公开(公告)号：CN101503826A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910111002.7

申请日：2009-02-03

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  李书平 ,  陈航洋 ,  刘达艺 ,  杨伟煌 ,  林伟 ,  李金钗

IPC: C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/08

Abstract: AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件，涉及一种氮化物半导体材料。提供一种用于生长氮化物半导体材料的AlN生长面复合基底的制备方法及氮化物半导体器件。在衬底上生长AlN外延层，得AlN生长面复合基底。氮化物半导体器件设有AlN生长面复合基底、过渡层和氮化物半导体器件结构材料层。过渡层生长在AlN生长面复合基底上，过渡层由含Al的氮化物材料AlxInyGa(1－x－y)N(0＜x≤1，0≤y≤1)组成，氮化物半导体器件结构材料层生长在过渡层上，氮化物半导体器件结构材料层包含n型层、发光或吸收等功能结构层和p型层，其成分含有AlxInyGa(1－x－y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)。

公开(公告)号：CN110165028B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910532879.7

申请日：2019-06-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄凯 ,  黄长峰 ,  高娜 ,  陈航洋 ,  康俊勇

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明的基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法，在MIS结构的紫外LED中引入银金属纳米颗粒以形成局域表面等离激元；所述MIS结构LED采用石墨烯膜作为导电层以增强电流扩展性，提高器件紫外光出射率；所述金属纳米颗粒设置于石墨烯层之上，利用局域表面等离激元增强效应，使出射光子与金属纳米颗粒之间发生共振耦合，从而提高器件的内量子效率，增强其发光强度。本发明提供的一种基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED，结构简单，制备简便，易于生产。

公开(公告)号：CN101289173B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810071176.0

申请日：2008-06-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  李金钗 ,  李书平 ,  杨伟煌 ,  陈航洋 ,  刘达艺

IPC: C01B21/06 ,  C01G15/00

Abstract: 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层，在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质，得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料，其中，每个生长周期的步骤为：生长带隙较宽的垒层，同时掺入受主杂质；生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层；生长非掺的带隙较窄的阱层；生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层；在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火，即得目标产物。

公开(公告)号：CN101621108A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910112318.8

申请日：2009-07-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  林伟 ,  李书平 ,  陈航洋 ,  刘达艺 ,  陈珊珊 ,  杨伟煌

IPC: H01L33/00

Abstract: 基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法。所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层或异质基质材料层，n型GaN基半导体层，InN/GaN应变量子阱，p型GaN基半导体层，n型GaN基半导体层上设有负电极，p型GaN半导体层设有正电极。选择基质材料；在基质材料上外延生长n型GaN基半导体层；在n型GaN基半导体层上交替生长GaN垒层和InN阱层3～11个周期；在最上一层InN阱层上生长p型GaN基半导体层，退火，在p型和n型GaN层上制备正负电极。

公开(公告)号：CN208062084U

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201820553183.3

申请日：2018-04-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 高娜 ,  冯向 ,  卢诗强 ,  黄凯 ,  陈航洋 ,  李书平 ,  康俊勇

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本实用新型通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本实用新型通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利