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公开(公告)号：CN119602619A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411694785.7
申请日：2024-11-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: H02M7/493 , G06F1/02 , H03B19/14 , H02M7/5387 , H02M7/483
Abstract: 一种大功率多电平数字波形发生器及其多级协同控制方法，属于电力电子波形发生器技术领域，拓扑结构采用低压模块级联实现高压输出；发生器系统由多个功率单元串联组成，每个功率单元包含一个隔离型DC‑DC变换器和一个H桥模块，并将输出级联而形成多电平DC‑AC变换器经滤波器滤除高频谐波后，生成放大的指令信号供负载使用。本发明通过动态协同调节前级DC‑DC变换器的输出电压和后级DC‑AC变换器的调制度来满足宽幅值范围高保真输出的需求，将多电平技术应用于大功率数字波形发生器中，通过模块级联的方式大幅提高系统的等效开关频率，解决了传统两电平数字波形发生器输出保真度受到器件开关性能限制的问题。
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公开(公告)号：CN118961674A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411020100.0
申请日：2024-07-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于银纳米颗粒‑二氧化钛薄膜复合结构的超大尺寸表面增强拉曼芯片制备方法，涉及纳米科学技术领域；包括：加工晶圆级衬底；采用溶胶‑凝胶法制备二氧化钛溶胶溶液；利用提拉技术或旋涂法，通过控制提拉速率或旋涂转速，在晶圆级衬底上获得厚度可控、均一的二氧化钛薄膜，继而进行热退火处理；利用紫外光管阵列垂直照射浸渍于硝酸银溶液中的晶圆级二氧化钛薄膜衬底，通过控制光照时长，在二氧化钛薄膜衬底表面可控沉积银纳米颗粒，从而实现超大尺寸(米级)银纳米颗粒‑二氧化钛薄膜复合结构基SERS芯片制备。本方法解决了现有技术中难以实现超大尺寸、成本低廉、灵敏度高的SERS芯片可控制备的技术挑战。
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公开(公告)号：CN118382345A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410490606.1
申请日：2024-04-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H10N30/098 , H10N30/857 , H10N30/00 , H01L21/02 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于1T’相二维半导体界面的聚合物铁电超薄膜外延生长方法，包括：制备1T’相二维半导体薄膜，或制备1T’相二维半导体块状单晶；将铁电聚合物粉末均匀溶解于有机溶剂中，获得的溶液静置后，利用旋涂法或LB技术，均匀覆盖于1T’相二维半导体薄膜或1T’相二维半导体块状单晶表面，通过控制旋涂机转速或LB拉膜次数得到厚度可控的非晶聚合物铁电超薄膜；将覆盖有非晶聚合物铁电超薄膜的1T’相二维半导体进行热退火处理，从而实现单晶聚合物铁电超薄膜在1T’相二维半导体表面外延生长，同时得到1T’相二维半导体与单晶聚合物铁电薄膜异质结构筑。本方法解决了现有技术中无法实现大面积、高质量聚合物铁电超薄膜可控制备的技术问题。
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公开(公告)号：CN115683400B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202211113649.5
申请日：2022-09-14
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 基于复合氮化物和磁致伸缩材料结构的高灵敏度压力传感器、信号采集模块及电路系统，属于半导体传感器领域。在衬底上依次生长缓冲层、沟道层和势垒层，沟道层和势垒层形成异质结，二者接触界面产生二维电子气，势垒层上方依次设置磁致伸缩层、介质层；源极和漏极设置于势垒层的两侧，二者各自分别与磁致伸缩层和介质层接触，栅极设置于介质层之上；制作完成的高灵敏压力传感器形成惠斯登电桥进行信号采集，连接电桥和电路系统，显示压力大小在显示屏上。本发明有效提高压力灵敏度，体积小、集成度高、量程大、响应速度快，还可以制作传感器阵列，实现二维或三维压力传感，未来有望应用于医疗血压、石化、工业电子称重、江河水位监测等领域。
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公开(公告)号：CN115683400A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211113649.5
申请日：2022-09-14
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 基于复合氮化物和磁致伸缩材料结构的高灵敏度压力传感器、信号采集模块及电路系统，属于半导体传感器领域。在衬底上依次生长缓冲层、沟道层和势垒层，沟道层和势垒层形成异质结，二者接触界面产生二维电子气，势垒层上方依次设置磁致伸缩层、介质层；源极和漏极设置于势垒层的两侧，二者各自分别与磁致伸缩层和介质层接触，栅极设置于介质层之上；制作完成的高灵敏压力传感器形成惠斯登电桥进行信号采集，连接电桥和电路系统，显示压力大小在显示屏上。本发明有效提高压力灵敏度，体积小、集成度高、量程大、响应速度快，还可以制作传感器阵列，实现二维或三维压力传感，未来有望应用于医疗血压、石化、工业电子称重、江河水位监测等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115312598A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210600343.6
