公开(公告)号：CN115821378A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211507290.X

申请日：2022-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 程其进 ,  肖博翰 ,  苏童 ,  艾子康 ,  沈禹衡

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/16

Abstract: 一种等离子体热氧化制备氧化镓薄膜的方法，将氮化镓薄膜转移到等离子体增强化学气相沉积装置内，并放置在管式炉加热区中间位置，启动机械泵将管式炉内抽真空，维持管式炉内压强在10～30Pa，之后将管式炉的温度升高到800～900℃；向管式炉内同时输入氩气和氧气，当管式炉内压强稳定在20～100Pa时，打开射频电源产生等离子体，在管式炉内放电稳定后停止通入氩气；待放电再次稳定后，保持管式炉内温度不变，进行热氧化处理；关闭射频电源，停止通入氧气，保持机械泵工作的同时，使管式炉自然冷却到室温。本发明实现快速、高质量的氧化镓薄膜制备。

公开(公告)号：CN106591770B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201611080557.6

申请日：2016-11-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 程其进 ,  郭斌 ,  渠亚洲 ,  林冠华

IPC: C23C8/36 ,  C23C8/12

Abstract: 在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，涉及金属氧化物纳米材料。通过等离子体方法在金属箔表面生长出纳米材料，并通过控制温度和通入气体的比例来控制纳米材料的生长。具体步骤：将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放入反应装置中并抽真空，然后升温，再通入氩气与氧气并通过两端的电极进行辉光放电，辉光放电结束后，待反应装置冷却到室温便可获得低维金属氧化物纳米材料。可适用于多种不同金属；由能够使得反应物分子实现有效激发、离解和电离，使得反应体系能够在低温下快速进行；可以降低反应温度和减少反应时间。所需加热温度低，反应时间短，可有效降低能耗；工艺简单，成本低廉；生产出的纳米材料形貌可控，质量高。