公开(公告)号：CN103474454A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310188487.6

申请日：2013-05-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  许鹏 ,  周祥标

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体-金属-半导体叠层结构的制备方法，该方法通过在单晶半导体衬底上先制备超薄的单晶金属半导体化合物薄膜，再在单晶金属半导体化合物薄膜上制备单晶或多晶半导体薄膜，从而得到了由单晶半导体衬底、位于单晶半导体衬底上的超薄单晶金属硅化物薄膜、以及位于单晶金属硅化物薄膜上的单晶或多晶半导体薄膜构成的叠层结构，该方法简单可靠。

公开(公告)号：CN103021865A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210536723.4

申请日：2012-12-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  许鹏 ,  张卫 ,  张世理

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法及半导体器件。本发明中，通过采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，湿法去除该混合物薄膜，并进行退火形成金属硅化物薄膜和超浅结。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并在进行加热退火之前，湿法去除混合物薄膜，使得在半导体场效应晶体管制作过程中能同步形成自限制极限超薄均匀金属硅化物薄膜及超浅结，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。

公开(公告)号：CN103021821A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210491549.6

申请日：2012-11-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  许鹏 ,  付超超 ,  赵丹 ,  张卫 ,  张世理

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种位于柔性衬底上的金属或半导体结构及其退火方法。本发明中，通过采用微波加热方式，对位于柔性衬底上的金属或者半导体结构进行退火，由于微波加热对物质具有选择性加热的特性，使得在对位于柔性衬底上的金属或半导体结构退火时，可选择性地只对非晶硅层或者金属层加热，而柔性衬底不会吸收或基本不吸收微波能量，因此柔性衬底不会在微波退火时被加热到很高的温度，从而保证了柔性衬底不被破坏；而且微波加热能使被加热物料内外同时加热、同时升温，加热均匀，因此，本发明提供的方法能在低温下完成对位于柔性衬底上的金属或半导体结构的退火，并且加热均匀，加热能耗效率高。