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公开(公告)号：CN111793822A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010751492.3
申请日：2020-07-30
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/12
Abstract: 本发明公开了一种行星式MOCVD旋转装置，通过驱动第一旋转齿轮带动外延片载板旋转，运用齿轮式机械运动代替气流摩擦驱动外延片载板，因第一旋转齿轮本身具有一定的重量，所以驱动气流需要达到一定量时才能驱动第一旋转齿轮实现转动，而设备反应室内气流场和热场的变化对驱动气流的气流量的影响相对于驱动第一旋转齿轮转动的气流量来说较少，可以忽略，从而解决气浮传动因气流不稳定进而影响外延片载板的旋转不稳定的问题，保证提高外延片载板的旋转稳定性；第一旋转齿轮的结构相对于复杂的气流导向槽结构简单易加工，极大地降低了设备的加工成本；通过稳定的行星托盘旋转和外延载板自旋转，外延片的温度均匀性能得到更好的保证。
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公开(公告)号：CN111221412A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911379933.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F3/01 , G06F3/0481 , G06K9/00
Abstract: 本发明提供了一种基于眼睛控制的光标定位方法及装置。其中方法包括步骤：A.采集用户看向屏幕四个角时，其中一个眼睛的图像，并识别其瞳孔位置；B.建立瞳孔位置与屏幕上位置的映射关系；C.采集所述眼睛的当前图像，并识别其瞳孔位置；D.根据所述映射关系计算用户视线落在屏幕上的位置；E.把计算结果发送至被控主机，以便被控主机控制屏幕在相应的位置显示光标。装置包括瞳孔位置采集模块、映射模块、计算模块和通信模块。该方法及装置可实现通过眼睛来控制光标的位置，方便手部无法正常工作的人控制计算机。
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公开(公告)号：CN111153599A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911379942.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种纳米结构DLC薄膜、增硬玻璃、制备装备及制备方法，DLC薄膜包括第一氮化硅层、第二材料层和第一DLC薄膜层，第二材料层包括由下到上依次设置第二DLC薄膜层和第二氮化硅层（并可复制出结构相同、厚度不一定相等多层第二材料层）；通过在玻璃基体上设置第一氮化硅层，既保证玻璃基体与DLC薄膜层之间的过渡，又增加DLC薄膜层与玻璃基体的结合力，隔绝玻璃基体中氧含量对DLC薄膜层的影响；采用多材料层设计，单层材料层可达到纳米级别尺寸，不但增加DLC薄膜层之间界面，还促进DLC薄膜层内应力释放，能在保证DLC薄膜层高硬度、低摩擦性的情况下，降低DLC薄膜层内应力，强韧DLC薄膜结构。
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公开(公告)号：CN111088526A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911379938.8
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种多片装载的碳化硅外延生长设备，包括基座，设置在基座上的反应室，设置在反应室左侧的进气机构，设置在反应室右侧的出气机构，设置在反应室底部的加热线圈，可转动地设置在反应室中部的托盘架，以及用于驱动托盘架转动的驱动机构；所述托盘架包括一根竖直的旋转杆，以及多个水平地串接在旋转杆上的石墨托盘；每个石墨托盘上表面均匀设置有多个用于放置衬底的定位凹槽。该碳化硅外延生长设备可一次生产多个外延片且结构紧凑、节能环保。
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公开(公告)号：CN118565697A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411014423.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于半导体加工的技术领域，公开了一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该电容薄膜真空计传感器包括：核心陶瓷元件、密封腔体、压紧元件和顶盖组件，核心陶瓷元件包括从上到下依次叠置的下表面中部镀有上陶瓷片导电层的上陶瓷片、间隙垫圈和上表面中部镀有下陶瓷膜片导电层的下陶瓷膜片，下陶瓷膜片导电层和上陶瓷片导电层设置在间隙垫圈中间，且间隙垫圈的厚度大于下陶瓷膜片导电层和上陶瓷片导电层的厚度之和；密封腔体内壁设置有螺纹，螺纹与压紧元件对应；通过在密封腔体内部设置核心陶瓷元件和压紧元件，并在密封腔体顶部焊接顶盖组件，制作得到电容薄膜真空计传感器，提高了电容薄膜真空计传感器的使用效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118377217A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410804206.3
