公开(公告)号：CN115036363A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210353312.5

申请日：2022-04-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴铭昆 ,  邱维刚 ,  张以澄 ,  吴正一 ,  蔡瀚霆 ,  林灿 ,  林仲德

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及包括氢扩散阻挡件的晶体管及其形成方法。一种薄膜晶体管包括：栅极电极，嵌入在衬底上面的绝缘层中；栅极电介质，在栅极电极上面；有源层，包括化合物半导体材料并且在栅极电介质上面；以及源极电极和漏极电极，与有源层的端部部分接触。栅极电介质可以在与绝缘层的界面之上具有较厚的部分，以抑制氢扩散通过。附加地或替代地，可以在有源层和有源层上面的电介质层之间插入包括电介质金属氧化物材料的钝化帽盖电介质，以抑制氢扩散通过。

公开(公告)号：CN114758988A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210112032.5

申请日：2022-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴铭昆 ,  张以澄 ,  吴正一 ,  蔡瀚霆 ,  林灿 ,  林仲德 ,  邱维刚

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 本公开实施例提出一种半导体结构。平坦绝缘间隔物层形成于基板上，而栅极、栅极介电层、与第一半导体金属氧化物层的垂直堆叠可形成其上。第一半导体金属氧化物层包括第一平均掺质浓度的第一n型掺质的原子。第二半导体金属氧化物层形成于第一半导体金属氧化物层上。第二半导体金属氧化物层的部分可掺杂第二n型掺质，以提供源极侧的n型掺杂区与漏极侧的n型掺杂区，其可包括第二平均掺质浓度的第二n型掺质的原子，且第二平均掺质浓度大于第一平均掺质浓度。可导入多种掺质以增进薄膜晶体管的效能。

公开(公告)号：CN111105824A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911033480.0

申请日：2019-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 应继锋 ,  王仲盛 ,  林灿

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 一种磁性存储器包括：设置在衬底上方的第一自旋轨道转移-自旋扭矩转移(SOT-STT)混合磁性器件、设置在衬底上方的第二SOT-STT混合磁性器件以及连接至第一和第二SOT-STT混合磁性器件的SOT导电层。第一SOT-STT混合磁性器件和第二SOT-STT混合磁性器件中的每个包括：第一磁性层，作为磁性自由层；间隔件层，设置在第一磁性层下方；以及第二磁性层，作为磁性参考层，设置在间隔件层下方。SOT导电层设置在第一SOT-STT混合磁性器件和第二SOT-STT混合磁性器件中的每个的第一磁性层上方。本发明的实施例还涉及磁性存储器的制造方法。

公开(公告)号：CN218277719U

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202221993315.7

申请日：2022-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴铭昆 ,  黄彦杰 ,  蒋国璋 ,  蔡瀚霆 ,  林灿 ,  林仲德

IPC: H10B51/00 ,  H10B51/30

Abstract: 本实用新型实施例涉及半导体结构。一种半导体结构包含：第一电介质层；导电层及栅极电极，其放置于所述第一电介质层中；铁电层，其放置于所述栅极电极上方；沟道层，其放置于所述铁电层上方；第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方；源极电极及漏极电极，其放置于所述第二电介质层中；及连接结构，其放置于所述第二电介质层中。所述连接结构与所述源极电极及所述漏极电极分离。所述铁电层具有斜方晶相。