公开(公告)号：CN118961674A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411020100.0

申请日：2024-07-29

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 李大卫 ,  郝政 ,  孔繁艺 ,  姬琛华 ,  赵高磊 ,  张蕾 ,  代建勋 ,  黄火林

IPC: G01N21/65 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明公开了一种基于银纳米颗粒‑二氧化钛薄膜复合结构的超大尺寸表面增强拉曼芯片制备方法，涉及纳米科学技术领域；包括：加工晶圆级衬底；采用溶胶‑凝胶法制备二氧化钛溶胶溶液；利用提拉技术或旋涂法，通过控制提拉速率或旋涂转速，在晶圆级衬底上获得厚度可控、均一的二氧化钛薄膜，继而进行热退火处理；利用紫外光管阵列垂直照射浸渍于硝酸银溶液中的晶圆级二氧化钛薄膜衬底，通过控制光照时长，在二氧化钛薄膜衬底表面可控沉积银纳米颗粒，从而实现超大尺寸(米级)银纳米颗粒‑二氧化钛薄膜复合结构基SERS芯片制备。本方法解决了现有技术中难以实现超大尺寸、成本低廉、灵敏度高的SERS芯片可控制备的技术挑战。

公开(公告)号：CN118382345A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410490606.1

申请日：2024-04-23

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 李大卫 ,  王虎 ,  孔繁艺 ,  佟云颢 ,  侯心怡 ,  代建勋 ,  黄火林 ,  姬琛华

IPC: H10N30/098 ,  H10N30/857 ,  H10N30/00 ,  H01L21/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于1T’相二维半导体界面的聚合物铁电超薄膜外延生长方法，包括：制备1T’相二维半导体薄膜，或制备1T’相二维半导体块状单晶；将铁电聚合物粉末均匀溶解于有机溶剂中，获得的溶液静置后，利用旋涂法或LB技术，均匀覆盖于1T’相二维半导体薄膜或1T’相二维半导体块状单晶表面，通过控制旋涂机转速或LB拉膜次数得到厚度可控的非晶聚合物铁电超薄膜；将覆盖有非晶聚合物铁电超薄膜的1T’相二维半导体进行热退火处理，从而实现单晶聚合物铁电超薄膜在1T’相二维半导体表面外延生长，同时得到1T’相二维半导体与单晶聚合物铁电薄膜异质结构筑。本方法解决了现有技术中无法实现大面积、高质量聚合物铁电超薄膜可控制备的技术问题。