一种基于SiC-双向GaN的异质高功率密度T型三电平换流器系统

    公开(公告)号:CN119582635A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411694787.6

    申请日:2024-11-25

    Abstract: 一种基于SiC‑双向GaN的异质高功率密度T型三电平换流器系统,属于电力电子技术领域,包括输入模块、T型三电平拓扑主电路、控制模块、散热管理模块和输出模块,输入模块、T型三电平拓扑主电路、控制模块、散热管理模块和输出模块依次连接。本发明通过结合SiC和GaN异质型功率器件的优点,解决了现有T型三电平换流器系统中功率器件损耗不均、结温偏差大、系统可靠性不足等问题。该系统提升了换流器的功率密度和转换效率,使得系统在高频运行下保持稳定,适用于电动交通、储能系统和新能源发电等高要求应用场景。

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