公开(公告)号：CN115132774A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210348129.6

申请日：2022-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏信文 ,  陈瑞麟 ,  林士豪 ,  庄明谚 ,  王晨晨 ,  洪连嵘 ,  王屏薇

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开提供一种半导体结构。根据本公开的一半导体结构包括源极特征与漏极特征、源极特征与漏极特征之间的主动区、主动区上方的栅极结构、设置于源极特征以及漏极特征还有栅极结构上方的前侧互连结构、设置于源极特征以及漏极特征还有栅极结构下方的后侧互连结构以及设置于后侧互连结构之中的储存元件。

公开(公告)号：CN113540098A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110175027.4

申请日：2021-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王晨晨 ,  杨世海 ,  徐志安 ,  林佑明

IPC: H01L27/11507

Abstract: 本公开涉及包括铁电存储器的半导体器件及其形成方法。半导体器件包括形成在晶体管之上的电容器，该电容器具有使第一电极与接触件隔离的存储膜。在实施例中，一种半导体器件包括：栅极堆叠，在半导体衬底之上；电容器，在栅极堆叠之上，该电容器包括：第一电极，沿栅极堆叠的顶表面延伸，第一电极为U形；第一铁电层，在第一电极之上；以及第二电极，在第一铁电层之上，第二电极的顶表面与第一铁电层的顶表面齐平，并且与第一电极的最顶表面相比，第一铁电层的顶表面和第二电极的顶表面被设置为距离半导体衬底更远。

公开(公告)号：CN113130490A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011331585.7

申请日：2020-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨世海 ,  徐志安 ,  王晨晨

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/11507

Abstract: 本公开涉及具有铁电随机存取存储器和可调电容器的片上系统。一种半导体器件，包括：衬底；第一电介质层，位于衬底之上；存储器单元，位于半导体器件的第一区域中的衬底之上，其中，存储器单元包括第一电介质层中的第一铁电结构，其中，第一铁电结构包括第一底部电极、第一顶部电极和介于这两者之间的第一铁电层；以及可调谐电容器，位于半导体器件的第二区域中的衬底之上，其中，可调谐电容器包括第二铁电结构，其中，第二铁电结构包括第二底部电极、第二顶部电极和介于这两者之间的第二铁电层，其中，第二铁电结构的至少一部分位于第一电介质层中。

公开(公告)号：CN113555383A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110696746.0

申请日：2021-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 贾汉中 ,  杨柏峰 ,  杨世海 ,  王晨晨 ,  林孟汉 ,  林佑明

IPC: H01L27/22

Abstract: 一种磁性穿隧接面存储器装置，包含位于基板上的至少一磁性穿隧接面反或闸串，其中每一个磁性穿隧接面反或闸串包含：各自的半导体材料层，半导体材料层包含半导体源极区、多个半导体通道、以及多个半导体漏极区；多个磁性穿隧接面存储器单元，包含各自的第一电极，分别地位于所述半导体漏极区的一者上；以及金属位元线，接触所述磁性穿隧接面存储器单元的每一个第二电极。磁性穿隧接面反或闸串的垂直堆叠可沿着通道方向重复，以提供三维的磁性穿隧接面存储器装置。

公开(公告)号：CN114975510A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202110856541.4

申请日：2021-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王晨晨 ,  杨世海 ,  林佑明 ,  徐志安

IPC: H01L27/22

Abstract: 一种半导体元件及其形成方法，在一实施方式中，一种半导体元件包括在基板上的第一介电层及在记忆体阵列的记忆体单元中的第一存取晶体管及第二存取晶体管，第一存取晶体管及第二存取晶体管各自包括：底部电极，在第一介电层中；导电栅极，在第二介电层中，其中第二介电层在底部电极及第一介电层上；通道区域，穿过导电栅极延伸以接触底部电极；以及顶部电极，在通道区域上。