公开(公告)号：CN116247095A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310211026.X

申请日：2023-03-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  黄自强 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明提供了一种基于SiC衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法，该器件结构包括：衬底，包括分别形成于所述衬底第一区域与第二区域的p+掺杂区与n+掺杂区；其中，所述第一区域与第二区域为沿所述衬底表面相对的两侧区域；肖特基势垒二极管，所述p+掺杂区与所述n+掺杂区接触形成PN结以构成所述肖特基势垒二极管；隔离层，形成于所述衬底上，且覆盖所述p+掺杂区与所述n+掺杂区；pGaN增强型HEMT器件，形成于部分所述隔离层上；其中，所述p+掺杂区及所述n+掺杂区分别与阳极及阴极电性连接，且所述阳极与所述pGaN增强型HEMT器件的源极电性连接；所述阴极与所述pGaN增强型HEMT器件的漏极电性连接。

公开(公告)号：CN115714134A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211255562.1

申请日：2022-10-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张鹏浩 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  樊蓉 ,  杨妍楠 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法，在不对p‑GaN进行栅槽刻蚀的情况下即可实现p沟道增强型氮化镓晶体管，避免了栅刻蚀方法导致的沟道迁移率降低以及刻蚀表面形成的高密度陷阱态对p沟道增强型器件产生的负面影响，从而有效提高了增强型p沟道氮化镓晶体管的性能。

公开(公告)号：CN115224186A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210879939.4

申请日：2022-07-25

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 黄自强 ,  王晨 ,  徐敏 ,  徐赛生 ,  张卫

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结制备装置、方法及约瑟夫森结。该装置包括输送单元、第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元，通过第一沉积单元和第二沉积单元制备约瑟夫森结，通过光刻单元和刻蚀单元对约瑟夫森结进行图形化。本发明的约瑟夫森结制备装置通过真空通道对第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元进行连通，通过第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元分别设置于真空通道的不同侧面，通过输送单元对约瑟夫森结在四个加工单元内进行输送，能够极大的降低约瑟夫森结在制备和图形化过程中需要移动的距离，降低传递过程会对器件性能的影响，保证约瑟夫森结薄膜质量的一致性。

公开(公告)号：CN115206804A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210582243.5

申请日：2022-05-26

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 杨静雯 ,  陈鲲 ,  刘桃 ,  汪大伟 ,  孙新 ,  黄自强 ,  潘哲成 ,  徐敏 ,  张卫 ,  吴春蕾 ,  王晨 ,  徐赛生

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种GAA底部介质隔离的制备方法，用于对环栅场效应晶体管的衬底与鳍片之间进行隔离，以此抑制和消除沟道底部的寄生沟道泄漏电流以及寄生电容，该方法包括：S1：提供一衬底，并在衬底上形成鳍片；S2：在所述鳍片上淀积第一掩模层，所述第一掩模层包裹所述鳍片的顶面和侧面；S3：以所述第一掩模层为掩模，对所述衬底进行刻蚀，以在所述鳍片下方的衬底中形成一目标区域；S4：对所述目标区域进行热氧化处理，使得所述目标区域以及目标区域下方的部分衬底形成氧化隔离层。

公开(公告)号：CN113889413B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202111070721.6

申请日：2021-09-13

Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 陈鲲 ,  徐敏 ,  杨静雯 ,  王晨 ,  张卫 ,  徐赛生 ,  吴春蕾

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，环栅器件的源漏制备方法，包括：形成基底上的鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极，所述鳍片包括交替层叠的鳍片沟道层与鳍片牺牲层；所述鳍片沟道层包括处于所述伪栅极内侧的第一沟道层部分，以及未处于所述伪栅极内侧的第二沟道层部分；释放所述鳍片牺牲层；在所述鳍片沿沟道方向的两侧，基于所述第二沟道层部分，分别外延硅，形成硅材料层，并以所述第一沟道层部分作为环栅器件的沟道层；所述硅材料层连接所有沟道层；基于所需的源漏区域，对所述硅材料层进行刻蚀；基于剩余的硅材料层，外延锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。

公开(公告)号：CN113394295A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110650073.5

申请日：2021-06-10

Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 张卫 ,  徐敏 ,  刘桃 ,  汪大伟 ,  王晨 ,  徐赛生 ,  吴春蕾 ,  尹睿

