公开(公告)号：CN104025298B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201280061138.1

申请日：2012-08-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  T·N·亚当 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

Abstract: 通过在替换栅极HK/MG(80,85)流程中经由ETSOI(20)层和BOX(15)层进行蚀刻来在晶体管和电容器区域中分别形成ETSOI晶体管以及电容器、结合二极管、背端接触部和电阻器的组合。电容器和其它器件的形成与ETSOI替换栅极CMOS流程兼容。低电阻的电容器电极使得可以获得高质量的电容器和器件。通过光刻与伴随有的适当蚀刻相结合来实现在伪栅极(27)图案化期间不存在形貌。

公开(公告)号：CN106024887A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610176485.9

申请日：2016-03-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·巴拉克里施南 ,  程慷果 ,  P·哈舍米 ,  A·雷兹奈斯克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请的各实施例涉及半导体器件及其形成方法。本发明的实施例包括一种用于制作纳米带晶体管器件的方法和所得结构。提供了一种纳米带晶体管器件，该纳米带晶体管器件包括衬底、纳米带沟道、在纳米带沟道的中心中的芯区域、在纳米带沟道周围形成的栅极、在栅极的每个侧壁上形成的间隔物以及与每个间隔物相邻外延地形成的源极和漏极区域。有选择地蚀刻在纳米带沟道的中心中的芯区域。在纳米带沟道的暴露的部分上沉积电介质材料。在纳米带沟道的芯内的电介质材料上和与纳米带晶体管器件相邻地在衬底上形成反向偏置控制区域。在反向偏置控制区域中形成金属触点。

公开(公告)号：CN103227104B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310022134.9

申请日：2013-01-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·N·亚当 ,  程慷果 ,  何虹 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  李金红 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0245 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明的一些实施例涉及改进的硅碳膜结构和方法。公开了一种改进的硅碳膜结构。该膜结构包括硅碳和硅的多个层。该多个层形成具有增加的代位碳含量的应力膜结构，并且用于诱发改善特定类型的场效应晶体管的载流子迁移率的应力。

公开(公告)号：CN102598214B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201080050411.1

申请日：2010-10-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·多里斯 ,  Y·张 ,  程慷果 ,  S·霍姆斯 ,  X·华

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

Abstract: 一种用于制造集成电路的特征的方法，其包括图案化心轴层以包括在集成电路器件的表面上的具有至少一个宽度的结构。使所述结构的暴露侧壁反应，以在所述侧壁中一体形成新化合物，以便所述新化合物以受控制的量延伸到所述暴露侧壁中而形成柱体。使用所述柱体作为蚀刻掩模蚀刻在所述柱体之下的一个或多个层，以形成用于集成电路器件的特征。

公开(公告)号：CN104517859A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410524980.5

申请日：2014-10-08

Applicant: 格罗方德半导体公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  蔡秀雨 ,  程慷果 ,  A·卡基菲鲁兹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L21/28 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明涉及利用替代栅极技术形成鳍式场效晶体管的方法和器件，揭露一种方法包括，除此之外，形成一凸起的隔离柱结构在第一和第二鳍片之间，其中该凸起的隔离柱结构部分分别地定义出第一和第二空间在第一和第二鳍片之间，并形成一栅极结构在该第一和第二鳍片和该凸起的隔离柱结构的周围，其中该栅极结构的至少一部份位于该第一和第二空间中。一示例性器件包括，除此之外，第一和第二鳍片，一凸起的隔离柱结构位于该第一和第二鳍片之间，第一和第二空间由该鳍片和该凸起的隔离柱结构所定义出，且一栅极结构位于该鳍片和该隔离柱结构的部分的周围。

公开(公告)号：CN102640273B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201080054317.3

申请日：2010-10-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： Y·张 ,  程慷果 ,  B·多里斯

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L21/26586

Abstract: 一种用于制造集成电路的特征的方法包括：在半导体器件的表面上构图第一半导体结构，以及在所述第一半导体结构的相对侧上外延生长半导体材料以形成鳍片。将第一倾斜离子注入施加于所述第一半导体结构的一侧以掺杂所述一侧上的各鳍片。选择性地去除所述第一半导体结构以暴露所述鳍片。使用所述鳍片形成鳍片场效晶体管。

公开(公告)号：CN104246994A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380020206.4

申请日：2013-04-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·N·亚当 ,  程慷果 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/20 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件包含衬底表面上的至少两个鳍结构和存在于所述至少两个鳍结构上的功能栅极结构。功能栅极结构包含至少与两个鳍结构的侧壁直接接触的至少一个栅极电介质和所述至少一个栅极电介质上的至少一个栅极导体。栅极结构的侧壁与衬底表面的上表面基本上垂直，其中，由栅极结构的侧壁限定的平面和由衬底表面的上表面限定的平面以90°±5°的角度相交。外延半导体材料与所述至少两个鳍结构直接接触。

公开(公告)号：CN104115276A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201380009541.4

申请日：2013-02-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·克哈奇费罗兹 ,  T·N·亚当 ,  程慷果 ,  A·里兹尼塞克

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66628

Abstract: 提供了一种场效应晶体管和制造方法。所述场效应晶体管包括设置在硅基板上的多个细长的单轴应变的SiGe区，这些SiGe区定向为使得它们平行于电载流子在沟道中的流动方向。所述细长的单轴应变的SiGe区定向为垂直于晶体管栅极并且横跨晶体管栅极。

公开(公告)号：CN103972067A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410044030.2

申请日：2014-01-30

Applicant: 格罗方德半导体公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  蔡秀雨 ,  程慷果 ,  A·卡基菲鲁兹

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

Abstract: 一种具有取代栅极结构的集成电路及其制造方法，制造集成电路的方法包括形成层间介电(ILD)层于虚拟栅极堆栈上方。虚拟栅极堆栈包括形成于半导体基底上方的虚拟栅极结构、硬掩模层、以及侧壁分隔物。本方法再包括移除虚拟栅极堆栈至少一上方部分以在ILD层内形成第一开口、通过完全移除虚拟栅极堆栈的虚拟栅极结构扩展第一开口以形成第一扩展开口、以及在第一开口内和第一扩展开口内沉积至少一功函数材料层。还有，本方法包括移除第一开口内的部分功函数材料并且在功函数材料的残余部位上方沉积低电阻材料，借以形成包括有功函数材料残余部位和低电阻材料的取代金属栅极结构。

公开(公告)号：CN102473699B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201080034271.9

申请日：2010-08-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·A·布斯 ,  程慷果 ,  C·科塔达拉曼

IPC: H01L23/62 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/5252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种方法形成反熔丝结构，其包括设置在衬底上的多个平行的导电鳍片，每个鳍片具有第一端和第二端。第二导体电连接至所述鳍片的第二端。绝缘体覆盖所述鳍片的第一端，以及第一导体设置在所述绝缘体上。所述第一导体与所述鳍片的所述第一端通过所述绝缘体绝缘。所述绝缘体被形成到当在所述第二导体和所述第一导体之间施加预定的电压时足以击穿的厚度，且由此在所述第二导体和第一导体之间通过所述鳍片形成未被阻断的电连接。