一种基于机器学习的快速预测热电材料的电导率的方法

    公开(公告)号:CN117352101A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311320148.9

    申请日:2023-10-12

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习的快速预测热电材料的电导率的方法,步骤如下:从文献和数据库中收集热电材料化学式电导率数据和特征信息,作为机器学习样本数据集;再根据每个材料的化学式生成对应的特征描述符;对特征变量和电导率进行皮尔逊相关系数分析;选取对电导率影响较大的并且有正向影响的49个特征变量;再划分数据集;用机器学习算法初步对数据集构建模型,并计算R2和RSME的值;将末位淘汰法和随机森林算法相结合,对特征变量进行筛选;将筛选后的特征变量再次用机器学习算法构建模型,对电导率进行预测。本发明建立了快速高效的预测模型,能够帮助研究人员节约实验和计算的时间和成本,能够提高热电材料的研究效率。

    超硬衬底片抛光用抛光盘的制备方法及精密抛光方法

    公开(公告)号:CN113211337B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202110538166.9

    申请日:2021-05-18

    Applicant: 南通大学

    Inventor: 李祥彪 仲崇贵

    Abstract: 本发明涉及一种超硬衬底片抛光用抛光盘的制备方法及精密抛光方法,属于衬底加工技术。本发明提出了一种新型衬底片抛光用抛光盘制备方法,通过使用多层复合抛光盘,对衬底片进行精密抛光,与传统衬底片抛光工艺相比极大的简化了工艺流程,获得面型较好的衬底抛光片,抛光后的衬底片平均厚度差小,弯曲翘曲度低。本方法工艺简单易操作。

    一种用于大尺寸晶片研磨的研磨盘制备及研磨方法

    公开(公告)号:CN115570507A

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202211142875.6

    申请日:2022-09-20

    Applicant: 南通大学

    Inventor: 李祥彪 仲崇贵

    Abstract: 本发明公开了一种用于大尺寸晶片研磨的研磨盘制备及研磨方法,属于晶圆加工技术。本发明提出了一种新型晶圆研磨用研磨盘制备方法,通过使用梯形研磨盘,对晶圆片进行双面研磨,与传统晶圆片双面研磨设备及研磨后晶圆片几何参数相比,采用本发明提出的研磨盘双面研磨后,晶圆片弯曲翘曲值明显下降,平均厚度差小,晶圆面型平整度好。

    一种透明彩色碳化硅多晶板的制备方法

    公开(公告)号:CN111411396A

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN202010412604.2

    申请日:2020-05-15

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明公开了一种透明彩色碳化硅多晶板的制备方法,通过使用图形化碳化硅单晶或多晶衬底片,将衬底背面固定在石墨坩埚顶部上盖内侧,石墨坩埚底部放入碳化硅原料,将石墨坩埚放入高温生长炉中,使石墨坩埚底部位于高温区,顶部位于较低温度区,从而在石墨坩埚轴向形成温度梯度,采用物理气相传输法在所述图形化碳化硅衬底上生长出碳化硅多晶块,经切割研磨抛光,可以得到透明彩色碳化硅多晶板。本发明制备方法简单,所述透明彩色碳化硅多晶板相比较于传统碳化硅陶瓷,其致密性更好,成分纯度高,热导率更高。

    碳化硅晶体生长用石墨坩埚装置及其单晶生长方法

    公开(公告)号:CN111411395A

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN202010411907.2

    申请日:2020-05-15

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体生长用石墨坩埚装置及其碳化硅单晶生长方法,通过改变石墨坩埚盖的结构,将石墨坩埚盖改成两段式结构,进而将籽晶固定方式由传统的胶粘方式变成机械固定方式,籽晶背面镀上碳膜,通过两段式石墨坩埚盖旋紧固定,籽晶和石墨坩埚盖上层之间根据厚度差可以放入保温石墨毡,石墨坩埚内放入高纯碳化硅粉料,密封的石墨坩埚放入晶体生长炉中,采用物理气相传输法生长碳化硅晶体,晶体生长温度在1950℃-2550℃,其中衬底温度在2200℃以下,原料温度大于2350℃,惰性气体作为载气,反应室内气压在1-5kPa之间,生长时间在70小时以上,即可得到低应力碳化硅晶锭。

