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公开(公告)号：CN104319751A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410529845.X
申请日：2014-10-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H02H9/02
Abstract: 本发明公开了一种基于电磁损耗的电动汽车共模电流抑制器。抑制器电路采用集总元件的梯形网络形式，单元结构为串联电感线圈、并联电容器构成的低通电路。针对电动汽车中沿电缆-底盘传导的、1-30MHz频率范围的共模电流，考虑到单元结构长度Pu要远小于共模电流波长以及电路制备的方便，取Pu≈2cm，电感线圈中填充磁导率实部、虚部均在10量级的复合磁性材料，电容器中填充介电常数实部、虚部均在10量级的复合介电材料。把共模电流抑制器串联到电动汽车的电缆上，由于抑制器具有较大的衰减系数，使得共模电流以指数形式迅速衰减，强烈地抑制后续电路中的共模电流。本发明结构简单、便于制备、可有选择性地高效抑制较宽频段范围的共模电流。
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公开(公告)号：CN118450789A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410527355.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了本发明公开一种基于应力调控的电流驱动skyrmion晶体管器件，属于半导体技术领域。其包括矩形通道一和矩形通道三，所述矩形通道一和矩形通道三之间通过矩形通道二连接；所述矩形通道一设有绝缘层和铁磁层形成写入端；所述矩形通道三设有绝缘层和铁磁层形成读取端；在所述写入端加压改变绝缘层和铁磁层磁场以在所述矩形通道一中形成斯格明子，通过在矩形通道一中注入水平极化电流驱动所述斯格明子向读出端移动，并在读出端捕获斯格明子信号；本发明能够达到，能够调控晶体管器件输出稳定信号。
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公开(公告)号：CN118450788A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410527002.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了本发明公开一种基于电流驱动RKKY耦合skyrmionium的STNO器件，属于半导体材料技术领域；其包括：top磁性层；形成于top磁性层下方的间隔层一；形成于间隔层一下方的bottom磁性层；形成于bottom磁性层下方的间隔层二；形成于间隔层二下方的固定层；在所述top磁性层和bottom磁性层构建嵌套斯格明子，通过RKKY应力调控两层嵌套斯格明子达到稳定振荡，输出稳定频率；本发明STNO器件，其可对振荡频率进行有效调控，能够有效调控STNO器件输出稳定振荡频率。
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公开(公告)号：CN116111012A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211412638.7
申请日：2022-11-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种可调控偏振发光模式的发光二极管，依次连接的p型电极、第一p型半导体层、第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层、衬底层和n型电极，所述p型电极、n型电极与第一p型半导体层的长度相等，第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层与衬底层的长度相等。本发明发光二极管通过改变结构使出射光以TM偏振光为主，增大出射光的发光强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111048637B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201911251245.0
申请日：2019-12-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种高落差台阶结构的多色LED外延芯片，包括衬底层，其特征在于：所述衬底层上形成至少一层的台阶结构，台阶与衬底层表面之间的落差≥5μm，每层台阶之间的落差≥5μm，在含有台阶结构的衬底层上依次生长GaN缓冲层、InGaN多量子阱结构，形成多色LED外延芯片。并公开了其制备方法。本发明利用紫外曝光、刻蚀等技术制备蓝宝石的高低落差，进MOCVD、MBE炉外延生长时，这种高低落差会造成表面具有较大的温度差，进而调控了不同区域铟镓组分。本方法可有效在同一外延片上获得不同发光波长区域，从而实现双色甚至多色LED芯片，该方法可低成本、高稳定实现全色高清显示芯片。
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公开(公告)号：CN109860385A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910171051.3
申请日：2019-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 基于Fe3N/GaN异质结构的磁性隧道结的设计和制备方法，磁性隧道结的设计，包括衬底，和依次设置在衬底上的铁磁电极、势垒层、铁磁电极、钉扎层、保护层；制备方法包括如下步骤：步骤1，将单晶蓝宝石薄膜作为衬底，并用酒精在超声清洗仪内对其进行5分钟的清洗；步骤2，在步骤1中的蓝宝石衬底上利用磁控溅射方法溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤3，将步骤2中所得的样品表面溅射一层GaN薄膜，作为势垒层；步骤4，将步骤3中所得的样品表面溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤5，将步骤4中所得的样品表面利用标准技术依次IrMn钉扎层和Ru保护层。本发明通过对于材料的选择，使得铁磁电极与隧穿层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。
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公开(公告)号：CN109860352A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910171314.0
申请日：2019-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 基于Fe3N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法，所述自旋发光二极管结构上自下而上包括：基板、粘结层、P电极、P-GaN层、有源层、N-GaN层、Fe3N薄膜层、电极；所述制备方法，包括如下步骤：步骤1，使用商业GaN基普通发光二极管作为本底二极管，其结构包括基板、粘结层、P电极、P-GaN层、有源层、N-GaN层；步骤2，在步骤1中的GaN基普通发光二极管上利用磁控溅射方法溅射一层(002)取向的Fe3N薄膜层；步骤3，将步骤2中所得的样品表面利用标准技术制备Cr/Cu欧姆接触电极。本发明通过自旋注入层材料的选择，使得自旋注入层与自旋输运层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。
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公开(公告)号：CN113030802B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202110200722.1
申请日：2021-02-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明提供一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，由下至上依次为源极、GaN层和AlGaN势垒层，所述GaN层和AlGaN势垒层之间异质结界面设有2DEG，所述AlGaN势垒层的两端分别设有漏极，所述AlGaN势垒层的上部设有栅极，所述GaN层由下至上依次为源层、N型GaN漂移层、电流阻断层和GaN外延层，所述电流阻断层中部设有穿孔层。通过结合水平结构和垂直结构器件的优势，使传感器相对灵敏度可高达237.04％/T(栅电压为0V，漏电压为5V时)，相比于同类型的磁场传感器，具备更高的相对灵敏度；电流沿着垂直方向从源极流向漏极，能有效缩小器件的尺寸，符合器件小型化的需求。
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公开(公告)号：CN104319751B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410529845.X
申请日：2014-10-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H02H9/02
Abstract: 本发明公开了一种基于电磁损耗的电动汽车共模电流抑制器。抑制器电路采用集总元件的梯形网络形式，单元结构为串联电感线圈、并联电容器构成的低通电路。针对电动汽车中沿电缆‑底盘传导的、1‑30MHz频率范围的共模电流，考虑到单元结构长度Pu要远小于共模电流波长以及电路制备的方便，取Pu≈2cm，电感线圈中填充磁导率实部、虚部均在10量级的复合磁性材料，电容器中填充介电常数实部、虚部均在10量级的复合介电材料。把共模电流抑制器串联到电动汽车的电缆上，由于抑制器具有较大的衰减系数，使得共模电流以指数形式迅速衰减，强烈地抑制后续电路中的共模电流。本发明结构简单、便于制备、可有选择性地高效抑制较宽频段范围的共模电流。
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