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公开(公告)号：CN100437922C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200380102751.4
申请日：2003-11-07
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/36
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D7/36 , C11D11/0047 , H01L21/02068
Abstract: 本发明提供一种也可具有金属布线的半导体基板用洗涤液及使用它的洗涤方法，其含有用下述通式(1)表示的螯合剂或其盐、碱性化合物及纯水的各成分，而且pH是8～13，(式中，Y1及Y2表示低级亚烷基、n表示0～4的整数，R1～R4和n个R5中的至少4个表示具有膦酸基的烷基的同时，其余的表示烷基。)。即使在使用碱性抛光剂或蚀刻液的工序后使用，也不会产生基板表面的粒子凝胶化而难以除去，或者半导体基板表面容易粗面等问题，可以有效地除去半导体基板表面上的微粒子和来自各种金属的杂质。
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公开(公告)号：CN1875090A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480031760.3
申请日：2004-10-13
Applicant: 和光纯药工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D7/261 , C11D7/262 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/3245 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G5/02 , C23G5/032
Abstract: 本发明提供了基板用清洗剂以及清洗方法，采用该基板用清洗剂以及清洗方法时，可以有效地除去存在于基板表面的微细粒子(颗粒)或来自各种金属的杂质(金属杂质)，而不会引起基板、特别是半导体基板的表面粗糙，此外，也不会引起铺设于基板表面的金属配线、特别是铜配线的腐蚀或氧化，并且可以同时除去存在于基板表面的碳缺陷，而不会除去防金属腐蚀剂－Cu涂层、特别是Cu－BTA涂层。本发明所提供的基板用清洗剂含有[I]具有至少1个羧基的有机酸或/和[II]络合剂，还含有[III]有机溶剂，所述有机溶剂选自由(1)一元醇类、(2)烷氧基醇类、(3)二元醇类、(4)二元醇醚类、(5)酮类和(6)腈类组成的组。本发明所提供的基板表面的清洗方法的特征在于，其采用上述清洗剂对基板表面进行处理。
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公开(公告)号：CN1267972C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN01806955.X
申请日：2001-03-19
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3272 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/20 , H01L21/76877
Abstract: 本发明涉及含有在分子中具有带有非共享电子对氮原子的化合物形成的，用于表面上施加了铜布线的半导体表面的洗涤剂，以及半导体表面的洗涤方法，其特征在于用该洗涤剂处理表面上施加了铜布线的半导体表面。本发明所涉及的洗涤剂，在表面施加了Cu布线的半导体中，不腐蚀Cu布线(Cu薄膜)，层间绝缘膜SiO2，而且不损坏表面的平坦度，能够有效地除去在Cu-CMP工序附着的半导体表面的CuO和颗粒。
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公开(公告)号：CN1711627A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380102751.4
申请日：2003-11-07
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/36
CPC classification number: H01L21/02052 , C11D7/36 , C11D11/0047 , H01L21/02068
Abstract: 本发明提供一种也可具有金属布线的半导体基板用洗涤液及使用它的洗涤方法，其含有用下述通式(1)表示的螯合剂或其盐、碱性化合物及纯水的各成分，而且pH是8～13，(式中，Y1及Y2表示低级亚烷基、n表示0～4的整数，R1～R4和n个R5中的至少4个表示具有膦酸基的烷基的同时，其余的表示烷基。)。即使在使用碱性抛光剂或蚀刻液的工序后使用，也不会产生基板表面的粒子凝胶化而难以除去，或者半导体基板表面容易粗面等问题，可以有效地除去半导体基板表面上的微粒子和来自各种金属的杂质。
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