公开(公告)号：CN117210940A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311135670.X

申请日：2023-08-31

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 梅佳伟 ,  张文清 ,  岳磊 ,  郝占阳 ,  王乐 ,  刘才

IPC: C30B29/46 ,  C30B11/00 ,  H01F41/02 ,  H01F1/00

Abstract: 本发明涉及无机化合物单晶生长技术领域，具体涉及一种反铁磁单晶的生长方法。该反铁磁单晶的生长方法包括步骤：将铁粉、硒粉以及氯化铯进行研磨处理，将混合粉末置于真空并封管的石英管中，加热升温至第一温度，保温第一预定时间，降温至第二温度，保温第二预定时间，冷却后得到CsFe2Se3反铁磁单晶。本发明的反铁磁单晶生长方法简单，原料容易获得，生长温度低，能耗低，该反铁磁CsFe2Se3单晶的生长成功率高达100％，采用该生长方法获得的产物单晶数量多，成品率高，且CsFe2Se3单晶完整性好，尺寸大，适用于多数常规的物性测量等研究手段，单晶质量满足多种科研与应用要求。

公开(公告)号：CN116971033A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202311043906.7

申请日：2023-08-17

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 梅佳伟 ,  张文清 ,  岳磊 ,  郝占阳 ,  王乐 ,  刘才

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/00 ,  B22F1/00 ,  B22F9/04

Abstract: 本发明公开一种四硒化三铁单晶及其制备方法，所述制备方法包括步骤：将提供的四硒化三铁多晶粉末和化学气相传输剂进行混合，得到混合粉末；将混合粉末置于石英管的一端，抽真空后封管；对石英管进行加热，使得石英管放置有混合粉末的一端在第一预设温度下保温第一预设时间，同时使得石英管未放置有混合粉末的一端在第二预设温度下保温第一预设时间，自然冷却后，得到四硒化三铁单晶；其中，第一预设温度为712～750℃，且大于第二预设温度。本发明首次采用化学气相传输法成功制备得到四硒化三铁单晶，步骤简单、生长周期短、成功率高，获得单晶数量多、完整性好、尺寸大，适用于多数常规的研究手段，弥补了四硒化三铁在单晶制备方面的空白。

公开(公告)号：CN117344367A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311174051.1

申请日：2023-09-11

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 梅佳伟 ,  张文清 ,  岳磊 ,  郝占阳 ,  王乐 ,  刘才

IPC: C30B1/10 ,  C30B29/46 ,  C30B29/66

Abstract: 本发明涉及无机化合物单晶生长技术领域，具体涉及一种笼目结构单晶的生长方法。该笼目结构单晶的生长方法包括步骤：将铑粉和硫粉进行研磨，再和铅丸置于石英管内抽真空并封管，将石英管升温并保温，然后降温并保温，对石英管进行离心处理，得到笼目结构的Rh3Pb2S2单晶。本发明首次公开了笼目结构Rh3Pb2S2单晶的合成方法，其工艺简单，所需原材料容易获取，所需生长周期短，能耗低，且笼目结构Rh3Pb2S2单晶的生长成功率高达100％。通过该单晶生长方法制得的Rh3Pb2S2单晶完整性好，尺寸大，结晶性好，适用于多数常规的物性测量等研究手段，单晶的质量可保证满足多种科研与应用要求。

公开(公告)号：CN117049494A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311021795.X

申请日：2023-08-14

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 梅佳伟 ,  张文清 ,  岳磊 ,  郝占阳 ,  王乐 ,  刘才

IPC: C01B25/45

Abstract: 本发明公开一种负热膨胀材料及其制备方法，所述负热膨胀材料的化学式为A2BaCo(PO4)2，其中，A选自Li、Na、K、Rb、Cs中的一种。发明首次提供了化学式为A2BaCo(PO4)2的负热膨胀材料，所述负热膨胀材料在4～300K温度范围内无结构相变，并表现出单a轴的负膨胀特性。其中，在100～300K范围内，单a轴的负膨胀特性最为显著。

公开(公告)号：CN112962139A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202110236047.8

申请日：2021-03-03

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 刘才

IPC: C30B7/00 ,  C30B7/14

Abstract: 本发明公开一种薄膜生长方法及装置，其中，所述装置包括溶液持续供给装置，通过管道与所述溶液持续供给装置连通的反应容器，位于所述反应容器下方的磁力旋转加热台，设置在所述反应容器内部的旋转样品托，设置在所述旋转样品托上的衬底，所述旋转样品托上设置有第一扰流结构。本发明通过引入设置有第一扰流结构的旋转样品托和溶液持续供给装置，所述第一扰流结构可对反应前驱体溶液的流场和前驱体浓度分布进行调控；所述溶液持续供给装置持续为溶液生长系统补充生长所需原料，维持薄膜最佳生长环境，精细调控薄膜生长动力学过程，使得所生长薄膜材料的晶体质量得到质的提升，对薄膜形貌与尺寸实现精细化调控。

公开(公告)号：CN109371469A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811566327.X

申请日：2018-12-18

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 黄明远 ,  刘才 ,  程涵彦

IPC: C30B29/46 ,  C30B35/00

Abstract: 本发明涉及一种单晶材料，所述单晶材料为铜掺杂硫化钽单晶，所述单晶材料为2H相。本发明单晶材料的制备方法，包括如下步骤：(1)将TaS2多晶、Cu粉和卤盐混合，得到前驱体；(2)将所述前驱体放入单晶炉中，熔融生长，制得单晶材料粗品。本发明采用在单晶炉中熔融生长的方式制备单晶材料，制得材料的成功率高，在单晶炉中熔融生长可有效的控制晶体的尺寸和形貌，生长周期缩短至十天以内，可工业化生产，且制得的单晶材料不易开裂。