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公开(公告)号：CN117535575A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311557562.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 南方科技大学
IPC: C22C30/00 , H10N10/01 , H10N10/80 , H10N10/853 , C22C12/00 , C22C5/06 , B22F1/00 , B22F9/04 , B22F3/105 , B22F3/14 , C22C1/04
Abstract: 本发明公开了一种热电界面材料及其制备方法、热电器件，所述热电界面材料的化学组成表示为MgaAgbXc,X为过渡族金属，a、b、c为原子比率，a＝0‑2.5；b＝0‑1.5；c＝0‑1.5，且a，b，c不同时为零。所述的热电器件包含该热电界面材料。所述的热电界面材料与MgAgSb TEcM具有高粘接强度和低接触电阻率的接触界面，并且在相变温度范围内具有优异的焊接和抗热冲击稳定性。所述的热电器件，在325℃的温差下显示出0.8W cm‑2的最大功率密度和9.1％的最大转换效率，这是全Mg基无Te热电装置在低温范围内的突破性值。本发明提供了一种生态友好、高性能和低成本的替代传统Bi2Te3基热电装置的解决方案，用于低品位废热回收。
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公开(公告)号：CN112038283A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010703320.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明提供一种材料芯片的制备方法，包括沉积步骤、固化步骤、显影步骤、烘烤步骤；各前驱体溶液分别按照沉积步骤、固化步骤、显影步骤和烘烤步骤，在基片的不同部位制备目标薄膜，最后统一进行退火处理，获得分立材料芯片；或者，各前驱体溶液按照沉积步骤在基片上制成目标薄膜，然后对具有目标薄膜的基片进行烘烤，循环进行沉积步骤和烘烤步骤，在基片的同一部位制备层叠的目标薄膜，最后统一进行退火处理，获得连续薄膜芯片。本发明先进行沉积，得到目标薄膜，再放置掩模板，固化之后加入显影液，得到目标芯片，有效降低成本，并解决现有技术中由于掩模板边缘的阻挡导致实际沉积薄膜的尺寸小于掩模板的尺寸的问题。
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公开(公告)号：CN116828955B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202310742037.0
申请日：2023-06-20
Applicant: 南方科技大学
IPC: H10N10/80 , H10N10/01 , H10N10/851 , H10N10/853
Abstract: 本发明公开了一种热电器件及其制备方法，热电器件包括：热电材料基质层、附着在所述基质层的两个表面的电极层，其中，所述电极层的材料为铜镁铁合金。通过采用铜镁铁合金作为电极材料，降低了电极层与热电材料基质层之间的界面电阻，提升了抗剪切强度，本发明提供的热电器件在370℃的温差(ΔT)下，单支器件的功率密度(ωmax)为2.6W cm‑2，转换效率(ηmax)为8％。
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公开(公告)号：CN119843138A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411646902.2
申请日：2024-11-18
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明涉及量子材料技术领域，尤其涉及一种具有量子临界点的量子材料及其制备方法与应用，量子材料由Ti、Fe、Cu和Sb四种元素组成，化学式为TiFexCuySb，其中1＜x+y＜2。该量子材料具有从自旋玻璃态到重费米子态的转变结构，具备独特的量子临界特性。在0K温度和0.13Tesla磁场下，材料的电阻、比热、格林安森常数等呈现出明显的量子临界行为，例如电阻随温度的变化符合线性行为，比热随磁场的变化符合λ型趋势，在0.13Tesla处出现极大值，磁性在1K温度以下表现出明显的自旋玻璃态行为，这些特性指标较现有量子材料有显著差异，为研究量子临界相和非常规输运行为如非常规超导提供了新的材料基础。
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公开(公告)号：CN117796181A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280008443.8
申请日：2022-09-22
Applicant: 南方科技大学
IPC: H10N10/817 , B32B15/01
Abstract: 一种含防护层的热电器件及制备方法，热电器件包括热电转换材料、热电界面材料，所述热电界面材料复合至所述热电转换材料的至少部分表面，所述热电界面材料的至少部分表面复合有防护层，所述防护层包括镁或镁合金。经过涂层保护的Mg3Sb2基热电材料具有优异的稳定性，经400℃服役30天后，内阻变化率、塞贝克系数变化率均较小。大电流密度极端测试后，材料内阻变化率较小。
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公开(公告)号：CN113066923B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110259920.5
申请日：2021-03-10
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全静态固体制冷器及其制备方法，所述全静态固体制冷器包括：第一电卡制冷器，叠设在所述第一电卡制冷器表面的热电制冷器以及叠设在所述热电制冷器表面的第二电卡制冷器；所述第一电卡制冷器与所述第二电卡制冷器结构相同；所述第一电卡制冷器包括：基板以及沉积在所述基板表面的具有正电卡效应和负电卡效应的电介质材料层。本发明所提供的基于电卡‑热电效应的全静态固体制冷器，具有工作温度低，温度调节效果好，使用寿命较长，无运动部件、工作温度范围广、制冷效率高，稳定性和可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN119797386A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411695237.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 南方科技大学
IPC: C01B35/04 , H10N10/853
Abstract: 本发明涉及热电材料技术领域，本发明公开了一种Mg3Bi2基热电材料及其制备方法。方法包括：选择(002)峰强度较高的含镁原料作为镁原料；按照化学计量比例称取所述镁原料与铋，将所述镁原料与所述铋混合后进行球磨，得到混合粉料；对所述混合粉料进行烧结，得到所述Mg3Bi2基热电材料。本发明提供的制备方法以(002)方向择优取向的Mg金属原料为模版，结合机械合金化和烧结技术，制备出了沿(002)方向择优取向的Mg3Bi2基热电材料，所得到的热电材料在2K温度和14Tesla磁场下，磁阻为3342‑5089％。该方法有望为其他Mg基化合物制备择优取向结构提供借鉴思路。在能源回收和废热利用等领域具有广阔应用前景。在工业余热回收系统中，可高效将废热转化为电能，减少能源浪费。
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公开(公告)号：CN119730695A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411581727.3
申请日：2024-11-07
Applicant: 南方科技大学
IPC: H10N10/853 , H10N10/01
Abstract: 本发明涉及热电材料技术领域，尤其涉及一种横向热电材料及其制备方法与应用，横向热电材料为过渡金属掺杂的Mg3Bi2，过渡金属掺杂的Mg3Bi2记为Mg3Bi2:Mx，其中M为过渡金属元素；x的取值范围为0‑0.3且不等于0。通过不同过渡金属掺杂可在Mg3Bi2材料内部引入负化学压力，而这种负化学压力的存在可促使能带结构从拓扑绝缘体向拓扑半金属发生转变、诱导具明显线性色散特性的狄拉克点，进而极大的提升了此类材料的电子迁移率、磁阻和横向热电势。该横向热电材料具有从拓扑绝缘体到狄拉克半金属的拓扑转变结构，使得横向热电材料具有高横向热电性能，有望高效实现热能与电能转换。并且，该横向热电材料的制备方法简单易行，易于大规模制备，且降低生产成本和提高生产效率。
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