公开(公告)号：CN116288648A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310149436.6

申请日：2023-02-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  程浩然 ,  杨晔 ,  卢发

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/46 ,  C30B29/66 ,  C30B33/00 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸高质量硒化锑单晶的制备方法，包括大尺寸高质量单晶生长、块体单晶快速定向和微米级超薄片状单晶剥离步骤。单晶生长采用布里奇曼晶体生长技术，首先将按化学计量比的高纯Se和Sb粉末充分研磨、压片后，装入清洗、烘干的单端封口高纯石英管，经过机械泵和分子泵抽真空到10‑3Pa，对石英管密封。其次，在已知温度分布的垂直布里奇曼晶体生长炉内，以一定的速率拉动上述装置通过受控温度梯度区，进行单晶生长。再次，利用Sb2Se3一维晶体结构导致的独特解理面形貌，对本方法生长的高质量Sb2Se3单晶进行快速定向，研磨抛光后得到相互垂直的另两个正交晶面。最后，通过特殊剥离，获取厚度为几十微米、尺寸为10mm以上的完整薄片。本发明的薄片能够用于THz等超快光谱研究光生载流子等信息。