    一种基于机械应变调控BaTiO3铁电薄膜中极化旋转的使用方法

    公开(公告)号:CN111370567A

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN202010199097.9

    申请日:2020-03-20

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于机械应变调控BaTiO3铁电薄膜中极化旋转的使用方法,包括衬底和BaTiO3薄膜,薄膜设置在衬底上方,薄膜沿着[001]方向进行生长,对薄膜进行预极化处理,对四方相衬底外加双轴等效面内应力,导致铁电薄膜极化在 面内向c轴方向翻转;衬底的压应变增大,极化取向完全翻转到沿c轴方向时,继续增加衬底应力,导致沿c轴方向的极化增大,方向不变;应力作用达到足以使极化取向完全沿c轴时,再逐步减小应力,记录不同应力作用下,薄膜铁电极化的大小、方向。本发明通过改变衬底应变,借助衬底与薄膜间的应变耦合的双轴等效应变调控,实现铁电自发极化面内旋转,并且可用于对BaTiO3薄膜中的极化旋转调控,也适用于较小BaTiO3体材料中极化面内转动调控。

    一种调整座椅使用状态的智能控制方法

    公开(公告)号:CN111308914A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010087694.2

    申请日:2020-02-10

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明提供了一种调整座椅使用状态的智能控制方法,包括如下步骤S10获取数据,家用数据处理模块通过显示模块上设置的摄像头和距离感应器获取使用者的影像数据以及位置数据;S20分析计算调整量,所述家用数据处理模块通过无线网络将所述影像数据以及位置数据发送给远程数据处理模块,所述远程数据处理模块计算座椅调量数据并反馈给所述家用数据处理模块;以及S30调整座椅使用状态,所述家用数据处理模块接收到调量数据后对座椅的使用状态进行调整。本发明提供的一种调整座椅使用状态的智能控制方法,可以根据使用者影像数据和位置数据实时的对座椅的高度以及座椅的前后左右位置进行调整,防止因为座椅状态错误引发的近视、脊柱变形等技术问题。

    一种调整座椅使用状态的智能控制系统

    公开(公告)号:CN111290303A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN202010084483.3

    申请日:2020-02-10

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明提供了一种用于调整座椅使用状态的智能控制系统,包括:显示模块,内置摄像头及距离感应器,用于采集并处理使用者的影像数据以及位置数据;家用数据处理模块,与所述显示模块电连接,用于对座椅使用状态进行调整;以及远程数据处理模块,通过无线网络与所述家用数据处理模块连接,用于分析使用者的影像数据以及位置数据,并计算出调量数据反馈给所述家用数据处理模块。本发明提供的一种用于调整座椅使用状态的智能控制系统,可以根据使用者影像数据和位置数据实时的对椅面的高度以及椅面的前后左右位置进行调整,防止因为座椅状态错误引发的近视、脊柱变形等技术问题。

    一种智能阅读系统
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111273558A

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN202010084502.2

    申请日:2020-02-10

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明提供了一种智能阅读系统,包括:照明模块;显示模块,内置摄像头、距离感应器以及扬声器;家用数据处理模块,与所述显示模块以及所述照明模块电连接;远程数据处理模块,通过无线网络与所述家用数据处理模块连接;其中,所述阅读模式包括纸质阅读、视频阅读以及音频阅读。本发明提供了一种智能阅读系统,通过三种阅读模式的切换使阅读变得更加灵活,增加了读者阅读的乐趣。同时由于设置了语音阅读模式,使得盲人也能使用普通的纸质书籍进行阅读,使盲人的阅读范围不再仅限于现有的盲文书籍。拓宽了盲人的阅读范围。

    一种多尺寸莫桑石的制备方法

    公开(公告)号:CN110042470A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910355899.1

    申请日:2019-04-29

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明公开了一种多尺寸莫桑石的制备方法,通过使用碳化硅晶体-多孔石墨复合衬底,复合衬底背生长面粘在石墨坩埚顶部上盖内层,石墨坩埚内放入高纯碳化硅粉料原料,石墨坩埚放入晶体生长炉中,采用物理气相传输法晶体生长系统,晶体生长温度在1900℃-2400℃,其中衬底温度在1900℃-2300℃,原料温度在2300℃-2400℃,惰性气体气氛下生长,反应室内气压在1×10-4Pa-4×104Pa之间,生长时间在70小时以上,得到的莫桑石晶体经过简单分切即可作为莫桑石宝石原料,经过宝石加工,可获得不同尺寸的莫桑石宝石。

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