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公开(公告)号：CN101135842B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200710047408.4
申请日：2007-10-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU8上，接着SU8作为掩模选择性的去除下层的胶。再经过淀积金属并进行剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，然后去除残余的金属，即得到复制的模板。本发明方法廉价、便捷，易于推广使用。
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公开(公告)号：CN119882358A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510060753.X
申请日：2025-01-15
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种基于图案辅助的大面积挡光区套刻方法。本发明通过在已有结构周围引入辅助图案，使得辅助图案与顶层光刻胶共同形成保护屏障，有效覆盖结构的侧面，将大面积挡光区套刻至光刻胶浸润性差的工作区上，确保硬X射线光子筛工作区在加工过程中不受损害，从而保证最终产品的高性能和稳定性；具体包括器件的工作区、辅助图案及挡光区的加工，并在薄膜窗口上完成；其工艺流程包括光刻、金属化、去胶、套刻、金属化和去胶。本发明方法具有提高套刻精度、节约电子束光刻时间、缩短工艺时间等优势；适用于对生物细胞、有机材料及介质材料等进行硬X射线高衬度成像。
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公开(公告)号：CN114859668B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210369502.6
申请日：2022-04-08
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法。本发明以GenISys公司提供的TRACER、BEAMER和LAB仿真软件为平台进行电子束冰刻工艺光刻胶形貌的计算，基于实验光刻版图、初始电子束能量和电子数量、电子束斑尺寸、衬底材料和厚度、光刻胶材料、厚度和对比度实验数据的情况下，计算冰刻工艺中电子束光刻胶的光刻形貌，包括极低温度下的水冰、苯甲醚、醇类、烷烃类、其他无需溶液显影工艺的冰光刻胶和在仿真中无需显影工艺的电子束光刻胶。本发明可为电子束冰刻工艺的光刻形貌预测提供参考，在实验制备层面为冰刻工艺提供关键的、必不可少的理论指导，具有针对性强、有效缩短实验周期、降低实验成本的优点。
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公开(公告)号：CN114283959A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111486120.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 复旦大学
IPC: G21K1/06
Abstract: 本发明属于同步辐射软X射线透镜技术领域，具体为一种同步辐射高分辨软X射线透镜及其制备方法。本发明的同步辐射高分辨软X射线透镜，其结构从下到上依次为：硅基底，氮化硅隔膜，由模板材料与非金属介质材料组成的X射线透镜；X射线透镜采用电子束光刻与ALD工艺制备得到，包括：在氮化硅隔膜上旋涂光刻胶，利用电子束光刻技术在光刻胶上曝光并显影形成模板结构，利用ALD工艺生长非金属介质材料，最后利用套刻与热蒸发工艺制备光束阻挡器，得到该透镜。本发明方法工艺稳定可靠、制备周期缩短、与现有的光刻工艺兼容；制备的软X射线透镜聚焦效率高、分辨率高，适合于对生物细胞、有机材料和介质材料等的X射线高衬度三维成像。
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公开(公告)号：CN112885499A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110058816.X
申请日：2021-01-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为用于同步辐射软X射线聚焦成像的Kinoform介质透镜及其制备方法。本发明的Kinoform介质透镜结构包括硅基底、薄膜窗口、具有斜面形貌的二维或者三维的介质材料Kinoform透镜；制备步骤包括：在薄膜衬底上旋涂光刻胶，利用电子束灰度光刻技术在光刻胶上曝光形成Kinoform透镜的设计图形，最后显影得到Kinoform透镜。本发明方法可用于制备一类具有类似于锯齿波带结构的X射线聚焦成像透镜，即圆形Kinoform平板透镜，实现对软X射线的高效率聚焦和成像；具有工艺稳定可靠、制备周期缩短和与现有的光刻工艺兼容等优点。制备的透镜适合于对生物细胞、有机材料和介质材料等的X射线高衬度三维成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687531A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011572185.5
申请日：2020-12-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/778
Abstract: 本发明属于晶体管制备技术领域，具体为一种高电子迁移率晶体管源漏电极的制备方法。本发明制备方法采用角向蒸发自对准工艺，基本内容包括：基于T型栅生长工艺，利用高电子迁移率晶体管栅极独特的T型结构，通过角向蒸发的方式精确控制高电子迁移率晶体管器件源极与栅极距离和漏极与栅极的距离，从而使高电子迁移率晶体管器件的源、漏电极与T型栅的位置达到位置可控的自对准的目的，最终为器件性能的提高提供了一个新的可调节的几何参数自由度。本发明方法可以用于制备具有T型栅极结构的高电子迁移率晶体管器件，得到对称或非对称的源极与栅极间距和漏极与栅极间距，同时与现有半导体工艺兼容。
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公开(公告)号：CN106711275B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201611212045.0
申请日：2016-12-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种半导体光电传感器。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏为反型掺杂，即一方为p型而另一方为n型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。沟道区域只有一部分为正栅极覆盖，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理结合场效应正反馈原理和绝缘层上硅的动态耦合效应，在一定的瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应，器件的能带呈现出类似于场效应正反馈器件的载流子注入势垒。此注入势垒的高度受到光致载流子的调控，从而使得器件能被光触发而导通。由于基于场效应正反馈效应，此器件具有响应速度快，工作电流高和器件结构简单等优点。
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公开(公告)号：CN104465326B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410722573.5
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种使用电子束光刻、stencil、光学光刻制作石墨烯纳米器件的方法。其步骤包括：在100（300）nm氮化硅隔膜上旋涂300（600）nm的PMMA作为掩膜，用电子束光刻直写出100（200）nm宽，200（500）nm周期的叉指电极，再用RIE刻蚀100（300）nm氮化硅隔膜，得到stencil；用stencil作为掩膜板，用热蒸发把100nm金蒸发到以硅为衬底的石墨烯上；然后用光学光刻定义出pads区域，再用热蒸发蒸发金，最后用lift off。本发明所需的图形化工艺条件，需要电子束光刻机、RIE、光学光刻机、SEM、热蒸发等，利用这些工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出非损伤石墨烯纳米器件。
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公开(公告)号：CN106711275A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611212045.0
申请日：2016-12-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1136 , H01L31/1804
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种半导体光电传感器。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏为反型掺杂，即一方为p型而另一方为n型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。沟道区域只有一部分为正栅极覆盖，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理结合场效应正反馈原理和绝缘层上硅的动态耦合效应，在一定的瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应，器件的能带呈现出类似于场效应正反馈器件的载流子注入势垒。此注入势垒的高度受到光致载流子的调控，从而使得器件能被光触发而导通。由于基于场效应正反馈效应，此器件具有响应速度快，工作电流高和器件结构简单等优点。
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公开(公告)号：CN101135842A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710047408.4
申请日：2007-10-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU8上，接着SU8作为掩模选择性的去除下层的胶。再经过淀积金属并进行剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，然后去除残余的金属，即得到复制的模板。本发明方法廉价、便捷，易于推广使用。
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