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公开(公告)号：CN102903767A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210436043.5
申请日：2012-11-05
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0376 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料，是采用层递式沉积方法制备的由宽带隙非晶硅碳薄膜和窄带隙p型纳米颗粒硅薄膜交替生长的多层材料，非晶硅碳薄膜的厚度为2-8nm，p型纳米颗粒硅薄膜的厚度为2-8nm，如此循环沉积多次，直至形成总厚度为20-50nm的p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱材料；该p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料用于硅基薄膜太阳电池。本发明的优点是：该材料光学带隙可达2.0~3.7eV，电导率可达0.1~5.0S/cm；该材料用于硅基薄膜太阳电池，可显著提高电池的开路电压，降低窗口层的光吸收损失，提高电池的短波响应和短路电流密度，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101187016A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710150229.3
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室背馈入式平行板功率电极，包括平行板功率电极板和功率馈入连接端口，其特征在于所述功率馈入连接端口位于功率电极板的背面，功率电极板的正面与衬底S相对。本发明利用电极功率馈入端口位置的优化分布，抑制了电极馈入端口附近电势的对数奇点效应和电势驻波效应，使电场分布均匀性得到较大的改善，因而可以避免由于采用电极边缘功率馈入方式造成的电场分布不均匀问题。本发明解决了大面积电极板电位分布的均匀性问题，为研发大面积VHF－PECVD薄膜沉积和刻蚀系统奠定了基础，可有力推动硅薄膜电池和薄膜晶体管矩阵技术产业化进程。
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公开(公告)号：CN118507550A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410661465.5
申请日：2024-05-27
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , B82Y30/00 , H01L31/18 , H01L31/0745
Abstract: 本发明公开了一种具有氧化钼/金属纳米颗粒/氧化钼（MAM）空穴选择性接触层的晶硅异质结太阳电池的结构及制备方法。该具有MAM空穴选择性接触层的晶硅异质结电池的特征在于空穴选择性接触层采用两层MoOx薄膜中间加入一层金属纳米颗粒，组成MAM多层膜的结构。本发明公开的一种具有MAM空穴选择性接触层的晶硅异质结电池的优势在于保持空穴选择性接触层MAM薄膜高功函数的同时，通过金属纳米颗粒的加入降低接触电阻，大幅提升空穴载流子的传输能力，进而提升太阳电池转换效率。
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公开(公告)号：CN118053614A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410356101.6
申请日：2024-03-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种高稳定复合透明导电薄膜的制备方法及应用，属于光电子器件领域。本发明利用反应等离子体沉积(Reactive plasma deposition‑RPD)技术等生长低成本透明导电薄膜(如铝或镓掺杂ZnO薄膜，即AZO或GZO；或者Zn2SnO4薄膜等)，利用反应等离子体沉积或磁控溅射技术或电子束蒸发技术生长保护层(Protective layer，如SnOx，Al2O3，IMO(即Mo掺杂In2O3)等)，从而形成并获得复合透明导电薄膜Oxide/Protective layer。本发明中的低成本透明导电薄膜提供了良好的透光率和导电性，而保护层提高了湿热稳定性，此种复合薄膜可应用于光电器件(如太阳电池和发光二极管等)。
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公开(公告)号：CN111293222B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010118785.8
申请日：2020-02-25
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种正交叉指全背接触钙钛矿太阳电池结构。该结构从下到上依次是：1)衬底；2)正电极；3)空穴传输层；4)绝缘隔离层；5)负电极；6)电子传输层；7)钙钛矿吸收层；8)钝化层；9)减反保护层。其特征在于正电极和负电极均在电池的背光面，正交排列但不相连，通过绝缘材料填充等方式进行相互隔断。钙钛矿吸收层可采用多晶或单晶钙钛矿材料；钝化层采用PMMA、PEAI等化合物减少钙钛矿吸收层表界面缺陷及其载流子复合；减反保护层为低折射率致密薄膜或绒面结构减反膜。本发明公开的太阳电池结构可以避免迎光面电极的遮光损失和电荷传输层或衬底的寄生吸收，提高钙钛矿太阳电池转换效率，并改善太阳电池外观。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112885503B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110036640.8
申请日：2021-01-12
Applicant: 南开大学
