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公开(公告)号：CN117571832A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311504403.5
申请日：2023-11-13
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性光声效应的高强度声场分布表征装置和方法，该装置包括高强度声场发生系统，光声层析成像系统和温度控制系统；所述高强度声场发生系统包括依次相连的水浸压电陶瓷换能器，电阻抗匹配电路，功率放大器和信号发生器；所述光声层析成像系统包括脉冲激光器，阵列超声探测器，前置放大器，多通道数据采集系统和数据存储和处理系统。本发明提出的基于非线性光声效应的高强度声场成像技术，利用光声成像系统，结合温度依赖的光声非线性效应，可以有效实现大深度，高分辨率的温度分布成像，得益于光声成像纳秒级脉冲激光照射，可以实现瞬态温度场的捕捉，从而间接的实现声场分布的表征。
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公开(公告)号：CN117344367A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311174051.1
申请日：2023-09-11
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明涉及无机化合物单晶生长技术领域，具体涉及一种笼目结构单晶的生长方法。该笼目结构单晶的生长方法包括步骤：将铑粉和硫粉进行研磨，再和铅丸置于石英管内抽真空并封管，将石英管升温并保温，然后降温并保温，对石英管进行离心处理，得到笼目结构的Rh3Pb2S2单晶。本发明首次公开了笼目结构Rh3Pb2S2单晶的合成方法，其工艺简单，所需原材料容易获取，所需生长周期短，能耗低，且笼目结构Rh3Pb2S2单晶的生长成功率高达100％。通过该单晶生长方法制得的Rh3Pb2S2单晶完整性好，尺寸大，结晶性好，适用于多数常规的物性测量等研究手段，单晶的质量可保证满足多种科研与应用要求。
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公开(公告)号：CN113594346B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110734177.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 南方科技大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/856
Abstract: 一种有机热电薄膜及其制备方法，有机热电薄膜的制备方法包括：将含有聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)、聚苯乙烯磺酸的溶液与离子液体混合，反应结束后，将所得溶液转移至模具中和/或基底表面，干燥，得到有机热电薄膜。通过引入离子液体，显著改善有机热电薄膜的性能，提高有机热电薄膜的力学拉伸和弯曲性能，极大地提高了有机热电薄膜在有机热电领域及柔性电子领域的应用范围。
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公开(公告)号：CN112038283B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202010703320.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明提供一种材料芯片的制备方法，包括沉积步骤、固化步骤、显影步骤、烘烤步骤；各前驱体溶液分别按照沉积步骤、固化步骤、显影步骤和烘烤步骤，在基片的不同部位制备目标薄膜，最后统一进行退火处理，获得分立材料芯片；或者，各前驱体溶液按照沉积步骤在基片上制成目标薄膜，然后对具有目标薄膜的基片进行烘烤，循环进行沉积步骤和烘烤步骤，在基片的同一部位制备层叠的目标薄膜，最后统一进行退火处理，获得连续薄膜芯片。本发明先进行沉积，得到目标薄膜，再放置掩模板，固化之后加入显影液，得到目标芯片，有效降低成本，并解决现有技术中由于掩模板边缘的阻挡导致实际沉积薄膜的尺寸小于掩模板的尺寸的问题。
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公开(公告)号：CN116828955A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310742037.0
申请日：2023-06-20
Applicant: 南方科技大学
IPC: H10N10/80 , H10N10/01 , H10N10/851 , H10N10/853
Abstract: 本发明公开了一种热电器件及其制备方法，热电器件包括：热电材料基质层、附着在所述基质层的两个表面的电极层，其中，所述电极层的材料为铜镁铁合金。通过采用铜镁铁合金作为电极材料，降低了电极层与热电材料基质层之间的界面电阻，提升了抗剪切强度，本发明提供的热电器件在370℃的温差(ΔT)下，单支器件的功率密度(ωmax)为2.6W cm‑2，转换效率(ηmax)为8％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113066923A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110259920.5
