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公开(公告)号：CN115274452A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210918679.7
申请日：2022-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/06 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种铁电3D堆叠环栅晶体管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上外延生长多重第一Si层/沟道材料层/第二Si层叠层结构，且在各重第一Si层/沟道材料层/第二Si层叠层结构间形成隔离层；对所述第一Si层/沟道材料层/第二Si层叠层结构进行光刻、刻蚀形成纳米柱结构；原子层刻蚀沟道材料形成沟道，通过调整刻蚀深度控制沟道厚度；采用原子层沉积方法和各向异性刻蚀在所述沟道四周制备铪基铁电薄膜，并在其表面形成金属电极，通过调节铪基铁电薄膜的厚度控制沟道长度；在N2环境下进行快速热退火处理使铪基铁电薄膜转变为铁电相，获得铁电3D堆叠环栅晶体管。
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公开(公告)号：CN115241377A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210930936.9
申请日：2022-08-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种柔性近红外型人工视网膜器件及其制备方法。该柔性近红外型人工视网膜器件包括：柔性衬底；底层电极，形成在所述柔性衬底上；功能层，其包括有机铁电聚合物薄膜\稀土上转换纳米材料\有机铁电聚合物薄膜叠层结构，形成在所述底层电极上；顶层透明电极，形成在所述功能层上，以近红外光对器件进行激励，利用稀土上转换纳米材料的反斯托克发光能力将近红外光信号转变为可再现的可见光信号，完成近红外波段光信息的采集与信号再现功能，同时利用连续可调的非易失性电阻状态实现近红外信息的处理与记忆，最终实现人工视网膜功能的模拟。
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公开(公告)号：CN115241371A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210930943.9
申请日：2022-08-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种具有选通与多比特存储功能的阵列集成器件及其制备方法。该器件包括：衬底；线状底层电极，形成在衬底上；第一氧化物薄膜层，形成在线状底层电极上；第一掺杂活性金属的氧化物薄膜层，形成在第一氧化物薄膜层上；线状中间层电极，其延伸方向与线状底层电极的延伸方向垂直，形成在第一掺杂活性金属的氧化物薄膜层上；第二氧化物薄膜层，形成在线状中间层电极上；第二掺杂活性金属的氧化物薄膜层，形成在第二氧化物薄膜层上；线状顶层电极，其延伸方向与线状中间层电极的延伸方向垂直，对器件线状顶层电极施加电压时，通过顶层器件的选通作用，实现对直接相连的存储器的激励效果，获得器件的多态存储功能。
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公开(公告)号：CN115207133A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210930942.4
申请日：2022-08-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种全局栅和局域栅协同调控的神经突触器件及其制备方法。该全局栅和局域栅协同调控的神经突触器件，包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上，铺满整个衬底，作为全局栅；背栅介质层，形成在所述背栅电极上；沟道层，其为二维半导体材料，形成在所述背栅介质层上；源电极和漏电极，形成在所述沟道层两侧；顶栅介质层，覆盖上述结构；顶栅电极，形成在所述顶栅介质层上，覆盖部分沟道区，作为局域栅，通过分别仅对局域栅施加正向电压，仅对全局栅施加正向电压，或对局域栅和全局栅共同施加正向电压，使得器件实现不等同权重的神经突触可塑性，获得特异性调制功能，实现多维复杂信息的传输。
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公开(公告)号：CN115172590A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210896104.X
申请日：2022-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种低功耗织物型神经形态器件及其制备方法。该低功耗织物型神经形态器件包括：基底，其为金属织物；有机栅介质层，其为有机绝缘聚合物薄膜，包覆在所述基底上，仅露出基底端部；沟道层，其为有机半导体聚合物薄膜，包覆在所述有机栅介质层上；两组源电极和漏电极，彼此间隔呈半包覆状分布在所述沟道层上，源电极和漏电极的截面为半圆形；利用电学脉冲序列作为信号源向所述基底施加刺激，记录所述源电极和所述漏电极的电导变化，实现一端对两端的神经形态特性的模拟，完成神经计算与存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115084249A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210609915.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/43 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/445 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种柔性二维铁电神经突触晶体管及其制备方法。该柔性二维铁电神经突触晶体管包括：柔性衬底；栅极，其为有机导电聚合物薄膜，形成在所述柔性衬底上；栅介质层，其为有机铁电聚合物薄膜，形成在所述栅极上；沟道，其为二维半导体薄膜，形成在所述栅介质层上；源极和漏极，其为有机导电聚合物薄膜，形成在所述沟道两侧，在不同弯折状态下实现神经突触特性模拟，获得稳定的神经突触短时程可塑性，用于高度耐弯曲的可穿戴神经形态计算电子设备。
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公开(公告)号：CN115078489A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210608899.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种嗅觉与视觉集成的仿生感知器件及其制备方法。该嗅觉与视觉集成的仿生感知器件包括：柔性衬底；MXene纳米片薄膜，形成在所述柔性衬底上；透明电极，其为叉指状，形成在所述MXene纳米片薄膜上，向MXene纳米片薄膜的表面施加光学信号与气体信号的多模式刺激，获得仿生嗅觉与视觉感知功能，以及对感知得到的信息的处理计算和对计算结果的存储功能，实现在同一器件的感存算功能的集成。
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公开(公告)号：CN115020586A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210692659.2
申请日：2022-06-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种量子点增强的柔性低功耗神经突触器件及其制备方法。该量子点增强的柔性低功耗神经突触器件包括：柔性衬底；底电极，形成在所述柔性衬底上；二维半导体量子点层，形成在所述底电极上；有机铁电层，形成在所述二维半导体量子点层上；二维半导体量子点层，形成在所述有机铁电层上；顶电极，形成在所述二维半导体量子点层上；利用电学脉冲作为输入信号源在顶电极施加激励，实现量子点局域电场下调控的有机铁电层极化翻转，获得低功耗的长时程增强和抑制特性。
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公开(公告)号：CN114005935A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111270386.4
申请日：2021-10-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种氧空位与离子异质集成的神经突触忆阻器及其制备方法。该氧空位与离子异质集成的神经突触忆阻器包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；功能层，形成在所述底电极上，由氧化物层和离子凝胶层构成，所述氧化物层用于提供氧空位通道实现稳定的电阻转变行为，所述离子凝胶层用于提供可移动离子模拟生物信息传递；顶电极，形成在所述功能层上。同时具有氧空位型忆阻器的高速、稳定响应与离子型忆阻器的仿生信息传递功能。
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公开(公告)号：CN112331669A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011217519.7
申请日：2020-11-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11568
Abstract: 本发明公开一种基于低温化学气相沉积的柔性二维存储器制备方法。该方法包括以下步骤：在柔性衬底上形成背栅电极；采用低温化学气相沉积方法在所述背栅电极上依次生长阻挡层、电荷俘获层和隧穿层；利用机械剥离法直接将二维材料剥离至所述隧穿层上，作为沟道；在所述沟道两侧淀积金属电极。采用化学气相沉积法在低温下生长隧穿层、俘获层和阻挡层，既提供了电荷俘获型存储器所需的电荷缺陷，同时有效解决了高温工艺与柔性衬底不兼容的问题。另外，采用一步剥离法制备柔性二维器件，避免了在硅基制备器件再进行转移的步骤，可极大简化工艺流程，降低生产成本，同时避免转移过程中引入的器件不稳定、性能衰减等问题。
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