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公开(公告)号：CN112501586A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011140464.4
申请日：2020-10-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/448 , C23C16/505 , C23C16/511 , C23C16/08 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开一种高纯度金属薄膜的制备方法及制备装置和半导体芯片，其中，包括以下步骤：将金属颗粒或粉状物置于真空室内；通入高纯卤族气体与金属颗粒或粉状物在常温下进行反应；对反应得到的卤化金属气体进行吸附过滤；利用卤化金属气体与杂质的沸点差别进行精馏提纯；将提纯后的卤化金属气体与高纯氢气分别通入等离子体增强化学气相沉积镀膜设备腔室内，在半导体衬底上沉积金属薄膜。本发明方法过程简单，成本低，对原材料的纯度要求低，获得原材料容易，同时可有效提高难熔金属薄膜的纯度。
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公开(公告)号：CN111940252A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010751469.4
申请日：2020-07-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于真空环境下回收粉末装置，包括可通过气体但粉末不能通过的粉末收集罐，所述粉末收集罐的气体入口与真空腔体连通，粉末收集罐的气体出口与抽真空装置连通：抽真空装置启动，使真空腔体内形成真空环境，对真空腔体内的芯片进行粉末喷涂，真空腔体内多余的粉末由于压力差被吸入到粉末收集罐内实现收集；本基于真空环境下回收粉末装置的结构简易，能在保持真空环境的同时对粉末尤其是荧光粉等纳米级粉末实现过滤回收；粉末收集罐内设置硫化过滤板，可以实现对纳米级粉末的有效过滤回收；本回收粉末装置无需其他外力，只需要真空泵抽真空时形成的压力差就可以把粉末带到粉末收集罐内，提高工作效率，节省能源。
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公开(公告)号：CN114720048B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210648150.8
申请日：2022-06-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计及NEG薄膜制备方法，一种电容薄膜真空计包括：壳体，具有一容置腔；电容膜片，将容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，与测量室连通；固定电极，设在参考腔中并与电容膜片平行，形成电容器；还包括：NEG薄膜，NEG薄膜镀在参考腔的内壁，用于吸收参考腔内部的残余气体。通过在参考腔的内壁镀一层NEG薄膜，提高NEG薄膜的吸气效率，能够很好地保持参考腔的真空度，从而提高电容薄膜真空计的测量精度。通过NEG薄膜制备方法对参考腔的内壁进行NEG薄膜镀膜，从而获得镀有NEG薄膜的参考腔。
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公开(公告)号：CN114964613A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210917065.7
申请日：2022-08-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计,其包括：腔体底板、外壳、感应膜片和张紧组件，所述外壳的下端与所述腔体底板连接以压紧所述感应膜片的边沿，所述感应膜片与所述腔体底板围成测量室，并与所述外壳围成参考腔，所述腔体底板与所述感应膜片的接触处设置有第一环槽，所述张紧组件设置在所述参考腔内，所述张紧组件用于把所述感应膜片覆盖所述第一环槽的部分压入所述第一环槽以张紧所述感应膜片，且所述张紧组件把所述感应膜片压入所述第一环槽的压入深度可调；可对感应膜片进行多次张紧，提高真空计的测量精度和使用寿命。
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公开(公告)号：CN114486062B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210332796.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于真空计技术领域，公开一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计，包括壳体、感压薄膜及固定电极，还包括第一加热件；壳体具有容置腔，感压薄膜设置在容置腔内，感压薄膜将容置腔分为第一腔及第二腔；固定电极设置在第一腔内，并与感压薄膜平行，固定电极与感压薄膜组成平行板电容器传感组件；第一加热件设置在第二腔内，并面向壳体的进气口。本申请通过在第二腔内设置第一加热件的设计，使得第一加热件能够对进入第二腔内的待测气体进行加热，使得进入第二腔内的待测气体的温度与第二腔内的温度保持一致，减小第二腔内的温度变化，从而减少温度变化对感压薄膜的应力的影响，进而提高电容薄膜真空计的测量精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114659706A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210544153.7
申请日：2022-05-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于真空计量技术领域，公开了一种真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统，通过获取内环电容产生的第一电压信号和外环电容产生的第二电压信号；分别对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行峰值检测处理，得到第一峰值信号和第二峰值信号；对所述第一峰值信号和所述第二峰值信号进行差分处理，得到电压差值信号；对所述电压差值信号进行计算处理，得到真空度检测结果，其中差分处理可以减少信号干扰，提高检测精度，从而保证真空度检测结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN114486062A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210332796.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于真空计技术领域，公开一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计，包括壳体、感压薄膜及固定电极，还包括第一加热件；壳体具有容置腔，感压薄膜设置在容置腔内，感压薄膜将容置腔分为第一腔及第二腔；固定电极设置在第一腔内，并与感压薄膜平行，固定电极与感压薄膜组成平行板电容器传感组件；第一加热件设置在第二腔内，并面向壳体的进气口。本申请通过在第二腔内设置第一加热件的设计，使得第一加热件能够对进入第二腔内的待测气体进行加热，使得进入第二腔内的待测气体的温度与第二腔内的温度保持一致，减小第二腔内的温度变化，从而减少温度变化对感压薄膜的应力的影响，进而提高电容薄膜真空计的测量精度。
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公开(公告)号：CN114323355A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210251300.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了用于电容薄膜规的压力测量系统、方法及电容薄膜规，其包括：膜片；陶瓷基体,设置在膜片一侧；固定电极组，设置在陶瓷基体靠近膜片的端面上，用于根据其与膜片的距离生成测量电容信息；多个形变检测电极，设置在陶瓷基体上，且圆周阵列在固定电极组外侧，分别用于根据其与膜片的距离生成对应的检测电容信息；控制器，与固定电极组和形变检测电极电性连接，用于获取检测电容信息，还用于根据检测电容信息检测膜片形变是否均匀，还用于在膜片形变均匀时，获取测量电容信息并根据测量电容信息计算压力值；有效地提高了用于电容薄膜规的压力测量系统测量压力的稳定性、准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN113739989A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111284298.X
申请日：2021-11-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于机械加工技术领域，公开了一种电容式薄膜真空计的感应膜片焊后张紧力控制方法，包括以下步骤：把感应膜片焊接在电容式薄膜真空计的圆筒状的腔体的下端；腔体的材料的屈服强度比感应膜片的材料的屈服强度低；在腔体的内壁施加压力后卸载压力，使施加压力时腔体的腔壁的内侧部分、腔体的腔壁的外侧部分和感应膜片分别处于塑性变形状态、弹性变形状态和弹性张紧状态，从而使卸载压力后的感应膜片上具有所需的张紧力；该电容式薄膜真空计的感应膜片焊后张紧力控制方法有利于实现对感应膜片焊接后的张紧力的精准控制。
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公开(公告)号：CN113442459B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202111000257.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种电容薄膜真空计膜片张紧机构、系统、方法及装置，其中，张紧机构包括：压紧机构，用于压紧中心膜片外周以固定中心膜片；多点顶出机构，设置在所述压紧机构下方，其设有通过顶出而张紧固定在所述压紧机构上的中心膜片的顶杆组；对位机构，安装在所述压紧机构与多点顶出机构之间，用于对位调节压紧机构和多点顶出机构，所述顶杆组包括若干通过液压驱动伸缩的顶杆；该张紧机构通过多点顶出机构的顶杆组顶出对中心膜片进行张紧即可完成中心膜片的张紧处理，使得中心膜片达到预定张紧力，具有张紧度可控、中心膜片各区域张紧效果均匀等优点。
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