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公开(公告)号:CN116589278A
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN202310420473.6
申请日:2023-04-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622 , C04B41/88 , A61B8/00
Abstract: 一种兼具高机电性能及温度稳定性的钽镍酸铅‑锆钛酸铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于压电陶瓷领域。本发明为解决现有彩超探头应用中陶瓷高机电性能与温度稳定性难以兼得的问题。本发明陶瓷化学式为:0.24Pb(Ni1/3Ta2/3)O3‑0.33PbZrO3‑0.43PbTiO3。本发明陶瓷以 取向的钛酸钡模板通过流延法制备获得。所得陶瓷综合性能最好,此时陶瓷压电系数d33高达724pC/N,居里温度TC为188℃,在25‑75℃温度范围内性能变化低于5%,同时机电耦合系数kt,可达0.57,与压电单晶相近。钽镍酸铅的引入,解决了当前高锆酸铅含量(>30%)陶瓷中模板固溶现象严重的问题。
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公开(公告)号:CN109553415A
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201910068506.9
申请日:2019-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法,涉及微电子器件制冷领域。本发明是为了解决现有缺少采用非取向薄膜形式对集成电路进行制冷的方法的问题。将乙酸铅溶于冰乙酸溶液中并加热去除水分得溶液A,将正丙醇锆和钛酸四丁酯溶于乙二醇单甲醚中得到溶液B;将A和B混合形成絮状不溶物,溶解不溶物,再加热得到PbZrxTi1-xO3溶胶溶液,作为溶液C;将纳米二氧化硅颗粒的乙醇溶液和溶液C混合得到溶液D;将C或D涂覆在FTO基片上形成湿膜,经过烘烤形成干膜,干膜退火处理形成一层薄膜;重复镀膜,获得具有厚度的薄膜;用磁控溅射方法在薄膜上表面生长铂金电极,制备锆钛酸铅非取向薄膜。它用于制备高电热效应的薄膜。
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