IPC: H01B5/14 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01L33/42 , H01L51/42 , H01L51/44 , G09F9/30 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/20 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/06
Abstract: 一种超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法及应用，属于光电子器件领域。本发明采用磁控溅射技术等生长超薄Ag‑Zn薄膜，其中Ag金属靶材(掺杂剂为Zn)作为原材料，Ar气体作为溅射气体，选择性地在镀膜过程中引入微量O2；利用反应等离子沉积技术等生长氧化物Oxide薄膜，从而形成并获得Oxide/Ag‑Zn/Oxide或Oxide/Ag‑Zn(O)/Oxide复合薄膜。本发明中超薄Ag‑Zn薄膜的阈值厚度(～5nm)显著低于常规方法制备Ag薄膜的阈值厚度，能在保持良好导电性的前提下，大幅提升近红外NIR透过率以及宽光谱范围透过率，且制造温度和镀膜成本低、环境友好，其OMO复合薄膜可应用于光电器件。
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公开(公告)号：CN113644167A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202111079745.8
申请日：2021-09-15
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种用于隧穿氧钝化接触（TOPCon）晶硅太阳电池的激光退火制备多晶硅基合金方法，其具体制备过程为：沉积非晶硅基合金薄膜；利用激光扫描非晶硅基合金薄膜，使之退火形成多晶硅基合金薄膜薄膜；将上述样品放在退火炉里，并通入一定的含氢气体，在较高温度下保持一段时间进行补氢；在一次补氢后的样品沉积一定厚度Al2O3层；最后将上述样品再次放在退火炉中，在一定气氛中、一定温度下保持一段时间，进行二次补氢。本发明采用高能量密度的激光退火实现非晶硅基合金薄膜的快速晶化形成多晶硅合金薄膜，相对传统的热退火能够显著缩短退火时间，有利于提高生产效率，节约生产成本。
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公开(公告)号：CN112885503A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110036640.8
申请日：2021-01-12
Applicant: 南开大学
IPC: H01B5/14 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01L33/42 , H01L51/42 , H01L51/44 , G09F9/30 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/20 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/06
Abstract: 一种超薄银基OMO复合透明导电薄膜的制备方法及应用，属于光电子器件领域。本发明采用磁控溅射技术等生长超薄Ag‑Zn薄膜，其中Ag金属靶材(掺杂剂为Zn)作为原材料，Ar气体作为溅射气体，选择性地在镀膜过程中引入微量O2；利用反应等离子沉积技术等生长氧化物Oxide薄膜，从而形成并获得Oxide/Ag‑Zn/Oxide或Oxide/Ag‑Zn(O)/Oxide复合薄膜。本发明中超薄Ag‑Zn薄膜的阈值厚度(～5nm)显著低于常规方法制备Ag薄膜的阈值厚度，能在保持良好导电性的前提下，大幅提升近红外NIR透过率以及宽光谱范围透过率，且制造温度和镀膜成本低、环境友好，其OMO复合薄膜可应用于光电器件。
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公开(公告)号：CN112563428A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011410214.8
申请日：2020-12-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种纳米结构修饰的电子传输层，首先在氧化物电子传输层纳米颗粒原液中混合一定比例易溶解的单分散聚苯乙烯纳米球乳胶溶液，随后采用共旋涂的工艺，制备含有单分散聚苯乙烯纳米球预置结构的电子传输层，最后在甲苯溶液中浸没以去除单分散聚苯乙烯纳米球预置结构，得到具有半球状纳米结构修饰的电子传输层。该结构通过将纳米结构直接制备于电子传输层中，可提升电子传输层的平均透过率及散射绒度，获得更佳的光子利用率，并减少载流子在吸收层与电子传输层界面处的抽取时间，能够起到光子散射与促进光生载流子收集的双重作用，有效提升器件的光电特性。
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公开(公告)号：CN108183169B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201711453211.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 南开大学 , 天合光能股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域，该电池采用经特定规格刻蚀的ITO玻璃作为衬底，钙钛矿材料作为吸收层，使用轻薄可塑性较好的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)覆盖膜以及对钙钛矿材料影响不显著的透明AB胶来对钙钛矿电池进行封装，最大程度的保证了密封性，使得钙钛矿电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。
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