公开(公告)号：CN103578531B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310494138.7

申请日：2013-10-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 温亮 ,  李毅 ,  曾晓洋

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明属于集成电路存储器设计领域，具体为一种负位线电压产生电路。其结构包括一个耦合电容，一个负责将耦合后的电平拉回“0”的下拉管，一个负责对下拉管栅极充电的预充管和一个负责放电的放电管，及两对反相器。其中一个反相器为低偏斜反相器，用于产生瞬间的高电平到低电平的跳变；另一个则为管脚地被下拉管控制的输出反相器，用于数据输出。本发明结构简单，能够有效的产生负位线电压。

公开(公告)号：CN102592258B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201210000855.5

申请日：2012-01-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 韩军 ,  刘俊宝 ,  李毅

IPC: G06T1/20 ,  G06T5/00

Abstract: 本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种适用于指纹图像增强的Gabor滤波硬件加速单元。该加速单元由滤波控制器、输入缓存器、输出缓存器和滤波卷积单元组成。加速单元通过总线与中央处理器和存储器连接，通过总线获得的输入包括滤波前的指纹图像、方向信息、频率信息和有效区域掩膜信息。本发明对输入指纹图像中的每个像素点首先检查其掩膜信息，如果不为零，则利用与该像素点对应的方向和频率信息构造出相应的Gabor滤波器，并用该滤波器对此像素做Gabor滤波，得到滤波后的像素值；如果掩膜信息为零，则该像素点不做滤波。本发明的输出为Gabor滤波后的指纹图像。其中输入输出缓存器的引入使带宽得到有效降低，滤波卷积单元采用流水线设计，有效提高了加速单元的吞吐率。

公开(公告)号：CN103578531A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310494138.7

申请日：2013-10-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 温亮 ,  李毅 ,  曾晓洋

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明属于集成电路存储器设计领域，具体为一种负位线电压产生电路。其结构包括一个耦合电容，一个负责将耦合后的电平拉回“0”的下拉管，一个负责对下拉管栅极充电的预充管和一个负责放电的放电管，及两对反相器。其中一个反相器为低偏斜反相器，用于产生瞬间的高电平到低电平的跳变；另一个则为管脚地被下拉管控制的输出反相器，用于数据输出。本发明结构简单，能够有效的产生负位线电压。

公开(公告)号：CN102385908A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110261855.6

申请日：2011-09-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 虞志益 ,  张星星 ,  李毅 ,  熊保玉 ,  韩军 ,  张跃军 ,  张章 ,  程旭 ,  曾晓洋

IPC: G11C7/18 ,  G11C7/00

Abstract: 本发明属于集成电路存储单元设计技术领域，具体为一种多端口寄存器堆存储单元及其布局布线方法。耦合的反相器采用六管结构，读位线和耦合的反相器之间采用NMOS管隔离，以防止读破坏。内部连线和VSS全部采用金属层1（M1），有效的减小了布线层数。通过写字线使用金属层2（M2），读字线使用金属层4（M4）布线，可以有效减少字线之间的耦合电容，并且减弱了由于字线数目增多造成的单元面积增大。VDD采用M2进行水平方向布线，位线使用金属层3（M3）进行垂直方向布线。