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公开(公告)号：CN1096703C
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN96198370.1
申请日：1996-11-11
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/308 , C11D17/08 , C11D1/12 , C11D3/04
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D1/24 , C11D1/29 , C11D3/042 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D11/0047
Abstract: 晶片处理液，及在该处理液中添加水，H2O2，HNO3，CH3COOH，NH4F等，制造低浓度晶片处理液的方法。
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公开(公告)号：CN1328696A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN99813592.5
申请日：1999-11-22
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , C09K13/08
CPC classification number: C09K13/08 , C03C15/00 , H01L21/31111
Abstract: 一种含氟化氢(HF)的蚀刻溶液,其蚀刻速率的比值为:硼玻璃膜(BSG)或硼磷玻璃膜(BPSG)的蚀刻速率/热氧化膜(THOX)的蚀刻速率在25℃为10或更大。
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公开(公告)号：CN1168194A
公开(公告)日：1997-12-17
申请号：CN96191411.4
申请日：1996-01-11
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052
Abstract: 从基片、特别是从硅晶体基片上除去粘附粒子的方法，该方法包括用氨水-过氧化氢水洗涤、超纯水漂洗、氢氟酸洗涤和超纯水漂洗，在该方法中，向氢氟酸中，及如有必要，还向氨水-过氧化氢水混合液中添加阴离子型表面活性剂。采用该方法，可以使得在氨水-过氧化氢水洗涤工序中一旦脱离开的粒子在氢氟酸洗涤工序中不再被吸附，因此粒子的除去率显著地提高。
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公开(公告)号：CN110790641A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911022444.4
申请日：2015-03-19
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C07C41/01 , C07C41/22 , C07C41/30 , C07C43/225
Abstract: 本发明的课题在于提供一种不使用二溴二氟甲烷等毒性高的原料、通过简便的工序、几乎不生成难以分离的杂质地以高收率制造具有氧二氟亚甲基骨架的化合物的方法。通过使硫代羧酸酯(它能够根据需要通过使卤化硫代羰基化合物与特定的化合物反应得到)与式XFn(式中，X表示氯、溴或碘，n表示1～5的自然数)所示的化合物反应，能够高效地得到具有氧二氟亚甲基骨架的化合物。进一步根据需要使其与硼酸化合物等反应，能够高效地导入芳环基等各种基团。
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公开(公告)号：CN1328697A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN99813593.3
申请日：1999-11-22
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , C09K13/08
CPC classification number: H01L21/31111 , C09K13/08
Abstract: 一种蚀刻溶液,其对热氧化膜(THOX)和硼磷玻璃膜(BPSG)的蚀刻速率在25℃为100埃/分钟或略低,蚀刻速率的比值:BPSG的蚀刻速率/THOX的蚀刻速率的值为1.5或更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1202274A
公开(公告)日：1998-12-16
申请号：CN96198370.1
申请日：1996-11-11
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/308 , C11D17/08 , C11D1/12 , C11D3/04
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D1/24 , C11D1/29 , C11D3/042 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D11/0047
Abstract: 晶片处理液,及在该处理液中添加水,H2O2,HNO3,CH3COOH,NH4F等,制造低浓度晶片处理液的方法,是在20～60wt%的氟化氢(HF)中,将选自CnH2n+1ph(SO3M)Oph(SO3M)(ph为亚苯基,n为5～20,M表示氢或盐),CnH2n+1phO(CH2CH2O)mSO3M(ph为亚苯基,n为5～20,m为0～20,M表示氢或盐)及CnH2n+1O(CH2CH2O)mSO3M(n为5～20,m为0～20,M表示氢或盐)的至少一种以0.1～1000ppm溶解,剩余部分为水(合计100wt%)所组成的。此外,晶片处理液是在HF,HNO3,CH3COOH,NH4F,HCl,H3PO4及用式[(R1)(R2)(R3)(R4)N]+OH－(其中R1,R2,R3,R4分别表示可具有羟基、碳数为1～6的烃基)表示的季胺碱中的至少一种中,将以CnH2n+1ph(SO3M)Oph(SO3M)(ph为亚苯基,n为5～20,M表示氢或盐)CnHzn+1PhO(CH2CH2O)mSO3M(Ph为亚苯基,n为5～20,m为0～20,M表示氢或盐)及CnH2n+1O(CH2CH2O)mSO3M(m为5～20,m为0～20,M表示氢或盐)表示的表面活性剂中的至少一种以0.01～1000ppm溶解,剩余部分为水(合计100wt%)所组成的。
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公开(公告)号：CN110790641B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201911022444.4
申请日：2015-03-19
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C07C41/01 , C07C41/22 , C07C41/30 , C07C43/225
Abstract: 本发明的课题在于提供一种不使用二溴二氟甲烷等毒性高的原料、通过简便的工序、几乎不生成难以分离的杂质地以高收率制造具有氧二氟亚甲基骨架的化合物的方法。通过使硫代羧酸酯(它能够根据需要通过使卤化硫代羰基化合物与特定的化合物反应得到)与式XFn(式中，X表示氯、溴或碘，n表示1～5的自然数)所示的化合物反应，能够高效地得到具有氧二氟亚甲基骨架的化合物。进一步根据需要使其与硼酸化合物等反应，能够高效地导入芳环基等各种基团。
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公开(公告)号：CN106132915B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201580014736.7
申请日：2015-03-19
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C07C41/22 , C07C41/30 , C07C43/225 , C07C327/26 , C07B61/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种不使用二溴二氟甲烷等毒性高的原料、通过简便的工序、几乎不生成难以分离的杂质地以高收率制造具有氧二氟亚甲基骨架的化合物的方法。通过使硫代羧酸酯(它能够根据需要通过使卤化硫代羰基化合物与特定的化合物反应得到)与式XFn(式中，X表示氯、溴或碘，n表示1～5的自然数)所示的化合物反应，能够高效地得到具有氧二氟亚甲基骨架的化合物。进一步根据需要使其与硼酸化合物等反应，能够高效地导入芳环基等各种基团。
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公开(公告)号：CN1759472A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006797.0
申请日：2004-03-10
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: C11D7/10 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , H01L21/02052
Abstract: 腐蚀用或洗涤用溶液的制造方法，所述溶液的特征在于，其含有(1)由选自氨、羟胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族季铵盐构成的组中的至少一种和氢氟酸形成的氟化物盐及氟化氢盐中的至少一种；(2)具有杂原子的有机溶剂中的至少一种；以及(3)水，所述方法包括：工序1，将氢氟酸水溶液和具有杂原子的有机溶剂中的至少一种混合；和工序2，将工序1得到的混合物和选自氨、羟胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族季铵盐构成的组中的至少一种或其氟化物盐混合。
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公开(公告)号：CN1167110C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN99813593.3
申请日：1999-11-22
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , C09K13/08
CPC classification number: H01L21/31111 , C09K13/08
Abstract: 一种蚀刻溶液，其对热氧化膜(THOX)和硼磷玻璃膜(BPSG)的蚀刻速率在25℃为100埃/分钟或略低，蚀刻速率的比值：BPSG的蚀刻速率/THOX的蚀刻速率的值为1.5或更小。
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