申请日：2021-03-10
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全静态固体制冷器及其制备方法，所述全静态固体制冷器包括：第一电卡制冷器，叠设在所述第一电卡制冷器表面的热电制冷器以及叠设在所述热电制冷器表面的第二电卡制冷器；所述第一电卡制冷器与所述第二电卡制冷器结构相同；所述第一电卡制冷器包括：基板以及沉积在所述基板表面的具有正电卡效应和负电卡效应的电介质材料层。本发明所提供的基于电卡‑热电效应的全静态固体制冷器，具有工作温度低，温度调节效果好，使用寿命较长，无运动部件、工作温度范围广、制冷效率高，稳定性和可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN111584706A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010360544.4
申请日：2020-04-30
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 一种柔性热电器件，包括：至少两个依照设计图案排布的发电单元；所述发电单元包括依次设置的第一电极组、热电腿组和第二电极组；所述热电腿组具有至少两个间隔设置的热电腿对，每个热电腿对包括一对尺寸相同的第一型热电腿和第二型热电腿；每对第一型热电腿和第二型热电腿的一端分别与对应的同一第一柔性电极电连接；所述第二电极组包括与热电腿对内的第一型热电腿一一对应的第二柔性电极以及与第二型热电腿一一对应的第三柔性电极，所述第一型热电腿的另一端与对应的第二柔性电极电连接，第二型热电腿的另一端与对应的第三柔性电极电连接；至少两个发电单元依次串联。上述柔性热电器件具备双面弯曲和拉伸的能力，与热源的结合较好。
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公开(公告)号：CN117210940A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311135670.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明涉及无机化合物单晶生长技术领域，具体涉及一种反铁磁单晶的生长方法。该反铁磁单晶的生长方法包括步骤：将铁粉、硒粉以及氯化铯进行研磨处理，将混合粉末置于真空并封管的石英管中，加热升温至第一温度，保温第一预定时间，降温至第二温度，保温第二预定时间，冷却后得到CsFe2Se3反铁磁单晶。本发明的反铁磁单晶生长方法简单，原料容易获得，生长温度低，能耗低，该反铁磁CsFe2Se3单晶的生长成功率高达100％，采用该生长方法获得的产物单晶数量多，成品率高，且CsFe2Se3单晶完整性好，尺寸大，适用于多数常规的物性测量等研究手段，单晶质量满足多种科研与应用要求。
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公开(公告)号：CN116971033A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311043906.7
申请日：2023-08-17
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明公开一种四硒化三铁单晶及其制备方法，所述制备方法包括步骤：将提供的四硒化三铁多晶粉末和化学气相传输剂进行混合，得到混合粉末；将混合粉末置于石英管的一端，抽真空后封管；对石英管进行加热，使得石英管放置有混合粉末的一端在第一预设温度下保温第一预设时间，同时使得石英管未放置有混合粉末的一端在第二预设温度下保温第一预设时间，自然冷却后，得到四硒化三铁单晶；其中，第一预设温度为712～750℃，且大于第二预设温度。本发明首次采用化学气相传输法成功制备得到四硒化三铁单晶，步骤简单、生长周期短、成功率高，获得单晶数量多、完整性好、尺寸大，适用于多数常规的研究手段，弥补了四硒化三铁在单晶制备方面的空白。
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公开(公告)号：CN115172581A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210759518.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明公开的一种镁基热电高通量薄膜材料及其制备方法应用，所述制备方法包括步骤：在基片表面镀上镁基基体薄膜；采用真空蒸镀，利用分立掩膜工艺在镁基基体薄膜表面镀上掺杂元素；然后将镀上掺杂元素的镁基基体薄膜在真空设备中进行退火处理，制得镁基热电高通量薄膜材料。本发明采用真空蒸镀分立掩膜的方式，将热蒸发与电子束蒸发相互结合的形式，制备镁基热电高通量薄膜材料，一方面，可以使得薄膜材料符合低维化、小型化要求，小型化可以提高热电模块的集成密度，从而增加电力输出，且热电器件的特征尺寸越小，功率密度也就越大；另一方面，该制备方法具有制备时间短，原料使用少，制备成分多等特点，同时适用于工业化大规模生产和筛选。
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