公开(公告)号：CN222051761U

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202420365346.0

申请日：2024-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁顺鑫 ,  林侃儒 ,  朱家宏 ,  张阡 ,  简瑞宏 ,  王菘豊

IPC: H01L23/528 ,  H01L29/417

Abstract: 本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括位于基板上的通道区和与通道区相邻的源/漏极部件；位于源/漏极部件上方的硅化物部件、在硅化物部件上方的第一金属材料的第一金属层；位于第一金属层上方的第二金属材料的第二金属层，第一和第二金属层包括水平部分和垂直部分；位于第二金属层上方的金属填充层，使得金属填充层被包围在第二金属层的水平部分和垂直部分内；从金属填充层延伸的通孔以及位于通孔上方的第一金属线，第二金属层的水平部分和垂直部分之间的厚度差小于第一金属层的水平部分和垂直部分之间的厚度差。

公开(公告)号：CN220439613U

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202321381672.2

申请日：2023-06-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈姿蓓 ,  张家豪 ,  杨士亿 ,  朱家宏 ,  张博钦 ,  梁顺鑫 ,  廖峻宏 ,  郑宇婷 ,  黄鸿仪 ,  简瑞宏 ,  林斌彦 ,  王菘豊

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置，包括位于基板上的导电结构，所述导电结构具有：顶表面、在第一接点与顶表面相交的第一侧壁、以及在第二接点与顶表面相交的第二侧壁；以及位于导电结构之上的阻挡层，所述阻挡层包括：沿着第一侧壁向下延伸的第一凸部、沿着第二侧壁向下延伸的第二凸部、以及在顶表面之上且与第一凸部及第二凸部互连的横向桥部。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利