公开(公告)号：CN119255584A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411371343.9

申请日：2024-09-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  王轶蒙 ,  杨仕铌 ,  刘才育 ,  郑嘉钰 ,  万文杰 ,  许飞雅 ,  陈小红

IPC: H05K9/00 ,  B22F9/20 ,  B22F1/18 ,  B22F1/054

Abstract: 本发明公开了一种磁性化MXene/金属纳米线复合电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法，其是在MXene之间生长金属纳米线，并于MXene表面包裹磁性材料壳层，进行真空退火后得到。磁性化MXene为多界面壳层结构，具有MXene‑磁性金属‑空气间隔的多界面复杂电磁反射吸收异质结构，同时金属纳米线搭接磁性化MXene形成导电网络，利用不同材料的异质界面和MXene的空间结构，对电磁波同时起到强烈的多重反射、界面极化、磁损耗等效应，实现了高效电磁屏蔽效果的同时保持了较低的反射屏蔽，有效减少了电磁波的二次污染，可用于制作高性能的电磁屏蔽薄膜，进而实现在电子设备中应用，并满足电子设备对轻量化的特性要求。

公开(公告)号：CN118741987A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410277591.0

申请日：2024-03-12

Applicant: 昆山厦大创新中心 ,  厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  王轶蒙 ,  杨仕铌 ,  邱鸿伟 ,  许飞雅 ,  陈小红 ,  李书平

IPC: H05K9/00

Abstract: 本申请公开了一种柔性透明高稳定性纳米线网络电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法，涉及金属、磁性材料和半导体所构成的微观双界面壳层结构复合材料。所述纳米线网络复合材料为金属纳米线网络的多界面壳层结构，以金属纳米线为内核，于金属纳米线表面包裹磁性材料壳层，以及半导体材料壳层，以获得金属‑磁性‑半导体的双界面电磁多反射吸收异质结构。该新型纳米网络的多界面结构，利用不同功能材料界面的构成，对电磁波起到同时反射、折射、吸收的多重界面效应，可用于制作高性能的电磁屏蔽薄膜，进而实现在电子设备中应用。该薄膜不仅具有优越的电磁屏蔽性能，还满足电子设备对柔性透明性的特性要求，为电子设备领域带来前所未有的新应用。

公开(公告)号：CN116685192A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310677339.4

申请日：2023-06-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  邱鸿伟 ,  杨仕铌 ,  陈瀚 ,  沈鹏 ,  王轶蒙 ,  陈小红 ,  许飞雅

IPC: H10N70/20 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及忆阻器制备技术领域，特别涉及一种铜芯‑介质层径向核壳网络忆阻器，步骤如下：在二氧化硅晶片衬底表面制备叉指电极；将铜纳米线转移至制备了叉指电极的二氧化硅晶片衬底表面上；将二氧化硅晶片衬底及负载的二氧化硅晶片与铜纳米线整体进行退火处理；退火完成后通入的O2气体进行原位快速氧化，即完成制备。本发明提供的铜芯‑介质层径向核壳网络忆阻器为平行结构，介质层位于左电极、右电极之间，相较于垂直结构的常规忆阻器，制备工艺简单,可以一次性制备任意规模的器件。同时，铜纳米线合成之后再经由转移工艺转移到衬底上，使得器件的密度更为可控，最终质量及性能更好，能够应用与未来的大规模存储阵列集成。