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公开(公告)号：CN101159284B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710045938.5
申请日：2007-09-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的WOx电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔洞中的钨栓塞氧化形成的WOx存储介质，以自对准方式形成金属上电极于所述的WOx存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，减少工艺复杂度，可提高存储性能的可靠性和降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN101159284A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710045938.5
申请日：2007-09-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的WOx电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔洞中的钨栓塞氧化形成的WOx存储介质，以自对准方式形成金属上电极于所述的WOx存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，减少工艺复杂度，可提高存储性能的可靠性和降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN102169956A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113771.3
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电阻型存储器技术领域，具体为一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法。本发明的制备方法中以在钨金属层上直接形成厚度小于或等于10纳米的硅层、然后对所述钨金属层和硅层同时一起氧化处理形成氧化钨基存储介质层，从使其氧化钨基电阻型存储器的制备具有工艺简单、制备成本低的特点，同时其制备的氧化钨基电阻型存储器成品率高、功耗低，抗读干扰性能和高疲劳特性均得以提高。
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