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公开(公告)号：CN102762770B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201180009674.2
申请日：2011-02-15
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/18 , C23F1/30 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的蚀刻方法，所述蚀刻液的pH为2.5~5，包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳原子数2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的胺类化合物、（E）唑类以及（F）过氧化氢稳定剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1214449C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01804293.7
申请日：2001-11-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L21/32134 , Y02E10/50
Abstract: 公开了一种用于透明导电薄膜的湿法蚀刻剂组合物，是包含草酸和聚氧乙烯烷基醚硫酸盐和/或聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸盐的水溶液。使用上述的蚀刻剂组合物能够在温和的条件下蚀刻无定形ITO，而且一点也不产生蚀刻残渣。
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公开(公告)号：CN1444103A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03120076.1
申请日：2003-03-12
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/308
CPC classification number: C07C217/08 , C11D7/3227 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
Abstract: 本发明的光刻胶剥离组合物含有至少一种由如下通式1表示的氧甲基胺化合物：其中R1至R3如说明书中所定义。对于通式1的氧甲基胺化合物，由如下通式7表示的化合物是一种新的化合物：其中R2至R5以及n如说明书中所定义。
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公开(公告)号：CN100580561C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN03147049.1
申请日：2003-07-16
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明的防蚀显影组合物含有：含1-10%重量的有机碱的水溶液，1-10%重量的糖化合物和1-10%重量的多元醇。该防蚀显影组合物在防止金属腐蚀和显影性能方面具有优异的特性，并适用于半导体元件和液晶显示器件的生产。
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公开(公告)号：CN1312535C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN03120076.1
申请日：2003-03-12
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/42 , C07C217/08 , H01L21/308
CPC classification number: C07C217/08 , C11D7/3227 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
Abstract: 本发明的光刻胶剥离组合物含有至少一种由如下通式1表示的氧甲基胺化合物：其中R1至R3如说明书中所定义。对于通式1的氧甲基胺化合物，由如下通式7表示的化合物是一种新的化合物：其中R2至R5以及n如说明书中所定义。
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公开(公告)号：CN1570772A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN03147049.1
申请日：2003-07-16
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明的防蚀显影组合物含有：含1－10％重量的有机碱的水溶液，1－10％重量的糖化合物和1－10％重量的多元醇。该防蚀显影组合物在防止金属腐蚀和显影性能方面具有优异的特性，并适用于半导体元件和液晶显示器件的生产。
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