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公开(公告)号：CN118296853A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410681168.7
申请日：2024-05-29
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G16C10/00 , G16C60/00 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种半透明材料激光烧蚀模拟方法及相关设备，该方法包括：获取内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型，设置半透明相变材料模型的第一材料参数和杂质模型的第二材料参数，根据激光衰减特征以及半透明相变材料和杂质材料的传热特征和受热膨胀特征，设置耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，基于上述数据，对内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN118070563B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410464299.X
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种变形几何激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征和几何结构变形特征，设置固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN116590791A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310608040.3
申请日：2023-05-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种分子束流调节装置、调节方法及形成控制方法，涉及材料生长领域，其中装置包括坩埚、调节盒、收合扇和转动盘；所述调节盒安装在所述坩埚出口端，具有连通所述坩埚出口端的束流口；所述转动盘转动安装在所述调节盒内，具有多个圆周阵列设置的滑动槽；所述收合扇包括多个收合叶片，多个所述收合叶片圆周阵列设置在所述调节盒内且为依次错位叠放，以使收合扇中部具有束流孔，所述收合叶片的一端与所述调节盒转动连接，另一端具有与所述滑动槽配合的凸柱。本申请的分子束流调节装置能解决薄膜生成过程中深径比变化导致的薄膜生成不均匀问题，从而能达到提高同一生长批次和不同生长批次薄膜均匀性的效果。
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公开(公告)号：CN118070564B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410464333.3
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F113/08 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种水平集法激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征、物质蒸发特征和相变特征，设置固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN118095141A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410464351.1
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/28 , G06F113/08 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种相变材料激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征、相变特征、液体和气体的流动特征以及物质蒸发特征，设置流体传热物理场、层流物理场和基于气液界面流动而改进的水平集物理场，通过等效热容法，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过流体传热物理场、层流物理场和基于气液界面流动而改进的水平集物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117488283A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311504264.6
申请日：2023-11-13
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , C23C16/02
Abstract: 本申请涉及光电领域，公开了一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜及其制备方法，包括以下步骤：将基片放置在脉冲激光沉积系统的样品台上，将靶材放置在靶托，在基片表面脉冲激光沉积保护层；将沉积后的基片放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，通入氢气和氩气，对保护层表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，通入甲烷气体和氧气气体，在保护层表面生长金刚石；停止通入甲烷和氧气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有高导热防护金刚石薄膜的基片。通过脉冲激光沉积的保护层对所保护的基片的损伤非常低，并且在保护层成功的异质外延生长金刚石层，可以大幅降低金刚石和基片间直接的界面热阻。
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公开(公告)号：CN116986911A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310608039.0
申请日：2023-05-26
Applicant: 季华实验室
IPC: C04B35/582 , C04B35/622 , C30B23/02 , C30B25/02 , B28B3/00 , B28B11/24
Abstract: 本申请涉及分子束外延技术领域，公开了一种分子束外延氮化铝陶瓷坩埚及其制作方法，所述分子束外延氮化铝陶瓷坩埚由氮化铝粉体制作获得，所述氮化铝粉体按质量份数计，包括以下组分：1份~5份烧结助剂，0.00001份~0.0001份金属钛源，95份~99份氮化铝粉末；所述的分子束外延氮化铝陶瓷坩埚的制作方法包括以下步骤：配制氮化铝粉体；调制浆料；坯体成型；排胶；氧化；坯体烧结；打磨得成品。所提供的制作方法能够制得深度较大的薄壁杯状结构坩埚，所制得的分子束外延氮化铝陶瓷坩埚导热率远高于传统的热解氮化硼材料坩埚，可极大提高坩埚的导热能力，有效消除坩埚内外温度差，提高能量利用效率，降低能耗。
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公开(公告)号：CN116029087A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211348133.9
申请日：2022-10-31
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及热场分析领域，具体为一种源炉热场分布分析方法、装置、电子设备和存储介质。该源炉热场分布分析方法包括步骤：根据源炉中各个部件的结构参数建立二维轴对称简化模型；将二维轴对称简化模型导入COMSOL软件中，并根据各个部件的制作材料设定材料参数；设定各个部件的传热类型；设定温度条件；计算分析得到源炉的热场分布图像，本发明以模拟实验的方式替代实测，确保获得准确的实验结果同时大大减少实验过程的资源浪费和实验成本。
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公开(公告)号：CN114878494A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210718458.5
申请日：2022-06-23
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/31
Abstract: 本申请涉及属于分子束外延技术领域，公开了一种原位监测坩埚中的源材料含量的装置及方法，该装置包括基架、测量杆、激光接收器和激光发射器，所述测量杆穿过所述基架，所述测量杆和所述基架滑动连接，所述测量杆的一端设置有所述激光接收器或所述激光发射器；所述激光发射器用于发射激光到坩埚内，所述测量杆用于通过调节其滑动位置使所述激光接收器能够接收从坩埚内反射出的激光，所述激光接收器用于在接收到从所述坩埚内反射出的激光后产生电反馈信号。本发明结构简单，能实现对坩埚内源材料的原位监测，节约时间，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN119900079A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510395229.8
申请日：2025-03-31
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/12 , C30B23/06 , C30B25/10 , C30B25/16 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01S5/183 , G01N23/20 , G01N21/63 , G01B11/06 , G01B15/02
Abstract: 本申请属于分子束外延设备领域，公开了一种分子束外延设备及垂直腔面激光器生长方法，通过在同一托盘上同时生长正式产品和测试结构，并使用遮挡装置控制测试结构的生长，解决了现有技术中需要单独生长测试结构或复杂处理正式产品的问题，具有节省时间和源料、提高生长参数控制精度、便于问题定位的优点。
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