公开(公告)号：CN118201442A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410347431.9

申请日：2024-03-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李文武 ,  吴燕秋 ,  褚君浩

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60 ,  H10K77/10 ,  H10K85/50 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明公开了一种基于模板生长的钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法，所述钙钛矿薄膜晶体管具有底栅顶接触结构，其自下而上包括栅电极、绝缘层、基于模板生长的钙钛矿半导体有源层、对称的源漏电极。所述的钙钛矿半导体层是通过在三维锡基金属卤化物钙钛矿前驱液中加入可形成低维结构的硫氰酸盐来实现的；其中，硫氰酸根可降低低维结构的形成能，使其在未退火之前大量形成，而在后续的退火过程中诱导垂直于衬底的三维结构的定向生长，实现不同维度钙钛矿的依次生长。所制得的晶体管电流开关比提升约1个数量级、载流子迁移率从8.6 cm2V‑1s‑1提高到40.5 cm2V‑1s‑1、亚阈值摆幅从0.33 V/dec下降到0.23 V/dec。本发明具有成本低廉、工艺步骤简单等优点。