公开(公告)号：CN109585413A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810614521.4

申请日：2018-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林威呈 ,  庄正吉 ,  陈志良 ,  杨超源 ,  杨惠婷 ,  赖韦安

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例是有关于一种半导体结构及其形成方法及标准单元结构，尤其是有关于形成通孔轨和深通孔结构以减少标准单元结构中的寄生电容。通孔轨结构形成在与导线不同的级中。通孔轨结构可以减少导线数量和在相同互连级上的导线之间提供较大的间距，从而减少导线之间的寄生电容。

公开(公告)号：CN110795906B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201910651401.6

申请日：2019-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林威呈 ,  杨惠婷 ,  曾健庭 ,  袁立本 ,  赖韦安

IPC: G06F30/392

公开(公告)号：CN114927519A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202110895103.9

申请日：2021-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦安 ,  彭士玮 ,  林威呈 ,  曾健庭

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开用于产生高密度布线电路的物理布局的装置及方法。示例性半导体结构包括：栅极结构；多条第一金属线，形成在位于栅极结构下方的第一介电层中；至少一个第一通孔，形成在位于栅极结构与第一介电层之间的第二介电层中；多条第二金属线，形成在位于栅极结构之上的第三介电层中；以及至少一个第二通孔，形成在位于栅极结构与第三介电层之间的第四介电层中。至少一个第一通孔中的每一者电连接到栅极结构及多条第一金属线中的对应的一条第一金属线。至少一个第二通孔中的每一者电连接到栅极结构及多条第二金属线中的对应的一条第二金属线。

公开(公告)号：CN113594159A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110481319.0

申请日：2021-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱德馨 ,  林威呈 ,  赖韦安 ,  曾健庭

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 集成电路包括在衬底的背侧上的一电源轨组，第一触发器，第二触发器和第三触发器。该电源轨组在第一方向上延伸，第一触发器包括在第一方向上延伸的第一导电结构组。第二触发器在第一边界处邻接第一触发器。并且包括在第一方向上延伸的第二导电结构组。第三触发器在第二边界处邻接第二触发器。并且包括在第一方向上延伸的第三导电结构组，第一，第二和第三触发器在第一金属层上并且在衬底的与背侧相对的前侧上。第二导电结构组在第二方向上偏离第一边界和第二边界。本发明的实施例还涉及集成电路及其形成方法。

公开(公告)号：CN113394217A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202011329366.5

申请日：2020-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦安 ,  彭士玮 ,  林威呈 ,  曾健庭

IPC: H01L27/092

Abstract: 一种集成电路，包括半导体基板、半导体上的晶体管、在第一金属层中于第一方向上延伸的水平布线轨迹及在背面金属层中于第一方向上延伸的一个或多个背面布线轨迹。每个晶体管具有栅极端子、源极端子及漏极端子。第一晶体管具有第一端子、第二端子及第三端子。水平布线轨迹的第一水平布线轨迹经由通孔连接器导电地连接至第一晶体管的第一端子。第一背面布线轨迹经由背面通孔连接器导电地连接至第一晶体管的第二端子。背面金属层及第一金属层形成于半导体基板的相对侧。

公开(公告)号：CN110970416A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910916832.0

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦安 ,  曾健庭 ,  林威呈

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/535 ,  H01L23/48

Abstract: 集成电路结构包括具有前侧及后侧的基板，后侧为基板上与前侧相对的一侧。第一动力轨道在第一方向上延伸，嵌入基板的前侧中，并且提供第一供应电压。第二动力轨道提供与第一供应电压不同的第二供应电压，在第一方向上延伸，嵌入基板的前侧中，并且在与第一方向不同的第二方向上与第一动力轨道分离。将第一元件安置在第一动力轨道与第二动力轨道之间且位于基板的前侧上。第一通孔结构延伸至基板的后侧且电耦接至第二动力轨道。

公开(公告)号：CN109585413B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201810614521.4

申请日：2018-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林威呈 ,  庄正吉 ,  陈志良 ,  杨超源 ,  杨惠婷 ,  赖韦安

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例是有关于一种半导体结构及其形成方法及标准单元结构，尤其是有关于形成通孔轨和深通孔结构以减少标准单元结构中的寄生电容。通孔轨结构形成在与导线不同的级中。通孔轨结构可以减少导线数量和在相同互连级上的导线之间提供较大的间距，从而减少导线之间的寄生电容。

公开(公告)号：CN114944386A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202110823776.3

申请日：2021-07-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭士玮 ,  曾健庭 ,  萧锦涛 ,  林威呈 ,  赖韦安

IPC: H01L27/06 ,  G06F30/392

Abstract: 一种单片三维集成电路装置及其设计布局的创建方法与系统，单片三维集成电路装置包括具有下层单元的下层及配置在下层上方的上层。上层具有通过预定横向空间分隔开的第一上层单元及第二上层单元。单片层间通孔从下层穿过预定的横向空间延伸，且单片层间通孔具有电连接到下层单元的第一端部及电连接到第一上层单元的第二端部。

公开(公告)号：CN114722764A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202110594545.X

申请日：2021-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦安 ,  林威呈 ,  陈彦豪 ,  曾健庭 ,  袁立本 ,  庄惠中 ,  黄禹轩

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/394 ,  G06F30/398 ,  H01L27/092

Abstract: 本揭露的一态样关于一种集成电路制造系统及其操作方法及集成电路结构，方法包括将第一纳米片结构放置在IC布局图内。第一纳米片结构具有第一宽度。方法包括邻接第二纳米片结构与第一纳米片结构。第二纳米片结构具有第二宽度。第二宽度小于第一宽度。方法包括产生IC布局图并将IC布局图储存在储存元件中。

公开(公告)号：CN114551472A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210069452.X

申请日：2022-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦安 ,  彭士玮 ,  邱德馨 ,  曾健庭 ,  王中兴

IPC: H01L27/118 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种集成电路包括位于衬底上的第一类型有源区域结构、第二类型有源区域结构以及多个栅极导体。该集成电路还包括位于衬底下方的背侧第一导电层中的背侧水平导线、位于背侧第一导电层下方的背侧第二导电层中的背侧垂直导线以及用于电路单元的引脚连接件。引脚连接件直接连接在背侧水平导线和背侧垂直导线之间。背侧水平导线跨越电路单元的垂直边界延伸。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。