公开(公告)号：CN105162417A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510417670.8

申请日：2015-07-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 朱景洁 ,  蔡宏琨 ,  张建军 ,  张德贤

IPC: H02S50/15

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池组件表面灰尘自动监测系统，包括传感器、太阳电池组件、电源模块、检测模块、处理模块、输出模块和驱动模块。通过将传感器安装在太阳电池组件内部，可以准确测出组件内太阳电池实际可接收到的光照强度。通过与放在组件外部的传感器测得的光照强度数据的实时比对，再运用一定的数据处理算法，可以较为准确判断太阳电池组件表面的灰尘积累程度。该系统准确度较高、易于实施，判断方法新颖，能够实现实时监测，在太阳电池组件清洁领域具有一定的市场需求。将此系统应用在实际的光伏发电系统中，可较为准确的给出清洁的时机，进一步降低太阳电池组件的清洁成本。

公开(公告)号：CN103413869A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310294317.6

申请日：2013-07-15

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  张晓丹 ,  赵颖 ,  赵慧旭 ,  杨旭 ,  倪牮 ,  张德坤 ,  魏长春 ,  张建军 ,  耿新华

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/076

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种绒面结构ZnO-TCO薄膜的制备方法及其应用，绒面结构ZnO-TCO薄膜的结构特征为玻璃/低掺杂型绒面结构ZnO:B/超薄ITO薄膜/高导电透明ZnO:B薄膜，制备步骤是：1）利用MOCVD技术在玻璃衬底上生长绒面结构低含量硼掺杂ZnO透明导电薄膜；2）利用热蒸发技术生长超薄Sn掺杂In2O3薄膜；3）在该薄膜上生长小晶粒尺寸的高导电和高透明ZnO:B薄膜。本发明的优点：MOCVD技术获得的ZnO薄膜，在较低B掺杂情况下可降低自由子流子浓度，提高薄膜电子迁移率；热蒸发技术生长超薄ITO薄膜，促进ZnO薄膜的生长取向，促进晶化；用于pin型Si基叠层薄膜太阳电池，可实现较高光电转化效率。

公开(公告)号：CN102903767A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210436043.5

申请日：2012-11-05

Applicant: 南开大学

Inventor： 倪牮 ,  马峻 ,  张建军 ,  侯国付 ,  陈新亮 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料，是采用层递式沉积方法制备的由宽带隙非晶硅碳薄膜和窄带隙p型纳米颗粒硅薄膜交替生长的多层材料，非晶硅碳薄膜的厚度为2-8nm，p型纳米颗粒硅薄膜的厚度为2-8nm，如此循环沉积多次，直至形成总厚度为20-50nm的p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱材料；该p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料用于硅基薄膜太阳电池。本发明的优点是：该材料光学带隙可达2.0~3.7eV，电导率可达0.1~5.0S/cm；该材料用于硅基薄膜太阳电池，可显著提高电池的开路电压，降低窗口层的光吸收损失，提高电池的短波响应和短路电流密度，提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN102176471B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201110058727.1

申请日：2011-03-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  耿新华 ,  王斐 ,  闫聪博 ,  张德坤 ,  孙建 ,  魏长春 ,  张建军 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L31/20 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜，具有玻璃/绒面结构BZO/高电导率HGZO结构，其中BZO为B掺杂ZnO；HGZO为H化Ga掺杂ZnO；其制备方法是利用MOCVD技术和磁控溅射技术相结合生长高迁移率绒面结构BZO/高电导率HGZO薄膜；该复合薄膜可应用于pin型μc-Si薄膜太阳电池和a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池。本发明的优点：MOCVD技术获得的BZO薄膜具有绒面结构，同时在较低B掺杂情况下有效地降低了自由载流子浓度，提高了薄膜电子迁移率，减少了对i近红外区域的吸收；磁控溅射技术生长高电导并且具有高电子迁移率的HGZO薄膜，降低了对太阳光谱中近红外区域的吸收。

公开(公告)号：CN102199759A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110132760.4

申请日：2011-05-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  耿新华 ,  王斐 ,  张德坤 ,  魏长春 ,  黄茜 ,  张建军 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L31/0224

Abstract: 一种梯度氢气法生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，以玻璃衬底为基片，以ZnO:Ga2O3或ZnO:Al2O3作为靶材原料，溅射气体为Ar气，溅射过程中引入氢气且在溅射镀膜周期中氢气流量呈梯度变化，利用磁控溅射镀膜技术制备绒面结构ZnO-TCO薄膜。本发明的优点是：相比于正常氢气流量下利用磁控溅射镀膜技术获得的绒面结构ZnO-TCO薄膜，利用梯度氢气流量法生长的绒面结构ZnO-TCO薄膜具有较好的透过率和较好的电学特性，且薄膜的绒面结构取得明显改善；该薄膜应用于微晶硅薄膜电池或非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池，可提高光散射作用，增加入射光程，有效降低有源层厚度，提高Si基薄膜太阳电池的效率和稳定性。

