公开(公告)号：CN115800802A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211426594.3

申请日：2022-11-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  唐燕 ,  邱鸿伟 ,  杨谦益 ,  杨仕铌 ,  陈小红

IPC: H02N1/04 ,  A61B5/021

Abstract: 本发明涉及医疗器械技术领域，特别涉及电子非亲和摩擦纳米发电机与心脏疾病检测仪及其制备方法。该发电机包括第一摩擦层、第二摩擦层、第一电极以及第二电极；其通过调节同种材料的成分，改变材料得失电子能力，第一摩擦层和第二摩擦层采用同一材料制成，且第一摩擦层和第二摩擦层采用的材料的成分不同，以使第一摩擦层和第二摩擦层的得失电子能力不同，从而实现电子非亲和摩擦纳米发电，利用其对压力的高灵敏性，以提取脉搏波的特征信号点，实现自供能的单点探测人体心率、舒张压和收缩压的功能；另外，其灵敏高，可以探测到脉搏波的细微变化，由于心脏疾病患者的脉搏波形和正常脉搏波形有所区别，其可应用于制备心脏疾病检测仪。

公开(公告)号：CN116752117A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310635975.0

申请日：2023-05-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  杨谦益 ,  沈鹏 ,  余路成 ,  许飞雅 ,  陈小红

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/448

Abstract: 本发明涉及二维材料领域，特别涉及一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法，步骤如下，在气态状态下营造出第一本征主原子过饱和环境，同时使第二本征主原子处于非饱和状态；在气流通路中引入包含垂直pz价电子轨道的掺杂源，使掺杂源取代所述非饱和的第二本征主原子，与所述饱和的第一本征主原子的pz轨道发生强烈耦合杂化，激活所述饱和的第一本征主原子的pz轨道在垂直方向的延伸，形成层间垂直电输运通道。本发明工艺简单，能与当前的微纳加工技术形成良好的兼容性，并且产量较高，薄膜质量优异，垂直导电通道可在室温下稳定存在，二次移植使用性较强，可拓展二维材料、特别是二维半导体材料在新型垂直结构电子器件中的应用。

公开(公告)号：CN116676663A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310542612.2

申请日：2023-05-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  王豪 ,  沈鹏 ,  杨谦益 ,  陈小红 ,  许飞雅

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明涉及半导体生长技术领域，特别涉及一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法及外延结构。其中，一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法，关键技术如下：提供介质衬底，通过刻蚀形成大范围占空比与高纵向孔深的均匀规则化镂空衬底；通过雾化无损干转移法将二维材料层转移并利用占沿表面张力覆盖于镂空衬底表面；其中空孔部分形成下方非衬底耦合的悬空二维薄膜外延区；将悬空非耦合衬底放入半导体材料生长反应腔中，采用先预成核后高迁移外延的二步模式循环生长，利用悬空非衬底耦合区表面的高迁移率，外延低密度高质量半导体薄膜。本发明可以获得低密度高质量的半导体外延薄膜，制备方法简单，省时高效，具有广阔的工业化前景。