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种用于P型环栅器件的堆叠结构及增强P型环栅器件的沟道应力的方法，通过将堆叠件的牺牲层与沟道层材料的晶格常数设置成牺牲层材料的晶格常数小于沟道层的材料的晶格常数，并且沟道层的材料的晶格常数等于底层结构的材料的晶格常数；以使得初始状态下，沟道层无应变，牺牲层具有初始的张应变；当牺牲层发生弛豫时，沟道层受到牺牲层因弛豫而诱导的压应变，从而巧妙地利用牺牲层来增强P型环栅器件的沟道层应力，从而提高P型环栅器件的空穴迁移率。

公开(公告)号：CN112908853A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110114036.2

申请日：2021-01-27

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 张卫 ,  徐敏 ,  陈鲲 ,  杨静雯 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  吴春蕾 ,  尹睿

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明提供了一种GAA晶体管及其制备方法、电子设备，其中的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括交替层叠的牺牲层与硅层，其中，所述外延层中与所述衬底相接触的一层为底层牺牲层；刻蚀所述衬底与所述外延层，以形成鳍片；刻蚀所述鳍片中剩余的外延层，以在鳍片的第一侧与第二侧刻蚀出源极区域与漏极区域，其中，刻蚀的最终终点低于所述剩余的外延层中底层牺牲层的最高处，且不低于衬底与底层牺牲层的连接处；鳍片的第一侧与第二侧为鳍片一对相对的两侧；在所述源极区域制作源极，在所述漏极区域制作漏极。

公开(公告)号：CN116613061A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310440155.6

申请日：2023-04-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张鹏浩 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  陈鲲 ,  王强 ,  潘茂林 ,  黄海 ,  黄自强 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/51 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供了一种栅介质层的制作方法，栅介质层形成于MIS‑HEMT器件中，包括：提供一MIS‑HEMT器件结构；MIS‑HEMT器件结构的表面包括一栅介质区域；提供第一前驱体与第二前驱体，并在栅介质区域吸附第一前驱体与第二前驱体，以形成第一栅介质层；利用氧气等离子体轰击第一栅介质层，以形成第二栅介质层；第二栅介质层表征了去除第一栅介质层中的第一杂质之后的栅介质层；第一杂质表征了形成第一栅介质层的表面缺陷的杂质；重复前述两个步骤N‑1次，直到生长出第一厚度的第二栅介质层为止；其中，每次生长的第一厚度的第二栅介质层均形成于前一次生长的第一栅介质层的表面；N为大于等于1的正整数。以解决如何减小AlGaN/GaNHEMTs中栅介质层的界面陷阱的问题。

公开(公告)号：CN116504617A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310440157.5

申请日：2023-04-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王强 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  潘茂林 ,  王路宇 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  杨妍楠 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种介质层的制备方法，介质层形成于GaNHEMT功率器件中，包括：提供一待处理样品；待处理样品的表面包括介质生长区域；在介质生长区域生长第一厚度的介质层；利用氩气等离子体轰击介质层的表面；氩气等离子体用于轰击介质层的表面，以破坏介质层中的第一化学键；重复前述两个步骤N‑1次，直到生长出第二厚度的介质层为止；其中，每次生长的第一厚度的介质层均形成于前一次生长的介质层的表面；N为大于等于1的正整数。该技术方案解决了如何实现介质薄膜的低缺陷生长的问题，缓解了GaNHEMT器件电流崩塌现象，一定程度上避免了动态功耗增加，使得器件的输出电流减小、输出功率密度降低等问题，提高了器件的动态性能。

公开(公告)号：CN116314319A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310219230.6

申请日：2023-03-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张鹏浩 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  潘茂林 ,  王强 ,  黄海 ,  黄自强 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种增强型氮化镓功率器件，在p‑GaN层与栅极金属层之间设置栅介质层。由于栅介质层和p‑GaN层所具有的导带差可以提升AlGaN/GaN异质结处的势陷位置，使其进一步远离费米能级，从而可有效提高阈值电压，同时栅介质的引入可改善增强型氮化镓功率器件的栅漏电，解决现有的增强型氮化镓功率器件的栅压摆幅较小的问题。