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公开(公告)号：CN104698537A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510085721.1
申请日：2015-02-17
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B6/13
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝基的导模共振多通道滤光器及其制备方法，包括硅衬底层、氮化铝波导层、氮化铝光栅，所述的氮化铝光栅由多排不同周期的线性光栅阵列组成。该可见光波段的导模共振多通道滤光器实现在硅衬底氮化铝晶片上，采用电子束曝光、离子束刻蚀、光刻法、深反应离子刻蚀等技术定义和刻蚀器件，采用背后对准工艺和深硅刻蚀技术，去除氮化铝光栅下方的硅衬底，使得氮化铝层完全悬空。该器件利用不同周期光栅的导模共振特性，实现了可见光波段内的多通道滤光。
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公开(公告)号：CN103185918B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310085681.1
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN103972789A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410134928.9
申请日：2014-04-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法，光学微腔器件包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的氮化镓层，氮化镓层中设置有非对称型回音壁模式光学微腔和水平的支撑臂，非对称型回音壁模式光学微腔下方设置有贯穿硅衬底层的空腔，使非对称型回音壁模式光学微腔完全悬空，非对称型回音壁模式光学微腔通过支撑臂与氮化镓层连接，实现微腔内部光全反射传播，最终方向性的输出。本发明器件能够实现激光选频并且定向输出的功能、制造工艺简便、输出功率高。
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公开(公告)号：CN102752765B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210215561.4
申请日：2012-06-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了异构网络中基于垂直切换率分析的无线资源分配方法，属于无线通信的技术领域。本发明通过建立角度移动模型计算出用户切换到热点内的切换率与用户切换到热点外切换率是相等的，利用垂直切换率的理论极限值来近似实际的垂直切换率，再根据实际的垂直切换率确定马尔科夫模型的参数，最大化网络吞吐量，有效降低了垂直切换率的计算复杂度，提高了无线资源分配效率。
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公开(公告)号：CN103626115A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310107025.7
申请日：2013-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供超薄氮化物微纳静电驱动器及其制备方法，该方法能够解决厚膜氮化物悬空器件的加工问题，获得厚度可控的超薄氮化物微纳静电驱动器。该氮化物微纳静电驱动器实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用电子束曝光技术定义微纳静电驱动器，并采用离子束轰击或反应离子束刻蚀方法在氮化物器件层实现器件结构；结合光刻技术，定义隔离槽，并采用反应离子束刻蚀方法刻蚀氮化物器件层至硅衬底；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除微纳静电驱动器下方硅衬底层，采用氮化物背后减薄刻蚀技术，实现驱动器固定部分和可移动部分的分离，获得硅衬底超薄氮化物微纳静电驱动器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103185909A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310085335.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了双面加工法制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀等技术定义和刻蚀器件，采用背后对准工艺和深硅刻蚀技术，去除微机电可调氮化物谐振光栅下方的高阻硅衬底，然后采用三五族刻蚀技术对微机电可调氮化物光栅进行背后减薄，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN117706660A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311721435.0
申请日：2023-12-14
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及天气预测技术领域，公开了一种基于CNN‑ViT技术强对流天气预报的方法，包括：获取历史天气雷达回波图像和自动站观测的雷达回波图像；对所述强对流雷达图像进行图像预处理；构建基于CNN‑ViT的深度学习模型并进行训练，得到训练好的所述深度学习模型；同步收集到的实时雷达回波图像至训练好的所述深度学习模型中，以使训练好的所述深度学习模型输出预测结果。本发明提供的基于CNN‑ViT技术强对流天气预报的方法，基于历史天气雷达和自动站观测数据，构建预测未来雷达回波、短时强降水、雷暴大风的CNN+ViT模型，提高模型的学习速度，同时提高了预测效果。
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公开(公告)号：CN110071204A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910328596.0
申请日：2019-04-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种用于透明显示屏的发光二极管及其制备方法。所述用于透明显示屏的发光二极管包括：外延层，包括下接触层、量子阱层和上接触层，所述下接触层包括下台面以及凸设于所述下台面表面的上台面，所述量子阱层位于所述上台面；绝缘层，覆盖于所述外延层表面，所述绝缘层中包括第一开口和第二开口；透明电极，自所述第二开口延伸至覆盖所述下台面的绝缘层表面，所述透明电极包括填充于所述第二开口内的第一端部以及与所述第一端部相对的第二端部；第一电极，填充于所述第一开口；第二电极，覆盖于所述第二端部表面。本发明提高了发光二极管的出光效率，进而有效改善了透明显示屏的显示质量。
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公开(公告)号：CN108233181A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711462671.X
申请日：2017-12-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法，通过硅衬底剥离和悬空氮化物薄膜背后减薄技术，获得悬空量子阱二极管器件结构，并利用聚焦离子束刻蚀和电子束蒸镀技术形成集成于悬空InGaN/GaN量子阱二极管的谐振光栅微腔，实现集成谐振光栅微腔的电泵浦悬空GaN薄膜激光器，可以改变谐振光栅微腔的结构参数或集成不同谐振光栅微腔，调控微腔结构，实现波长可调的悬空GaN薄膜激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。
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公开(公告)号：CN107104169A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710240402.2
申请日：2017-04-13
Applicant: 南京邮电大学
Inventor： 李欣 , 王永进 , 施政 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: H01L31/147 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/147 , H01L31/1876
Abstract: 本发明公开了一种基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片和N型掺杂硅晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的硅衬底层，硅衬底层部分掏空，形成悬空部位，悬空部位上方的顶层氮化物和镍/金电极构成薄膜LED蓝光发光器件，N型掺杂硅晶片顶层设置有适用于蓝光波段的光电传感器件，所述N型掺杂硅晶片为本征硅晶片掺杂磷元素。本发明器件设备体积小，能够实现水下高性能高速双向可见光通信。
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