公开(公告)号：CN1096703C

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN96198370.1

申请日：1996-11-11

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 毛塚健彦 ,  陶山诚 ,  上谷文宏 ,  板野充司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  C11D17/08 ,  C11D1/12 ,  C11D3/04

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D1/24 ,  C11D1/29 ,  C11D3/042 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047

Abstract: 晶片处理液，及在该处理液中添加水，H2O2，HNO3，CH3COOH，NH4F等，制造低浓度晶片处理液的方法。

公开(公告)号：CN117255779A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202280030801.5

申请日：2022-04-18

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 神原将 ,  野口刚 ,  上谷文宏 ,  太田大助 ,  须藤笃

IPC: C07C211/56

Abstract: 本发明的目的在于提供一种新型化合物等，其能够用作交联剂，该交联剂提供在维持耐热性的同时耐等离子体性优异的交联物。下述通式(通式中，R1为‑SO2‑、‑O‑、‑CO‑、取代或非取代的亚烷基、下式所示的基团或单键，2个A独立地为取代或非取代的包含5元或6元芳香环的芳香环基(其中，在为包含6元芳香族烃环的单环式芳香环基的情况下具有取代基))所示的化合物。

公开(公告)号：CN109996832B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201780073776.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 大金工业株式会社 ,  学校法人日本大学

Inventor： 野口刚 ,  上谷文宏 ,  神原将 ,  根本修克

IPC: C08G77/52 ,  C08L83/14 ,  C08L101/04 ,  C09K3/10 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供新的聚合物、组合物和成型品。一种聚合物，其具有下述通式(1)所表示的结构单元(式中，X11和X12相同或不同，表示氢原子、具有或不具有氟原子的烷基、或者苯基。Y11表示氧原子或硫原子。Rf11表示氢原子或者具有或不具有氟原子的烷基。a表示1～4的整数)。

公开(公告)号：CN114502638A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080070325.0

申请日：2020-10-07

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 上谷文宏 ,  野口刚

IPC: C08L27/12 ,  C08K3/34

Abstract: 提供一种组合物，其含有含氟聚合物和通式SiOx(0

公开(公告)号：CN113195625A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980082929.4

申请日：2019-12-27

Applicant: 国立大学法人秋田大学 ,  大金工业株式会社

Inventor： 松本和也 ,  寺境光俊 ,  山田修史 ,  野口刚 ,  上谷文宏 ,  柳田佳穗

IPC: C08L27/12 ,  C08L77/02 ,  C08L83/04 ,  C08L101/06

Abstract: 提供一种组合物，其为含有含氟聚合物和含硅化合物的组合物，上述组合物的磷含量为20ppm以下。

公开(公告)号：CN107636066B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201680034690.X

申请日：2016-06-17

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 野口刚 ,  上谷文宏 ,  田口佳成 ,  田中真人

IPC: C08L27/12 ,  C08F2/44 ,  C08F292/00 ,  C08K9/10 ,  C09K3/10

Abstract: 提供一种耐焦化性和保存稳定性优异的组合物。一种组合物，其为包含复合颗粒和含氟聚合物的组合物，其特征在于，上述复合颗粒由聚合物和分散于上述聚合物中的无机颗粒构成。

公开(公告)号：CN1678961A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03819876.2

申请日：2003-08-21

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 板野充司 ,  金村崇 ,  中村新吾 ,  上谷文宏 ,  毛塚健彦

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H05K3/26

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/24 ,  C11D7/263 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/42 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  G03F7/428 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H05K3/26

Abstract: 本发明提供一种包含有机酸及有机溶剂中的至少一种、及氟化氢(HF)的low－k膜用抗蚀剂剥离液及通孔或电容器清洗液，及使用它们的抗蚀剂剥离方法及通孔或电容器的清洗方法。

公开(公告)号：CN1202274A

公开(公告)日：1998-12-16

申请号：CN96198370.1

申请日：1996-11-11

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 毛健彦 ,  陶山诚 ,  上谷文宏 ,  板野充司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  C11D17/08 ,  C11D1/12 ,  C11D3/04

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D1/24 ,  C11D1/29 ,  C11D3/042 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047

Abstract: 晶片处理液,及在该处理液中添加水,H2O2,HNO3,CH3COOH,NH4F等,制造低浓度晶片处理液的方法,是在20～60wt%的氟化氢(HF)中,将选自CnH2n+1ph(SO3M)Oph(SO3M)(ph为亚苯基,n为5～20,M表示氢或盐),CnH2n+1phO(CH2CH2O)mSO3M(ph为亚苯基,n为5～20,m为0～20,M表示氢或盐)及CnH2n+1O(CH2CH2O)mSO3M(n为5～20,m为0～20,M表示氢或盐)的至少一种以0.1～1000ppm溶解,剩余部分为水(合计100wt%)所组成的。此外,晶片处理液是在HF,HNO3,CH3COOH,NH4F,HCl,H3PO4及用式[(R1)(R2)(R3)(R4)N]+OH－(其中R1,R2,R3,R4分别表示可具有羟基、碳数为1～6的烃基)表示的季胺碱中的至少一种中,将以CnH2n+1ph(SO3M)Oph(SO3M)(ph为亚苯基,n为5～20,M表示氢或盐)CnHzn+1PhO(CH2CH2O)mSO3M(Ph为亚苯基,n为5～20,m为0～20,M表示氢或盐)及CnH2n+1O(CH2CH2O)mSO3M(m为5～20,m为0～20,M表示氢或盐)表示的表面活性剂中的至少一种以0.01～1000ppm溶解,剩余部分为水(合计100wt%)所组成的。