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公开(公告)号：CN116314497A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310116610.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基自旋发光器件及其制备方法，该器件包括由上至下层叠设置的金属基板、GaN基量子发光结构、绝缘隧穿层、铁磁金属层和金属保护层，GaN基量子发光结构包括沿金属基板表面依次层叠设置的电子阻挡层、空穴传输层、辐射复合层和电子传输层；绝缘隧穿层和铁磁金属层之间或GaN基量子发光结构和绝缘隧穿层之间设有1～3层的石墨烯构成的二维材料插入层。通过在绝缘隧穿层上方或下方插入少层的石墨烯，避免铁磁金属电极通过绝缘层孔洞直接与半导体接触而导致的阻抗失配，有利于自旋流的高效隧穿，还能对自旋流起到电流拓展作用，从而提升自旋流的注入效率；通过改变二维材料插入层的插入位置可调控注入电流的极化方向，调控自旋发光特性。
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公开(公告)号：CN114806207B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210447864.2
申请日：2022-04-26
Applicant: 厦门大学
IPC: C08L101/00 , C08K3/38 , H02N2/18
Abstract: 本发明涉及纳米发电机领域，特别涉及一种正交取向化二维复合材料、制备方法与柔性纳米发电机。其中，一种正交取向化二维复合材料，由氮化硼纳米片与紫外固化胶混合，后经电场正交取向化，并进行紫外固化制得，所述氮化硼纳米片由氮化硼粉末经超声液相剥离后筛选得到，正交电场施加平行于发电薄膜法向方向。本发明提供的柔性纳米发电机，采用紫外固化胶固化的正交取向氮化硼纳米片，配合上下电极，最终制得的纳米发电机具有高输出电压，最高能达到50～60V，电流可超过100nA，性能突出，柔性稳定，并且柔性纳米发电机整体制备过程简便，具有大规模推广应用的潜力。
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公开(公告)号：CN115172510A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210803970.X
申请日：2022-07-07
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H04B13/02 , H01L31/0304 , H01L31/0264
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造技术领域，特别涉及一种水电解液的水下通信探测器及其制造方法，探测器包括主探测极板；光响应网络层，形成于所述主探测极板上；所述光响应网络层为复合纳米线组成的一维纳米网络，所述复合纳米线具有吸收外部光子以产生光生电子和光生空穴的功能；辅极板，通过外部电路与主探测极板电连接。本发明提供的探测器以具有光子吸收功能的复合纳米线构成一维光响应网络层，能够提供更大的固液反应界面以及为光生电子转移提供一维的转移通道，不仅能实现自供电，还能有效保护核芯材料；且直接采用水作为电解液，无需防水封装，就能够实现在深海水中长期稳定的循环工作。该器件响应时间短、响应度高，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114875660A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210540527.8
申请日：2022-05-17
Applicant: 厦门大学
IPC: D06M11/83 , D06M13/513 , D06M10/02 , D06M13/144 , D06M13/127 , D06B3/10 , D06M101/06 , D06M101/32 , D06M101/34 , D06M101/20 , D06M101/40
Abstract: 本发明涉及导电纺织物领域，特别涉及一种介导金属纳米线直接吸裹的导电纺织布及其制备方法，其中，采用该制备方法可获得高质量的导电纺织布，具体为将纺织布依次经过氧等离子处理和硅烷偶联剂改性处理获得金属介种吸附位点；纺织布置于有机液相反应溶液并在纤维表面静止种入金属纳米介导颗粒；纯化后进入第二阶段，金属纳米线网络直接在纺织布表面的介导生长及网络吸裹反应，获得全纤维吸裹金属纳米线网络的导电纺织布。该方法可一次性直接在任何纤维纺织布上做原位金属纳米线网络化吸裹，并获得性能优良的导电纺织材料，可应用于未来可穿戴及智能纺织品，以及电子服饰生产。
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公开(公告)号：CN120041811A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510240211.0
申请日：2025-03-03
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明首先提供了一种快速温度和磁场双控装置，其结构简单，高频交变电源和直流电流发生器分别接通一螺旋感应线圈，可以实现对导电衬底的快速加热，并在较短时间内达到目标温度。进一步地，通过调节高频交变电源和直流电流发生器的输出参数即可对导电衬底的温度及其所处的磁场进行动态调节，具有良好的工业应用前景。本发明还提供了一种上述装置在化学气相沉积的应用，能够实现对导电衬底的快速加热以及对反应气体的有效激活和分子定向流动，显著提高沉积速率和薄膜的均匀性，进而获得具有高结晶性和良好附着力的薄膜材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119165412A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411334583.1
