成；在包括牺牲层的区域上形成下电极(15)的步骤；在包括下电极的部分的区域上形成压电薄膜(16)的步骤；在包括压电薄膜的部分的区域上形成上电极(17)的步骤；形成通孔(18)穿透压电薄膜和下电极以便暴露牺牲层的部分的步骤；以及通过以下形成用于振荡的空间(20)的步骤：通过经由通孔引入所述特定化学物质并用该特定化学物质来蚀刻牺牲层和绝缘层两者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105209182B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201480027259.3
申请日：2014-03-12
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: B05D7/24 , B05D3/02 , C08G73/10 , C08K5/17 , C08K5/3445 , C08L79/08 , C09D5/25 , C09D179/08
CPC classification number: C08G73/10 , C08G73/1046 , C08G73/1067 , H01B3/306
Abstract: 本发明涉及一种用于制备聚酰亚胺绝缘涂层的方法，所述方法包括以下步骤：将聚酰亚胺前体组合物施用到基板上，并烘烤在所述基板上的所述组合物，其中所述聚酰亚胺前体组合物包含聚酰胺酸和选自咪唑和胺化合物的碱性化合物，以及在该烘烤步骤中，加热所述聚酰亚胺前体组合物的时间长度为10秒至180秒；从100℃到280℃的平均增温速率为5℃/s或更大；以及最高加热温度为300℃到500℃。
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公开(公告)号：CN103764731A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280040995.3
申请日：2012-08-17
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C08J5/18 , B29C41/24 , B32B15/08 , B32B15/088 , B29K79/00
CPC classification number: B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/088 , B32B37/10 , B32B2307/748 , B32B2379/08 , B32B2457/08 , C08G69/26 , C08J5/18 , C08J2377/10 , Y10T156/10 , Y10T428/31681
Abstract: 本发明提供一种热融着性聚酰亚胺膜及其制备方法、及使用该热融着性聚酰亚胺膜的聚酰亚胺金属层积体。该热融着性聚酰亚胺膜是聚合四羧酸二酐成分与二胺成分得到的单层的热融着性聚酰亚胺膜，所述四羧酸二酐成分含有2,3,3',4'-联苯基四羧酸二酐与3,3',4,4'-联苯基四羧酸二酐，所述二胺成分含有以式(I)所示芳香族二胺化合物为主成分，(其中，X是O、CO、C(CH3)2、CH2、SO2、S、或是直接键合，当X为2种以上键合形式时，各自可相同也可不同，n是0～4的整数)。
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公开(公告)号：CN102939671A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180026854.1
申请日：2011-04-05
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: H01L33/64
CPC classification number: F28F21/089 , H01L33/641 , H05K1/0203 , H05K1/189 , H05K3/022 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355 , H05K2201/10106
Abstract: 一种LED散热基板包括层压在聚酰亚胺膜一侧的铜箔或铜合金箔，以及层压在所述聚酰亚胺膜另一侧的铝箔或铝合金箔。所述铜箔或铜合金箔的表面与所述铝箔或铝合金箔的表面之间的热阻为1.8℃/W或更小。
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公开(公告)号：CN100546178C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200480037896.5
申请日：2004-12-17
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: H03H3/02 , H01L41/22 , H03H9/17 , H01L41/107
CPC classification number: H03H3/04 , H01L41/316 , H03H9/173 , H03H9/174
Abstract: 公开了一种制造压电薄膜器件的方法，其包括：在基片(11)的上表面上形成能够由特定化学物质蚀刻的绝缘层(12)的步骤；在绝缘层的部分区域上形成牺牲层(13)的步骤，所述牺牲层由与绝缘层相比所述特定化学物质对其具有更高的蚀刻速度的物质制成；在包括牺牲层的区域上形成下电极(15)的步骤；在包括下电极的部分的区域上形成压电薄膜(16)的步骤；在包括压电薄膜的部分的区域上形成上电极(17)的步骤；形成通孔(18)穿透压电薄膜和下电极以便暴露牺牲层的部分的步骤；以及通过以下形成用于振荡的空间(20)的步骤：通过经由通孔引入所述特定化学物质并用该特定化学物质来蚀刻牺牲层和绝缘层两者。
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公开(公告)号：CN100498931C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN02809666.5
申请日：2002-05-10
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , B06B1/0644 , G10K11/04 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/02102 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H2003/021 , H03H2003/0428 , Y10S977/888 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 在硅晶片(51)的表面形成了氧化硅薄层(53)的基板上，形成洼陷(52)。跨过洼陷(52)一样配置的夹层构造体，由压电体层(62)以及接合于其双面的下方电极(61)和上方电极(63)构成。下方电极(61)的上表面以及与它接合的压电体层(62)的下表面，高度RMS误差为25nm以下。下方电极(61)的厚度为150nm以下。这样，提供具有优良的电机械接合系数和音响品质系数的高性能的薄膜音响共振器。
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