公开(公告)号：CN115000228B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202210521145.0

申请日：2022-05-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  徐翔宇 ,  张佳业 ,  陈文山

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种超大光电流同时兼顾超高探测率的Ga2O3薄膜有源日盲紫外探测器及其制备方法。本发明是通过脉冲激光沉积技术(PLD)在蓝宝石衬底上外延生长一层Ga2O3薄膜，随后通过特定的退火工艺以及微纳加工工艺完成的。本发明所制备的有源日盲紫外光电探测器仅对日盲区的深紫外线有显著的光电响应，器件工作时具备超大的光电流和超高的探测率，工况性能稳定，可用于解决火情监测，导弹尾焰追踪、高压电晕探测等涉及日盲紫外信号探测的技术难题。

公开(公告)号：CN115403366B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211019137.2

申请日：2022-08-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  李文婷 ,  丁兴雨

IPC: C04B35/30 ,  C04B35/622 ,  H01F1/34 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种掺杂锂的镍锌铁氧体材料及其制备方法，本发明掺杂锂的镍锌铁氧体材料其化学式为Ni0.3LixZn0.7‑xFe2O4，其中x＝0.025～0.5，本发明方法以Ni0.3Zn0.7Fe2O4铁氧体为基础，通过Li+取代部分Zn2+以改善材料的磁性能。其制备方法为：先采用溶胶凝胶自蔓延燃烧法制备前驱体，经过预烧、研磨、成型和特定的烧结程序最终形成。本工艺可精确控制化学成分，操作简单，无废料污染问题，所得材料可以同时获得高磁导率和高饱和磁化强度，为功率电感器件提供关键材料，对进一步促进器件的小型化、集成化发展具有重要意义。

公开(公告)号：CN115000228A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210521145.0

申请日：2022-05-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  徐翔宇 ,  张佳业 ,  陈文山

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种超大光电流同时兼顾超高探测率的Ga2O3薄膜有源日盲紫外探测器及其制备方法。本发明是通过脉冲激光沉积技术(PLD)在蓝宝石衬底上外延生长一层Ga2O3薄膜，随后通过特定的退火工艺以及微纳加工工艺完成的。本发明所制备的有源日盲紫外光电探测器仅对日盲区的深紫外线有显著的光电响应，器件工作时具备超大的光电流和超高的探测率，工况性能稳定，可用于解决火情监测，导弹尾焰追踪、高压电晕探测等涉及日盲紫外信号探测的技术难题。

公开(公告)号：CN114822987A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210428405.X

申请日：2022-04-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  杨露 ,  张佳业 ,  石崛立

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C30B29/22 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种紫外‑可见‑近红外透明的高导电性Ta掺杂SnO2薄膜的制备方法，其包括如下步骤：将SnO2和Ta2O5多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得Ta掺杂SnO2多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述Ta掺杂SnO2为靶材，利用脉冲激光沉积法在Al2O3衬底上生长所述薄膜。本发明制得的Ta掺杂SnO2薄膜室温导电性可超过6000S/cm，迁移率为75cm2/Vs，最高载流子浓度可达8.1×1020cm‑3，且在可见光区(1.4‑3.3eV)透过率超过90％，在紫外‑可见‑近红外光范围(0.75‑4.2eV)总透过率超过80％。本发明可作为透明导电氧化物材料，可应用于触摸显示屏、太阳能电池、气体传感器等多种现代关键技术。

公开(公告)号：CN116288648A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310149436.6

申请日：2023-02-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  程浩然 ,  杨晔 ,  卢发

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/46 ,  C30B29/66 ,  C30B33/00 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸高质量硒化锑单晶的制备方法，包括大尺寸高质量单晶生长、块体单晶快速定向和微米级超薄片状单晶剥离步骤。单晶生长采用布里奇曼晶体生长技术，首先将按化学计量比的高纯Se和Sb粉末充分研磨、压片后，装入清洗、烘干的单端封口高纯石英管，经过机械泵和分子泵抽真空到10‑3Pa，对石英管密封。其次，在已知温度分布的垂直布里奇曼晶体生长炉内，以一定的速率拉动上述装置通过受控温度梯度区，进行单晶生长。再次，利用Sb2Se3一维晶体结构导致的独特解理面形貌，对本方法生长的高质量Sb2Se3单晶进行快速定向，研磨抛光后得到相互垂直的另两个正交晶面。最后，通过特殊剥离，获取厚度为几十微米、尺寸为10mm以上的完整薄片。本发明的薄片能够用于THz等超快光谱研究光生载流子等信息。

公开(公告)号：CN114822987B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210428405.X

申请日：2022-04-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  杨露 ,  张佳业 ,  石崛立

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C30B29/22 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种紫外‑可见‑近红外透明的高导电性Ta掺杂SnO2薄膜的制备方法，其包括如下步骤：将SnO2和Ta2O5多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得Ta掺杂SnO2多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述Ta掺杂SnO2为靶材，利用脉冲激光沉积法在Al2O3衬底上生长所述薄膜。本发明制得的Ta掺杂SnO2薄膜室温导电性可超过6000S/cm，迁移率为75cm2/Vs，最高载流子浓度可达8.1×1020cm‑3，且在可见光区(1.4‑3.3eV)透过率超过90％，在紫外‑可见‑近红外光范围(0.75‑4.2eV)总透过率超过80％。本发明可作为透明导电氧化物材料，可应用于触摸显示屏、太阳能电池、气体传感器等多种现代关键技术。

公开(公告)号：CN115911168A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211246453.3

申请日：2022-10-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  陈文澄 ,  徐翔宇 ,  李明杭 ,  程其进

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0328

Abstract: 本发明公开了一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法，涉及日盲紫外光电探测器领域。本发明是在p型氮化镓衬底上先沉积一层本征氧化镓作为i层，然后再沉积一层硅掺杂的n型氧化镓层构成pin异质结。通过合理调控掺杂浓度和i型氧化镓层的厚度，使得作为主要吸光层的i型氧化镓层全耗尽。随后在pin异质结上分别制备p型氮化镓和n型氧化镓的欧姆接触，即可获得基于氧化镓的pin异质结光电探测器。对比常规的氧化镓基pn异质结光电探测器，本发明中制备的pin异质结光电探测器具有优异的器件性能，包括更短的响应时间、更大的响应度、更大的光暗电流比、良好的瞬态响应特性和稳定性。