公开(公告)号：CN109166793A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201811005392.5

申请日：2018-08-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  许继开 ,  方慧 ,  周诗承 ,  田艳红

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/268

Abstract: 一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，属于晶圆键合技术领域。所述方法如下：将待键合的铌酸锂晶片和硅晶片置于真空紫外光光源下，在20~80%的湿度条件下活化；将真空紫外光活化后的晶片置于N2等离子体下，在10~80 Pa的压强下活化；将经两步活化后的晶片在室温下相互贴合，并将贴合后的晶片置于大气环境下存储；将存储后的晶片置于100~180°C的温度条件下保温，即完成铌酸锂和硅的直接键合。本发明的优点是：无需化学试剂对待键合晶片表面进行清洗，键合工艺简单，键合流程少；在低温下即可实现二者之间稳定可靠的高强度的直接键合，避免因二者之间巨大的热膨胀系数差异而使得键合界面开裂以及键合材料断裂现象的发生。

公开(公告)号：CN110433804B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201910750842.1

申请日：2019-08-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  方慧 ,  厉道远 ,  黄博妍 ,  周诗承 ,  田艳红

IPC: B01J23/68 ,  B01J35/10 ,  B01D53/86 ,  B01D53/72

Abstract: 本发明公开了一种基于静电纺丝制备掺杂氧化银的氧化锰纳米线网络的方法及其在催化分解甲醛中的应用，所述方法包括如下步骤：步骤一：将Mn(CH3COO)2溶液加入室温状态的PVA溶液中，在室温下磁力搅拌，得到静电纺丝前驱体溶液；步骤二：利用静电纺丝前驱体溶液通过注射泵推动注射器活塞，进行静电纺丝；步骤三：将纺成样品先置于高温空气中进行高温煅烧，再采用KMnO4溶液浸泡法浸泡所得的纳米线网络；步骤四：将银纳米线分散液滴在纳米线网络上，随后进行烘干，利用氧等离子体处理滴加银纳米线后的样品，进而实现氧化银纳米线的掺杂。本发明所需设备简单，连接过程安全便捷，制备周期短，实现了氧化银的掺杂，提高了催化效果。

公开(公告)号：CN113314451A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110645471.8

申请日：2021-06-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  戚晓芸 ,  闫寒 ,  周诗承 ,  陈航 ,  康秋实 ,  田艳红

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明提供了一种基于莫尔条纹的晶圆键合对准系统及方法，该系统包括：光路装置、数据处理装置和控制装置；光路装置包括光源组件、上光路组件和下光路组件；上光路组件和下光路组件均包括反光镜、透射式光栅、透镜和光电接收器；上光路组件用于和下晶圆构建上光路以获取第一莫尔条纹；下光路组件用于和上晶圆构建下光路以获取第二莫尔条纹；光电接收器用于将光信号转换为电信号；数据处理装置用于确定下晶圆的位置和上晶圆的位置；控制装置对上晶圆和下晶圆的位置进行调整以对准上晶圆和下晶圆。本发明通过莫尔条纹的放大作用来提升晶圆键合对准精度，还可分辨晶圆间的旋转错位，也不要求晶圆材料透明，可实现全材料晶圆的纳米级高精度对准。

公开(公告)号：CN110047765B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201910346433.5

申请日：2019-04-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  王特 ,  方慧 ,  周诗承 ,  牛帆帆 ,  杭春进 ,  田艳红

IPC: H01L21/60 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种银纳米焊膏低温无压烧结方法，上述方法按照以下步骤实现银纳米焊膏的低温无压烧结：用等离子体设备对银纳米焊膏进行氧等离子体表面活化→采用甲醛蒸汽处理装置对表面活化过的银纳米焊膏进行处理→将芯片放于银纳米焊膏之上→低温无压烧结。本发明在烧结前利用氧等离子体表面活化和甲醛蒸汽处理的两步预处理方法去除银纳米焊膏中的多余有机物，相比于不处理的焊膏可以实现低温无压烧结，能够防止芯片受损。

公开(公告)号：CN107068598A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710309002.2

申请日：2017-05-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  许继开 ,  刘艳南 ,  田艳红 ,  冯智健 ,  周诗承 ,  李思 ,  马竟轩

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/67115

Abstract: 一种利用真空紫外光清洗及活化材料表面的装置，属于半导体制造加工领域。密封箱体的右侧壁上安装有气阀一、气阀二及气阀三，密封箱体的前侧壁上位于左侧设有样品取送窗口一，位于右侧设有样品取送窗口二，样品取送窗口一处密封安装有样品取送窗门一，样品取送窗口二处密封安装有样品取送窗门二，真空紫外灯水平设置并通过灯架安装在密闭箱体内顶部，真空紫外灯下方设置有工作台，气阀一经纯净气体流量控制器与储气瓶的出口连通，气阀二经水蒸气流量控制器与水蒸气发生装置的烧瓶连通，气阀三与密闭加热器的进气口连通，密闭加热器的出气口与真空泵连通。本发明对材料表面清洗及活化的操作流程简单易行，效果显著，并且可用于批量处理。