一种分子束流调节装置、调节方法及形成控制方法

    公开(公告)号:CN116590791A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310608040.3

    申请日:2023-05-26

    Abstract: 本发明公开了一种分子束流调节装置、调节方法及形成控制方法,涉及材料生长领域,其中装置包括坩埚、调节盒、收合扇和转动盘;所述调节盒安装在所述坩埚出口端,具有连通所述坩埚出口端的束流口;所述转动盘转动安装在所述调节盒内,具有多个圆周阵列设置的滑动槽;所述收合扇包括多个收合叶片,多个所述收合叶片圆周阵列设置在所述调节盒内且为依次错位叠放,以使收合扇中部具有束流孔,所述收合叶片的一端与所述调节盒转动连接,另一端具有与所述滑动槽配合的凸柱。本申请的分子束流调节装置能解决薄膜生成过程中深径比变化导致的薄膜生成不均匀问题,从而能达到提高同一生长批次和不同生长批次薄膜均匀性的效果。

    薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114662424B

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210548370.3

    申请日:2022-05-20

    Abstract: 本发明涉及数据模拟分析技术领域,具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括以下步骤:设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量;根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型;根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量,以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型;根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟;该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟,且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。

    薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114662424A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210548370.3

    申请日:2022-05-20

    Abstract: 本发明涉及数据模拟分析技术领域,具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括以下步骤:设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量;根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型;根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量,以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型;根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟;该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟,且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。

    电镀仿真模型构建及仿真方法、装置、处理器及存储介质

    公开(公告)号:CN118504367A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410980769.8

    申请日:2024-07-22

    Abstract: 本申请实施例提供一种电镀仿真模型构建及仿真方法、装置、处理器及存储介质,涉及虚拟仿真技术领域,电镀仿真模型构建方法包括:对目标电镀设备的电镀腔体进行几何建模,得到几何模型;确定几何模型的仿真参数信息;确定几何模型的目标物理场及目标物理场的初边值条件,并基于目标物理场进行多物理场耦合,构建出电镀仿真模型;其中,目标物理场包括三次电流分布物理场、层流物理场和电极壳物理场。本申请通过更全面地考虑各种因素对镀层形成过程的影响,提高了仿真结果的准确性和可靠性,从而便于相关人员基于仿真结果提高产品质量和生产效率。

    相变材料激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118095141B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410464351.1

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域,公开了一种相变材料激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:获取表面设置有镀层模型的相变材料模型,设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数,根据激光烧蚀过程的传热特征、相变特征、液体和气体的流动特征以及物质蒸发特征,设置流体传热物理场、层流物理场和基于气液界面流动而改进的水平集物理场,通过等效热容法,对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟,得到激光烧蚀模拟分析结果,通过流体传热物理场、层流物理场和基于气液界面流动而改进的水平集物理场,对激光烧蚀过程进行模拟,提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。

    水平集法激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118070564A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410464333.3

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域,公开了一种水平集法激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:获取表面设置有镀层模型的相变材料模型,设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数,根据激光烧蚀过程的传热特征、物质蒸发特征和相变特征,设置固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场,基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场,对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟,得到激光烧蚀模拟分析结果,通过固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场,对激光烧蚀过程进行模拟,提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。

    坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN116306058A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310608061.5

    申请日:2023-05-26

    Abstract: 本申请属于分析坩埚热应力技术领域,公开了一种坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:获取坩埚的第一结构参数和加热物料的第二结构参数,通过仿真软件,构建对应的内置物料模型的坩埚模型,确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系,并设置坩埚模型和物料模型的材料参数、塑性节点和热膨胀条件,确定热膨胀应变数据的计算方程,基于上述条件和数据,结合预设的温度条件、预设的模型划分条件和预设的求解器设置,计算不同情况下坩埚模型的热应力分布数据,得到不同情况对于坩埚热应力的影响分析结果数据,通过设置黏附接触关系并添加塑性节点,模拟不同情况的热应力分析,提高了分析坩埚热应力的效率和准确度。

    金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法

    公开(公告)号:CN115386856B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202211279601.1

    申请日:2022-10-19

    Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法,属于真空计领域,金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤:在两片衬底的正面沉积金刚石;其中一片衬底直接沉积得到第一部件,另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件;取下金属环,并去除第一部件和第二部件背面的衬底;在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层;在金属层上焊上导线,且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔;将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合;在第二部件朝上的状态下沉积金刚石,得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容,用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。

    一种金刚石摩擦发电器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN115276456A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210426801.9

    申请日:2022-04-22

    Abstract: 本申请涉及摩擦发电领域,公开了一种金刚石摩擦发电器件及其制备方法,包括以下步骤:利用激光在金刚石基材正面的表面或内部加工形成石墨电极;在所述金刚石基材的底面沉积金属薄膜电极;将导线与所述石墨电极焊接,将导线与所述金属薄膜电极进行焊接,形成所述金刚石摩擦发电器件。本申请金刚石摩擦发电器件采用金刚石作为摩擦发电主体材料,具有高化学稳定性、耐摩擦、高硬度等特点,使用寿命长,环境稳定性高;而且,使用激光在金刚石基材正面的表面或内部制备石墨电极,简单快捷、精准度高。

    真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统

    公开(公告)号:CN114659706A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210544153.7

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 本申请属于真空计量技术领域,公开了一种真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统,通过获取内环电容产生的第一电压信号和外环电容产生的第二电压信号;分别对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行峰值检测处理,得到第一峰值信号和第二峰值信号;对所述第一峰值信号和所述第二峰值信号进行差分处理,得到电压差值信号;对所述电压差值信号进行计算处理,得到真空度检测结果,其中差分处理可以减少信号干扰,提高检测精度,从而保证真空度检测结果的可靠性。

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