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公开(公告)号：CN112175205A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910585260.2
申请日：2019-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08J3/075 , C08F251/00 , C08F220/56 , C08F222/38 , C08K7/18 , B33Y70/10 , B33Y10/00
Abstract: 一种磁性水凝胶及其制备方法和3D打印方法，属于生物药物输送技术领域。本发明将磁性水凝胶图形化。磁性凝胶主要是由丙烯酰胺(AAm)、海藻酸钠和羧基磁珠通过共混法制得的，是按下述步骤进行的：一、向蒸馏水中，依次加入交联剂、热引发剂、丙烯酰胺、海藻酸钠和硫酸钙，在室温下搅拌，滤网过滤，真空条件下静置，得到水凝胶前体；二、然后加入羧基磁珠分散液，搅拌，加入四甲基乙二胺溶液，置于模具中，密封，加热。本发明可应用于生物医疗及药物释放领域。
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公开(公告)号：CN111753457A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010626166.X
申请日：2020-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F113/08
Abstract: 本发明是一种基于摩擦型自供电可穿戴设备的有限元分析方法。本发明属于摩擦型自供电可穿戴设备的有限元分析技术领域，本发明基于摩擦型自供电可穿戴设备，添加物理场；建立摩擦型自供电可穿戴设备的二维模型，并添加材料和设置边界条件；基于所述二维模型，进行网格单元设置；设置求解条件，并开始模拟计算，进行有限元后处理分析。本发明提供一种新型的基于固液双相TENG的有限元方案，在摩擦层相接触的基础上考虑了液态摩擦层的晃动过程，为固液双相TENG有限元分析提供了新思路。
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公开(公告)号：CN109545476A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811391111.4
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了原子沉积氧化锌提升银纳米线电极稳定性的方法；属于透明电极领域。本发明要解决通过原子沉积TiO2来提升银纳米线电极稳定性存在成本较高，稳定性提升效果较差，化学反应较为迟缓的技术问题。本发明的方法：一、将银纳米线分散于无水乙醇中，得到银纳米线墨水；二、在PET基底上均匀涂布银纳米线墨水得到墨水薄层，红外线灯加热直至溶剂挥发完全；三、然后低温热处理；四、以二乙基锌(DMZ)和过氧化氢为前驱体，将氩气作为吹扫气流，对经步骤三处理后的基底进行原子层沉积ZnO，即完成。本发明方法电极稳定性明显提升，化学反应灵敏，并且成本相对更为低廉。
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公开(公告)号：CN109267016A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811384942.9
申请日：2018-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了脉冲激光沉积MoS2薄膜的方法，属于MoS2薄膜的制备领域。本发明要解决现有方法制备MoS2薄膜存在尺寸较小、产量较低、缺陷较多技术问题。本发明方法如下：一、硅片表面处理；二、将MoS2靶材安装于真空室中，再将步骤一处理后的硅片放置在样品台上，调节靶基距，光路准直；三、首先开启冷却水，抽真空至真空室内气压小于5*10-5Pa，然后将真空室内温度加热至450～550℃；四、开启并预热激光器，通过激光将靶材上的MoS2沉积至硅片上，沉积完毕后关闭激光，并将真空室内温度降低至室温，停止抽真空，关闭冷却水，取出，退火，硅片上沉积有MoS2。本发明应用于光电子器件领域。
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公开(公告)号：CN115477303B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110667396.5
申请日：2021-06-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/90
Abstract: 本发明公开了一种制备薄层分散二维MXenes材料的方法，属于层状材料制备技术领域。本发明解决了现有手风琴状MXenes内部的层片交联问题。本发明首先采用氢氟酸对前驱体MAX进行第一次刻蚀，去除MAX中的绝大部分M‑A金属键，获得了较为完整的经典手风琴状，然后采用刻蚀液对手风琴状Mxenes进行二次刻蚀，使刻蚀液中HF继续与手风琴状MXenes中残留的M‑A键发生反应，经过二次刻蚀后的手风琴状MXenes层片交联程度大大下降，厚度更薄，层间距更大，并且保证了结构的完整性，经过插层处理后的MXenes在短时间的超声震荡作用下从手风琴状结构上脱落，获得独立分散的薄层Mxenes纳米片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117464243A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311562422.3