申请日：2024-06-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及气体压力控制技术领域，尤其提供一种蝶阀开度的控制方法、控制器、系统和存储介质，该方法包括：基于腔体内部的当前压力和预设压力，确定控制误差信号以及误差信号变化率；基于当前压力和预先确定的电机步数与实际压力的对应关系，确定当前压力对应的实际步数；基于实际步数以及电机步数与修正参数的对应关系确定目标修正参数；对控制误差信号以及误差信号变化率进行模糊处理，得到PID调整量；基于目标修正参数、PID调整量以及初始时刻PID参数，确定当前时刻的PID参数；基于当前时刻的PID参数以及PID控制算法计算蝶阀的控制信号，控制信号用于控制蝶阀的开度。可以提高气体压力的控制精度。
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公开(公告)号：CN114717539A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210514782.5
申请日：2022-05-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/48 , C23C16/44 , G01N23/20058
Abstract: 本申请涉及薄膜监测技术领域，公开了一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，所述MOCVD反应腔的侧面开设有第一安装孔和第二安装孔，所述第一安装孔用于连接所述电子枪结构，所述第二安装孔用于连接所述荧光屏结构；所述电子枪结构和所述第一安装孔的连接处、所述荧光屏结构和所述第二安装孔的连接处均设置有阀板闸，两个所述阀板闸分别用于控制所述MOCVD反应腔和所述电子枪结构之间的连通和隔绝、所述MOCVD反应腔和所述荧光屏结构之间的连通和隔绝；本发明具有监测效果好和隔热效果好的有益效果。
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公开(公告)号：CN112556921A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011241981.0
申请日：2020-11-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种多接头的真空检测装置和薄膜规真空度检测方法，可通过多个接头同时连接多个待测薄膜规进行检测，检测时，若标准真空测量仪器的测得值没变化表示所有薄膜规均合格，若有变化表示其中至少一个薄膜规不合格，从而可通过对半排查的方式确定不合格薄膜规；与现有技术中只能逐个检测的方式相比，检测效率更高，操作更方便，且该多接头的真空检测装置的结构简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN111884607A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010597111.0
申请日：2020-06-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开全桥D类放大电路、级联功率模块及大功率射频电源。该全桥D类放大电路包括：左侧半桥，包括左上MOS管和左下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；右侧半桥，包括右上MOS管和右下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；变压器，所述变压器的原边的两端分别耦合于所述左侧半桥的居中点和右侧半桥的居中点。该电路使得从电源节点与地节点之间引入的电能被转换为方波电压波形后经变压器的副边输出，其中，所述方波电压波形具有预先设定的射频频率。该全桥D类放大电路的反向电压低，效率高，可靠性高。
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公开(公告)号：CN117148709A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311441738.7
申请日：2023-11-01
Applicant: 季华实验室
IPC: G05B11/42
Abstract: 本申请涉及真空蝶阀技术领域，具体提供了一种真空蝶阀控制方法、系统、电子设备及存储介质，该方法包括以下步骤：获取腔室内的实际气压信息，腔室与真空蝶阀连接；基于预先建立的曲线算法模型根据实际气压信息获取对应的实际阀门位置信息，并基于曲线算法模型根据预设的目标气压信息获取对应的目标阀门位置信息；基于PID控制根据实际阀门位置信息和目标阀门位置信息对真空蝶阀的阀门位置进行调整，以使实际阀门位置信息与目标阀门位置信息相同；该方法能够根据腔室内的气压自适应调节真空蝶阀的阀门位置，从而有效地提高真空蝶阀的调节效率和调节精度。
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