申请日：2022-05-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种用于呼吸监测的HEMT湿敏元件及其制备方法和应用，属于半导体湿度传感器领域。所述制备方法包括如下步骤：步骤1.采用阶段功率刻蚀法进行GaN基异质结材料外延片台面刻蚀；步骤2.采用先等离子处理，后湿法腐蚀的方案进行源漏电极掩埋区域刻蚀；步骤3.采用无金欧姆接触制作方案；步骤4.将含有巯基的笼状单体，含有烯键的单体作为骨架材料和光催化剂溶于四氢呋喃和甲醇的混合溶剂中；步骤5.将少量前驱液滴涂于HEMT器件敏感栅区表面，置于紫外光下照射15～30分钟；步骤6.用相同的溶剂体系进行润洗。以该材料作为敏感材料制成的HEMT湿敏元件，该元件在全湿度范围灵敏度达是个数量级，并且该元件可以很好地进行呼吸的检测和呼吸频率的分辨。
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公开(公告)号：CN119375789A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310917836.7
申请日：2023-07-25
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 高灵敏二维电子气沟道结构磁传感矩阵芯片及制作方法，属于半导体器件技术领域，移位寄存器依次连接磁传感矩阵、后端接口电路；所述磁传感矩阵包括若干矩阵元，所述矩阵元：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层和势垒层组成的二维电子气沟道材料异质结结构，所述沟道层上方设有水平型霍尔元件和开关器件。本发明能用于高温、高压、高辐射等恶劣环境下实时、静态、动态测量一维磁场分布的基于二维电子气沟道的一维矩阵式霍尔传感器芯片进行结构、电路上的创新与制作；可实现在一维磁场的动态、静态测量，并通过电路进行误差补偿，不仅确保芯片能在高温、高压、高辐射环境下稳定工作，又能确保其具备较高的线性度、灵敏度与准确度。
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公开(公告)号：CN119298246A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411234623.5
申请日：2024-09-04
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于模型参考自适应的PWM变换器无传感器控制方法，属于电力电子变换器控制技术领域，在PWM变换器的模型预测控制中加入电感参数预测控制，即使网侧输入电感的值不精确或者受到参数影响而波动，也可以得到准确的实时电感，进而得到准确的直流侧电压，来保证后级的输出效果。从而使其对电网变化以及转换器侧电感器参数不确定性具有鲁棒性，同时可以减少变换器控制中所需的网侧电压传感器，减少系统成本。
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公开(公告)号：CN117987776A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311794988.9
申请日：2023-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/08 , G01N27/12 , C23C14/35 , C23C14/58 , C30B29/16 , C30B33/02 , C30B33/10 , C23C14/18 , C23C14/04
Abstract: 一种用湿法腐蚀增强氧化镓多晶薄膜气敏性能的方法，属于半导体气敏传感器领域。所述制备方法包括如下步骤：步骤1.使用磁控溅射机在二氧化硅片上溅射氧化镓薄膜；步骤2.采用热退火的方法使氧化镓薄膜转变为多晶薄膜；步骤3.采用湿法腐蚀的方法在氧化镓多晶薄膜上形成纳米凹坑并嫁接高能悬挂键；步骤4.采用光刻显影的方法在氧化镓薄膜上产生叉指电极区域；步骤5.使用磁控溅射机在氧化镓薄膜上溅射Ti/Pt电极；步骤6.使用丙酮溶液超声浸泡以去除光刻胶。以该材料作为敏感材料制备的氧化镓气敏元件，该元件在300ppm氨气浓度下灵敏度可达25％，并且该元件对氨气有着高敏选择性。
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公开(公告)号：CN115881774A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211371590.X
申请日：2022-11-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种具有阵列侧栅结构的HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。技术方案：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层、势垒层，源极和漏极设置在势垒层上方，栅极设置在势垒层上方、并延伸至沟道层；位于栅极区的沟道层、势垒层、栅金属形成阵列侧栅结构，阵列侧栅包括若干由沟道层和势垒层构成的纵向截面为等腰梯形的结构，侧栅结构在沟道层一侧的外角为钝角弧形。有益效果：本发明利用对沟道分区域进行浅刻蚀和深刻蚀与栅金属/半导体功函数差相结合的方式来调节沟道电子浓度，有效提升器件阈值电压和输出电流。同时可以通过优化侧栅倾角α以减小峰值电场，从而有效降低栅极漏电。
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