申请日：2024-09-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于爱因斯坦‑德哈斯效应的微弱磁场测量装置及方法，涉及微弱磁场测量，应用亥姆霍兹线圈、光学平台、单刀双掷开关、光学支杆、夹持器、接杆直角夹具、导线、可编程直流电源与信号发生器搭建磁场发生装置和消磁装置；利用光纤夹具和石英纤维丝将带硅片的针规加持器按一定朝向和位置设置；将坡莫合金棒安置在针规夹头的另一端构建对磁场响应的机械转动部分；利用红光激光器、两面反射镜构建光路系统；利用位移传感器、数据采集卡和计算机处理光点速度数据，通过计算得到磁场大小。利用坡莫合金棒在磁场作用下内部原子自旋角动量变化引起的外部宏观角动量的变化，结合光路放大系统和位移传感器的精确测量，实现对微弱磁场的实时、精确测量。
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公开(公告)号：CN118741987A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410277591.0
申请日：2024-03-12
IPC: H05K9/00
Abstract: 本申请公开了一种柔性透明高稳定性纳米线网络电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法，涉及金属、磁性材料和半导体所构成的微观双界面壳层结构复合材料。所述纳米线网络复合材料为金属纳米线网络的多界面壳层结构，以金属纳米线为内核，于金属纳米线表面包裹磁性材料壳层，以及半导体材料壳层，以获得金属‑磁性‑半导体的双界面电磁多反射吸收异质结构。该新型纳米网络的多界面结构，利用不同功能材料界面的构成，对电磁波起到同时反射、折射、吸收的多重界面效应，可用于制作高性能的电磁屏蔽薄膜，进而实现在电子设备中应用。该薄膜不仅具有优越的电磁屏蔽性能，还满足电子设备对柔性透明性的特性要求，为电子设备领域带来前所未有的新应用。
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公开(公告)号：CN116752117A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310635975.0
申请日：2023-05-31
Applicant: 厦门大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/448
Abstract: 本发明涉及二维材料领域，特别涉及一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法，步骤如下，在气态状态下营造出第一本征主原子过饱和环境，同时使第二本征主原子处于非饱和状态；在气流通路中引入包含垂直pz价电子轨道的掺杂源，使掺杂源取代所述非饱和的第二本征主原子，与所述饱和的第一本征主原子的pz轨道发生强烈耦合杂化，激活所述饱和的第一本征主原子的pz轨道在垂直方向的延伸，形成层间垂直电输运通道。本发明工艺简单，能与当前的微纳加工技术形成良好的兼容性，并且产量较高，薄膜质量优异，垂直导电通道可在室温下稳定存在，二次移植使用性较强，可拓展二维材料、特别是二维半导体材料在新型垂直结构电子器件中的应用。
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公开(公告)号：CN116685192A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310677339.4
申请日：2023-06-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及忆阻器制备技术领域，特别涉及一种铜芯‑介质层径向核壳网络忆阻器，步骤如下：在二氧化硅晶片衬底表面制备叉指电极；将铜纳米线转移至制备了叉指电极的二氧化硅晶片衬底表面上；将二氧化硅晶片衬底及负载的二氧化硅晶片与铜纳米线整体进行退火处理；退火完成后通入的O2气体进行原位快速氧化，即完成制备。本发明提供的铜芯‑介质层径向核壳网络忆阻器为平行结构，介质层位于左电极、右电极之间，相较于垂直结构的常规忆阻器，制备工艺简单,可以一次性制备任意规模的器件。同时，铜纳米线合成之后再经由转移工艺转移到衬底上，使得器件的密度更为可控，最终质量及性能更好，能够应用与未来的大规模存储阵列集成。
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公开(公告)号：CN113838945A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111074450.1
申请日：2021-09-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有界面激子的窄带光电探测器及其制作方法，本发明提出的具有窄带光谱响应的光电探测器基于半导体激子源层材料中的激子效应，光电探测器中的半导体激子源层与两个独立的电极中至少有一个存在界面势垒，从而形成界面激子限制层，界面激子限制层使得半导体激子源层中的激子可以在室温下稳定存在，最后在内部电场或者外部电场的驱动下形成光电流。本发明结构简单，不受器件的具体结构干扰，调控电极与半导体激子源层之间的界面势垒，在外部电场下，短寿命的非激子粒子复合，长寿命的具有固定能量的激子分离形成电信号，可提升光电探测器的光谱响应精度。
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