公开(公告)号：CN1213076A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN98121928.4

申请日：1998-09-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈良尧 ,  郑玉祥 ,  张荣君 ,  夏国强 ,  陈岳立 ,  赵海斌 ,  杨月梅 ,  褚君浩

IPC: G01J3/447

Abstract: 已有的红外双重富利埃变换的椭圆偏振光谱仪设计方法均采用单只起偏器,并由检偏器作连续转动。本发明在既对波长又对偏振角作双重富利埃变换的同时,采用两个起偏器Po和P,其中起偏器Po固定,检偏器A与起偏器P采用2∶1系数同步旋转,可得到各波长的光强信号,通过双重富利埃变换求得对应于各波长的4个交流光强分量,就能以不同的组合自洽求出完整的椭偏参数。采用本发明制造的红外椭圆偏振光谱仪,具有数据自洽、准确、灵敏和实时快速的优点。

公开(公告)号：CN118448504A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410425673.5

申请日：2024-04-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄海 ,  李湘 ,  王建禄 ,  褚君浩

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  C23C28/00 ,  C23C16/50 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C14/30 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，具体为一种基于隧穿势垒控制的紫外光电探测器及制备方法。本发明紫外光电探测器，其中光吸收层与电荷传输层分离，并在二者中间插入一种隧穿介质层，通过两层之间的电荷隧穿势垒高度控制器件的光谱响应；其结构自下而上依次为：衬底、栅介质层、电荷储存层、势垒层、电荷传输层、金属电极；电荷储存层与电荷传输层之间被势垒层介质隔开；吸收层与电荷传输层绝缘；金属电极与电荷传输层形成欧姆接触，且不与电荷储存层接触。本发明利用隧穿势垒高度调控器件光谱响应，避免对宽禁带半导体的依赖，丰富材料的选择；光吸收与电荷传输分离，可提高器件光增益，提高器件探测灵敏度。

公开(公告)号：CN118201442A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410347431.9

申请日：2024-03-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李文武 ,  吴燕秋 ,  褚君浩

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60 ,  H10K77/10 ,  H10K85/50 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明公开了一种基于模板生长的钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法，所述钙钛矿薄膜晶体管具有底栅顶接触结构，其自下而上包括栅电极、绝缘层、基于模板生长的钙钛矿半导体有源层、对称的源漏电极。所述的钙钛矿半导体层是通过在三维锡基金属卤化物钙钛矿前驱液中加入可形成低维结构的硫氰酸盐来实现的；其中，硫氰酸根可降低低维结构的形成能，使其在未退火之前大量形成，而在后续的退火过程中诱导垂直于衬底的三维结构的定向生长，实现不同维度钙钛矿的依次生长。所制得的晶体管电流开关比提升约1个数量级、载流子迁移率从8.6 cm2V‑1s‑1提高到40.5 cm2V‑1s‑1、亚阈值摆幅从0.33 V/dec下降到0.23 V/dec。本发明具有成本低廉、工艺步骤简单等优点。