热电薄膜性能的检测系统
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115326865A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202210743247.7

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 本申请公开了热电薄膜性能的检测系统,本申请涉及热电薄膜材料测试技术领域,以解决现有无法对制备在绝缘基底上的热电薄膜样品进行电压测试以及无法测试尺寸较小的热电薄膜电压的问题,所述检测系统包括样品台,所述样品台包括具有热释电性能的绝缘导热基板,所述绝缘导热基板用于放置热电薄膜样品。本申请通过采用具有热释电性能的绝缘导热基板放置热电薄膜样品,在对热电薄膜样品进行电压测试时,具有热释电性能的绝缘导热基板能够放大热电薄膜样品的电压,从而实现对尺寸小以及绝缘导板基板上的热电薄膜样品进行电压测试。

    含高熵热电界面材料的Mg-Sb基热电器件及制备方法

    公开(公告)号:CN116889123A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202280008446.1

    申请日:2022-09-22

    Abstract: 一种含高熵热电界面材料的Mg‑Sb基热电器件及制备方法,热电器件包括热电转换材料、热电界面材料,热电界面材料复合至热电转换材料的至少部分表面,热电界面材料包含如下化学通式:FeaTibCrcMndMge,a=0.5~1.5;b=0.5~1.5;c=0.5~1.5;d=0.5~1.5;e=0.5~1.5。FeaTibCrcMndMge/TEcM接触界面不仅在合成之后具备极佳的综合性能,而且在400℃服役15天后依然具有高剪切强度(>30MPa)、低接触电阻率(

    一种镁基热电高通量薄膜材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115172581A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210759518.8

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明公开的一种镁基热电高通量薄膜材料及其制备方法应用,所述制备方法包括步骤:在基片表面镀上镁基基体薄膜;采用真空蒸镀,利用分立掩膜工艺在镁基基体薄膜表面镀上掺杂元素;然后将镀上掺杂元素的镁基基体薄膜在真空设备中进行退火处理,制得镁基热电高通量薄膜材料。本发明采用真空蒸镀分立掩膜的方式,将热蒸发与电子束蒸发相互结合的形式,制备镁基热电高通量薄膜材料,一方面,可以使得薄膜材料符合低维化、小型化要求,小型化可以提高热电模块的集成密度,从而增加电力输出,且热电器件的特征尺寸越小,功率密度也就越大;另一方面,该制备方法具有制备时间短,原料使用少,制备成分多等特点,同时适用于工业化大规模生产和筛选。

    一种热电器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116828955B

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202310742037.0

    申请日:2023-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种热电器件及其制备方法,热电器件包括:热电材料基质层、附着在所述基质层的两个表面的电极层,其中,所述电极层的材料为铜镁铁合金。通过采用铜镁铁合金作为电极材料,降低了电极层与热电材料基质层之间的界面电阻,提升了抗剪切强度,本发明提供的热电器件在370℃的温差(ΔT)下,单支器件的功率密度(ωmax)为2.6W cm‑2,转换效率(ηmax)为8%。

    一种含防护层的热电器件及制备方法

    公开(公告)号:CN117796181A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202280008443.8

    申请日:2022-09-22

    Abstract: 一种含防护层的热电器件及制备方法,热电器件包括热电转换材料、热电界面材料,所述热电界面材料复合至所述热电转换材料的至少部分表面,所述热电界面材料的至少部分表面复合有防护层,所述防护层包括镁或镁合金。经过涂层保护的Mg3Sb2基热电材料具有优异的稳定性,经400℃服役30天后,内阻变化率、塞贝克系数变化率均较小。大电流密度极端测试后,材料内阻变化率较小。

    一种热电器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116828955A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310742037.0

    申请日:2023-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种热电器件及其制备方法,热电器件包括:热电材料基质层、附着在所述基质层的两个表面的电极层,其中,所述电极层的材料为铜镁铁合金。通过采用铜镁铁合金作为电极材料,降低了电极层与热电材料基质层之间的界面电阻,提升了抗剪切强度,本发明提供的热电器件在370℃的温差(ΔT)下,单支器件的功率密度(ωmax)为2.6W cm‑2,转换效率(ηmax)为8%。

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