一种集成结构及其制备方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118248809A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410311106.7

    申请日:2024-03-19

    Applicant: 厦门大学

    Inventor: 李静 程可扬 尹君

    Abstract: 本发明公开了一种光电子器件集成结构及其制备方法。本发明方法将光学薄膜、发光芯片和驱动基板进行整合,在保证器件光学性能的同时可实现优异环境稳定性。利用半导体微纳加工技术制备了一种基于量子点的光学薄膜,可实现极高分辨率并保证长期使用的稳定性,进一步将其与发光芯片阵列和驱动电路结合,可实现性能优异的集成光电子器件。本发明公开的技术方案兼容常规半导体微纳加工工艺设备和操作流程,易于规模化制备和生产,器件环境稳定性高、使用寿命长,可满足不同尺寸、不同基底、不同使用条件的电子器件和设备的设计及生产需求。

    一种含修饰层结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN113270549B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202110421291.1

    申请日:2021-04-19

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明提出了一种含修饰层结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,含修饰层结构的钙钛矿太阳能电池包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和背电极层;其中修饰层位于电子传输层与钙钛矿吸光层之间;修饰层为S掺杂的ZnO;电子传输层材料为ZnTiO3。本发明制备方法得到的修饰层,能与钛酸锌(ZnTiO3)电子传输层很好结合,采用S掺杂ZnO对钛酸锌电子传输层进行修饰,能够有效提升钛酸锌电子传输层电荷提取能力,进一步有效提升器件效率。

    一种阵列结构硅基靶板及其应用

    公开(公告)号:CN110902646B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN201911148324.9

    申请日:2019-11-21

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种阵列结构硅基靶板及其应用,所述阵列结构硅基靶板包括点样区和外围区,所述点样区具有微纳米结构阵列,所述微纳米结构阵列包括数个微纳米结构,所述微纳米结构的高度为10nm‑100μm,等效直径或者等效边长为10nm‑100μm,所述相邻微纳米结构之间的距离为10nm‑10μm,所述微纳米结构阵列还包括裹附在微纳米结构表面的材料层;以及本发明的阵列结构硅基靶板在质谱检测、拉曼检测、生物传感器或光电探测器中的应用。

    一种有机无机杂化钙钛矿粉末及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111785838B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202010609420.5

    申请日:2020-06-30

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明提供一种有机无机杂化钙钛矿粉末及其制备方法和应用,该方法主要步骤为:取组分1和组分2进行混合,溶于配位溶剂中,搅拌至全部溶解,得到混合溶液;将混合溶液加热、持续搅拌,使混合溶液反应,析出得有机无机杂化钙钛矿晶体;最后将有机无机杂化钙钛矿晶体,过滤、真空干燥,即得有机无机杂化钙钛矿粉末。本发明配位溶剂为二乙醇甲醚、二丙醇甲醚、二丁醇甲醚、乙醇胺和甲酯类中的一种,利用配位溶剂与金属离子之间的弱相互作用,可以改善钙钛矿材料溶解性,形成稳定性良好的前驱体,实现不同组分的有机无机杂化钙钛矿粉末高通量合成,所制得的粉末结构稳定性良好,可用于可控制备平整的膜层,进而达到提高所制备相应器件效率的目的。

    一种基于衬底处理的六方氮化硼薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN114182231A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202111436122.1

    申请日:2021-11-29

    Applicant: 厦门大学

    Inventor: 李静 刘兴宜 尹君

    Abstract: 本发明公开了一种基于衬底处理的六方氮化硼薄膜制备方法,包括如下步骤:步骤一.重构金属衬底:(1)制备溶液一;金属衬底接入正极,浸入配制好的溶液一中,电压3~8V,时间10‑20s,随后取出,用去离子水清洗,吹干;(2)将去离子水和DMF以1:10‑15的体积比混合,并加入甲酸盐,甲酸盐为150‑340mg/mL水,充分搅拌后,滴入油胺,油胺与水的体积比为1‑2:1‑2;充分混合后得到溶液二,将步骤(1)中获得的金属衬底在溶液二中处理;步骤二.在重构后的金属衬底上生长六方氮化硼薄膜。本发明能够减少氮化硼缺陷。

    一种钝化钙钛矿薄膜层的方法及钙钛矿太阳能电池

    公开(公告)号:CN112467038A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011532288.9

    申请日:2020-12-22

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明提供一种钝化钙钛矿薄膜层的方法,通过制备钙钛矿前驱体溶液;预处理导电玻璃/电子传输层构成的基底;将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于所述基底并加热,以生成钙钛矿薄膜层;以及用含氟磺酸盐在所述钙钛矿薄膜层进一步钝化修饰,形成含氟磺酸盐修饰的钙钛矿薄膜层。本发明提出的钝化钙钛矿薄膜层的方法,使钝化后的钙钛矿薄膜层具有优异的稳定性,低缺陷态密度和长载流子寿命,并且以本发明方法制备的钙钛矿薄膜层所组装的太阳能电池,其转换效率和稳定性明显提升。

    过流式紫外线杀菌装置
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110436560A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910645181.6

    申请日:2019-07-17

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种过流式紫外线杀菌装置,包括三通管模块、紫外光模块以及流量计。三通管模块包括相连通的第一通口、第二通口以及第三通口。紫外光模块装设在所述第一通口,包括多个紫外光芯片以及控制紫外光芯片开关的驱动单元。流量计设置在靠近所述入水口的地方,流量计电性连接所驱动单元。当流量计检测到水流动时,输出反馈信号到驱动单元,令驱动单元控制紫外光芯片发出紫外光对自来水管中的水进行杀菌。当流量计检测到水流停止,再度输出反馈信号至驱动单元,控制紫外光芯片停止发出紫外光。

    一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及生长方法

    公开(公告)号:CN115216842B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202210724292.8

    申请日:2022-06-24

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及其生长方法,通过在生长坩埚内部、粉料表面上方的位置安装特定结构的石墨导流板,有效减小生长腔室内对流不规则性和物质流通量的不均匀性,从而保证输运到籽晶表面、参与生长的气相物质的均匀性得到提升,进而使得碳化硅单晶生长表面的平整度提高,同时晶体缺陷减少,最终获得高质量和大尺寸的碳化硅单晶。本发明通过在碳化硅生长坩埚中添加石墨导流板装置,优化了碳化硅单晶生长的温场和传质过程,是一种提高碳化硅晶体生长质量的有效方法。

    具有波矢调控的深紫外LED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116799116A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310777338.7

    申请日:2023-06-28

    Applicant: 厦门大学

    Inventor: 尹君 康俊勇

    Abstract: 本发明公开了一种基于波矢调控提升AlGaN深紫外LED出光效率的器件结构及其制备方法。该器件包含:透光衬底、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层,电极接触层,反射层,以及分别与第一半导体层和第二半导体层接触的电极,第二半导体层和电极接触层刻蚀有周期性或随机分布的槽孔,反射层嵌入在其中,所述嵌入在第二半导体层槽孔中的反射金属在深紫外光区域具有等离激元共振特性,结合特定厚度的介质层调节,该结构可实现对高Al组分AlGaN量子阱光子传播模式的调控,基于波矢调控显著提升TM和TE模式辐射光子的出光效率。所述特定厚度、具有低折射率的介质层主要起光学腔的作用,辅助提升反射金属的等离激元共振及其波矢调控能力。

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