申请日：2023-11-22
Applicant: 亿铖达科技(江西)有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/40 , B23K35/26 , B23K1/008 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开了一种适用于高密度封装SnBiInTe合金焊料及其制备方法和应用，属于低温钎料及其制备技术领域。本发明解决了现有Sn‑Bi共晶钎料存在的拉伸伸长率较低，塑性差的不足。本发明通过在Sn‑Bi钎料中添加质量分数为2.5％的In元素，有效提高钎料的机械性能，使钎料的抗拉强度和接头的抗剪强度都得到提升，拓宽了Sn‑Bi钎料在电子封装领域的适用范围。同时，在钎料中添加质量分数为1％～3％的Te元素，通过固溶强化与第二相强化机理有效提高了钎料的机械性能，大幅提高了焊接接头的可靠性。
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公开(公告)号：CN113172291B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110384732.5
申请日：2021-04-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00
Abstract: 一种PoP封装过程中低温高强连接焊点的制备方法。本发明属于层叠封装技术领域。本发明是为了解决现有对焊盘进行表面处理的方法对连接后的焊点性能提升较小的技术问题。本发明的方法：步骤1：将SAC305焊料和Sn‑58Bi焊料按不同配比混装在焊盘表面；步骤2：对步骤1的体系进行熔化焊以实现复合焊点与焊盘的连接，得到PoP封装过程中低温高强连接焊点。本发明通过严格控制两种焊料的配比，同时配合本发明的熔化焊工艺参数，使得焊盘上复合焊点的剪切强度高达75.1MPa，远高于ENIG和OSP表面焊盘连接强度。
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公开(公告)号：CN112216751A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910624743.9
申请日：2019-07-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/072 , H01L31/109 , H01L31/18 , C23C16/30
Abstract: 本发明公开了GaSe/MoS2异质结的制备方法，属于光电器件的技术领域。本发明要解决现有制备GaSe/MoS2异质结存在MoS2纳米片形状不规则而且层数不可控、难以精确控制的技术问题。本发明采用化学气相沉积法得到单层MoS2，然后采用PDMS作为转移的媒介利用转移平台将机械剥离的GaSe与MoS2结合获得GaSe/MoS2异质结。本发明制备的GaSe/MoS2异质结是具有很好的光电性能，是许多光电器件的核心组件，比如紫外光电探测器等。
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公开(公告)号：CN111843087A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010647937.3
申请日：2020-07-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种抑制高氮钢中高温氮析出的真空钎焊工艺方法。本发明属于高氮奥氏体不锈钢钎焊领域。本发明为解决传统的熔化焊因为母材接头附近的熔化，导致本是过饱和固溶在奥氏体中的氮元素以氮气的形式析出，从而使焊缝中形成气孔、以及降低接头处的耐腐蚀性等综合性能的技术问题。方法：一、切割试件；二、表面预处理；三、钎料配制；四、钎焊：将待焊试件和钎料糊装配好，先在400～500℃下保温8min～12min，再在740～760℃下保温8min～12min，然后进行真空钎焊，焊接温度为850～1050℃，保温为5min～20min。本发明对高氮奥氏体不锈钢进行钎焊工艺探索与性能分析，从而避免了熔焊时的氮元素的析出问题。在本发明的钎焊温度下进行真空钎焊接头界面形貌良好。接头剪切强度较高，最高强度可达228.6MPa。
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公开(公告)号：CN111755077A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010648628.8
申请日：2020-07-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高氮钢高温钎焊过程中Fe-Cu、Fe-Ni二元体系分子动力学扩散模拟方法。本发明属于高氮奥氏体不锈钢钎焊领域。本发明为了在原子尺度上探索高氮钢钎焊过程中钎料中的基体元素Cu、Ni与母材基体元素Fe的扩散机制，从而研究钎焊工艺对高氮钢性能的影响。该方法具体为：一：采用Lammps软件建立扩散体系模型；二：使体系弛豫，施加原子间作用力和周期性边界条件，使体系中原子扩散至达到热力学平衡状态；三：分析与评估二元体系中原子的扩散过程与扩散能力。本发明采用分子动力学的方法，在原子尺度上探索钎焊过程中钎料中的元素与母材基体元素的扩散机制。对原子势能进行分析，并计算均方位移MSD、扩散系数等，进而比较Fe-Cu、Fe-Ni中元素的扩散能力。
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