公开(公告)号：CN101572279B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200910069202.0

申请日：2009-06-10

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  耿新华 ,  薛俊明 ,  张建军 ,  赵颖

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种磁控溅射技术生长新型高迁移率绒面结构IMO/ZnO透明导电薄膜及太阳电池应用的方法。此种技术生长IMO/ZnO薄膜分两个阶段进行。首先，利用溅射技术玻璃衬底上生长高迁移率IMO(即Mo掺杂In2O3)透明导电薄膜，薄膜厚度50-150nm；其次，利用溅射技术生长Al或者Ga低掺杂ZnO薄膜，薄膜厚度500-1200nm，而后借助湿法刻蚀技术创造出绒面结构特征。新型复合TCO薄膜的结构特征是玻璃/高迁移率IMO薄膜/绒面结构ZnO。典型薄膜电阻率～2-8×10-4Ωcm，方块电阻～5-15Ω，载流子浓度～3-10×1020Ωcm，电子迁移率～30-90cm2V-1s-1，可见光和近红外区域平均透过率～80％。高迁移率绒面结构IMO/ZnO薄膜提高了近红外区域光谱透过(λ＝800-1500nm)，并增强了对入射光的散射，可应用于pin型Si基薄膜太阳电池，尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池。

公开(公告)号：CN101752435A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910244846.9

申请日：2009-12-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 张建军 ,  张丽平 ,  倪牮 ,  曹宇 ,  王先宝 ,  赵颖 ,  耿新华

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18 ,  C23C16/513 ,  C23C16/455

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、P型窗口层、本征层I、N+层、背反射电极和金属电极，本征层I为微晶硅锗薄膜；该微晶硅锗薄膜的制备方法包括下述步骤：1)将带有透明导电膜的玻璃衬底放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷、锗烷、氟化锗和氢气的条件下，沉积微晶硅锗薄膜。本发明的有益效果是：该硅基薄膜电池结构新颖；制备的微晶硅锗薄膜材料具有窄带隙、低缺陷、高光敏性的优点且制备工艺简单、容易操作、制造成本低；采用该材料的硅基薄膜电池可提高光谱响应范围、稳定性和转化效率。

公开(公告)号：CN101736321A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910244848.8

申请日：2009-12-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 张建军 ,  张丽平 ,  倪牮 ,  曹宇 ,  王先宝 ,  赵颖 ,  耿新华

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/42 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法，包括下述步骤：1)将带有T的玻璃衬底G放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷和锗烷、稀释气体氦气和氢气的条件下，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积微晶硅锗薄膜，气体的流量为：硅烷(5-10)sccm、锗烷(0.5-1.0)sccm、氢气(100-200)sccm、氦气与氢气的流量比为1∶1～5。本发明的有益效果是：该法制备的微晶硅锗薄膜具有窄带隙、低缺陷和高光敏性等优点，且制备工艺简单、容易操作、制造成本低；采用该材料的硅基薄膜电池可提高光谱响应范围、稳定性和转化效率。

公开(公告)号：CN101320629A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810053817.X

申请日：2008-07-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 蔡宁 ,  赵颖 ,  张晓丹 ,  熊绍珍 ,  张建军 ,  孙健 ,  魏长春

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/04 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M14/00 ,  H01M10/36 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于染料敏化太阳电池的对电极，由基片、金属层、阻隔层和催化层构成，其制备方法是金属层、阻隔层和催化层依次沉积于基片上；当染料敏化太阳电池所采用的电解质对金属层无腐蚀性时，在金属层与催化层之间不设阻隔层，即催化层直接镀敷在金属层表面。本发明的优点是：可将染料没有完全吸收的太阳光反射回来，增加光程、提高太阳光的利用率和染料的吸收率；可显著降低电池串联电阻和电池内耗，改善欧姆接触，提高电池的填充因子和输出功率；基底材料的选择范围广，制备方法简单且成本低；金属层的制备简单，沉积温度选择范围宽，易于实现大规模、高速率沉积；可显著提高染料敏化太阳电池的光电转换效率，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN101187016A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710150229.3

申请日：2007-11-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 赵颖 ,  张晓丹 ,  葛洪 ,  任慧志 ,  薛俊明 ,  许盛之 ,  张建军 ,  魏长春 ,  侯国付 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: C23C16/505

Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室背馈入式平行板功率电极，包括平行板功率电极板和功率馈入连接端口，其特征在于所述功率馈入连接端口位于功率电极板的背面，功率电极板的正面与衬底S相对。本发明利用电极功率馈入端口位置的优化分布，抑制了电极馈入端口附近电势的对数奇点效应和电势驻波效应，使电场分布均匀性得到较大的改善，因而可以避免由于采用电极边缘功率馈入方式造成的电场分布不均匀问题。本发明解决了大面积电极板电位分布的均匀性问题，为研发大面积VHF－PECVD薄膜沉积和刻蚀系统奠定了基础，可有力推动硅薄膜电池和薄膜晶体管矩阵技术产业化进程。