一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法

    公开(公告)号:CN105789044A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610163339.2

    申请日:2016-03-19

    Applicant: 复旦大学

    CPC classification number: H01L21/3247

    Abstract: 本发明属于微电子器件表面处理技术领域,具体为一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法。本发明利用高功率热源迅速提升样品表面温度,样品另一侧用恒温平台控制在室温;由于样品衬底位导热率极其高的硅片,温度梯度主要集中在几百纳米到几微米的光刻胶内,从而形成一个很大的温度梯度,使只有样品表面很薄的一层超过玻璃化温度,这一部分发生融化、回流现象,减小了粗糙度,而样品整体形貌则并没有发生改变。该方法简便、有效、兼容性好、适用度广,对于在某一特定温度能够熔融的几乎所有材料都有很好的效果。

    利用灰度曝光生成微纳尺寸微型照片的方法

    公开(公告)号:CN105000531A

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201510322327.5

    申请日:2015-06-13

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 陈宜方 徐晨

    Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域,具体为一种利用灰度曝光生成微纳尺寸微型照片的方法。本发明步骤包括:首先利用Beamer软件形成曝光文件,而后在硅片表面旋涂上一层光刻胶,利用电子束光刻,经过显影后得到微纳尺寸的微型照片。本发明利用电子束光刻曝光光刻胶,显影后不同厚度光刻胶具有不同的黑白灰度,从而生成微纳尺寸的微型照片。本发明方法对微纳图形结构的形貌可控,生成的微型照片具有纳米级别的分辨率,并可实现大面积制造。

    一种石蜡组织芯片取样方法

    公开(公告)号:CN101666718A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:CN200910196161.1

    申请日:2009-09-23

    Abstract: 本发明提供了一种石蜡组织芯片取样方法,其特征在于,具体步骤为:第一步:将废弃的石蜡组织切片刀的刀口用砂轮打磨掉,在刀身中部两侧制作对称的凹槽,将刀身的一端打磨出方形刀口,所述方形刀口深6mm,宽a为0.5-10mm;第二步:在石蜡组织标记目的区域,沿标记线垂直向下切得到所需组织。本发明具有廉价、方便、快速、取材多样、节约组织量、随时收集随时取样的优点。

    无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法

    公开(公告)号:CN109243662B

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201811075983.X

    申请日:2018-09-14

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于电感耦合等离子体刻蚀技术领域,具体为一种无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法。其步骤包括:在Si衬底上旋涂HSQ光刻胶,利用电子束光刻的方法在光刻胶上形成波带片透镜的设计图形作为波带片硅模板的刻蚀掩蔽层,然后在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀形成大高宽比的波带片硅模板,并结合金电镀的工艺在硅模板上电镀具有一定厚度的金,最后去除残余光刻胶掩膜以及去除衬底硅和Au波带片中残余的硅结构,从而得到应用于硬X射线成像领域的大高宽比的悬空金波带片。本发明方法可控性好、工艺稳定,并适用于大高宽比的金属结构的制备。

    一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法

    公开(公告)号:CN104483814B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201410722282.6

    申请日:2014-12-03

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于光刻技术领域,具体为一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法。本发明利用光子在介质微球里发生的纳米喷射过程所造成的聚焦效应进行超分辨纳米光刻,其步骤包括:在硅片表面旋涂一层光刻胶,利用电子束光刻,经过显影之后形成半圆槽阵列,随后用浇注材料浇注形成光刻掩膜版;再在另一块硅片表面旋涂另一种光刻胶,将浇注形成的半圆槽阵列光刻掩膜版盖在光刻胶表面,通过光学光刻,显影之后形成光刻胶上的纳米级线条。本发明方法可实现超衍射极限的光学光刻能力;可进行跨尺度多尺度的复杂纳米图形制作;得到的纳米图形结构形貌可控;可实现高效、大面积制造;与现有半导体基础工艺直接相兼容。

    一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的仪器

    公开(公告)号:CN105632981A

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201610163375.9

    申请日:2016-03-19

    Applicant: 复旦大学

    CPC classification number: H01L21/67115

    Abstract: 本发明属于微电子器件表面处理技术领域,具体为一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的仪器。本发明仪器的核心为两部分:高功率的热源和恒温平台。高功率热源将样品表面温度迅速提升,另一侧被恒温平台控制在室温,由于样品衬底位导热率极其高的硅片,温度梯度主要集中在几百纳米到几微米的光刻胶内,从而形成一个很大的温度梯度,使只有样品表面很薄的一层超过玻璃化温度,这一部分发生融化、回流现象,减小了粗糙度,而样品整体形貌则并没有发生改变。该仪器简便、有效,兼容性好,适用度广,对于在某一特定温度能够熔融的几乎所有材料都有很好的效果。

    一种石蜡组织芯片聚合方法及聚合装置

    公开(公告)号:CN102507276A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201110297547.9

    申请日:2011-09-27

    Abstract: 本发明提供了一种石蜡组织芯片聚合方法及聚合装置,所述的石蜡组织芯片聚合装置,其特征在于,包括恒温电热板,所述的恒温电热板上开有至少一个凹槽,所述的凹槽中设有芯片聚合锅。本发明的优点是:组织芯片的组织面与芯片聚合锅底部紧密贴合,可防止组织芯片的石蜡融化后沿缝隙溢出;聚合组织芯片时,芯片聚合锅与恒温电热板表面的凹槽嵌合,可防止组织芯片移动;芯片聚合锅口大底小的设计,可防止阻碍视线,便于观察组织芯片的聚合程度;组织芯片聚合好之后,组织芯片的组织面不会与电热板表面粘连,将芯片聚合锅连同组织芯片取下即可,本发明的聚合方法,步骤简单、快速、产量高、方便快捷。

    一种简易石蜡组织芯片接种方法

    公开(公告)号:CN102435725A

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201110254937.8

    申请日:2011-08-31

    Abstract: 本发明提供了一种简易石蜡组织芯片接种方法,其特征在于,包括:在病理组织蜡块上取样;将蜡加热直至融化状态,将蜡模制备框放在塑料蜡模板上,将蜡倒入蜡模制备框中聚合,冷却,撤下塑料蜡模板;将所得的蜡模连同蜡模制备框放置于孵箱中,使蜡模变软后取出,在蜡模的接种范围内钻孔,将芯片组织种入蜡模相应的孔中;将所得的蜡模的接种面放在平板烫台上,待蜡融化后,停止加热,自然冷却;再次将平板烫台升温,取下蜡模和蜡模制备框;将蜡模和蜡模制备框置入冰箱,取出后,将蜡模与蜡模制备框分离,将所得的蜡模切片后,即得石蜡组织芯片。本发明具有廉价、方便、简洁、快速、产量高、取材多样的优点,能普及至每一个病理科及相关研究单位。

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