基于双积分球的双光路光学系统

    公开(公告)号:CN106249421B

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201610701630.0

    申请日:2016-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于双积分球的双光路光学系统,包括卤钨灯光源、氙灯光源、第一拨杆光阑、卫星积分球、可变孔径光阑、探测器、主体积分球和第二拨杆光阑;第一拨杆光阑设置在卤钨灯光源和卫星积分球入光面之间,第二拨杆光阑设置在氙灯光源与主体积分球之间,可变孔径光阑设置在卫星积分球出光面与主体积分球入光面之间,所述探测器设置在主体积分球球壁上。本发明采用双积分球、拨杆光阑和可变孔径光阑组成的双光路光学系统,可获得光照度在10‑7~103Lx宽动态范围内、均匀性不小于96%的面均匀光源,具有稳定性和重复性好的特点。

    一种用于大面积MCP清刷测试的真空装置

    公开(公告)号:CN106246512B

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201610695410.1

    申请日:2016-08-20

    Abstract: 本发明提供一种用于大面积MCP清刷测试的真空装置,包括分子泵、闸板阀、支撑台架、真空室上盖、转轴组件、真空室底盘组件、转盘、接线柱。支撑台架水平设置且承载面设置若干通孔,真空室底盘组件设置于支撑台架上表面且端面设置与支撑台架一通孔匹配的分子泵通孔,真空室上盖上设置一观察窗且真空室上盖与真空室底盘同心闭合并于非工作状态下可分离,转轴组件穿过真空室底盘组件,转盘设置于真空室内部用于承载MCP及荧光屏组件且在转轴组件的驱动下转动,闸板阀设置于支撑台架下表面且设置一可闭合或打开的阀孔且阀孔与分子泵通孔对应,分子泵设置于闸板阀下端面且分子泵抽气口与阀孔对应,接线柱沿转盘的周向设置于转盘上。

    融合电路板噪声抑制能力测试系统

    公开(公告)号:CN106686281A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201610489824.9

    申请日:2016-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种融合电路板噪声抑制能力测试系统,可以对融合电路板进行噪声测试,从而得到视频信号在融合电路板前后信噪比的变化;该系统由六部分组成:标准图像生成模块、噪声生成模块、图像噪声叠加模块、融合电路板模块、高清视频采集卡模块和上位机管理模块;本发明提供用于模拟红外与可见光的标准图像生成方法、多种伪随机噪声生成方法以及多种信噪比测试模式;通过模拟实际情况中的融合场景,可以客观有效地有效评价融合电路板的噪声抑制能力,并得到不同融合算法的噪声抑制特性。性能稳定,测试结果可靠,且运算量小,易于实现。

    一种紫外发射材料的表面光电压谱测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN106383302A

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201610699684.8

    申请日:2016-08-22

    CPC classification number: G01R31/2648

    Abstract: 本发明公开了一种紫外发射材料的表面光电压谱测试装置,包括氘灯光源、斩光器、光栅单色仪、紫外分光光纤、光功率计、光电压池、锁相放大器和计算机;氘灯光源与光栅单色仪之间放置斩光器;紫外分光光纤入射端与光栅单色仪出光口相连,出射端分别与光电压池和光功率计相连;光电压池信号输出端与锁相放大器信号输入端相连;光功率计和锁相放大器通信端口与计算机串口相连。本发明采用完全密闭的紫外分光光纤,可有效降低外界杂散光对表面光电压信号的干扰;光电压池内导电玻璃采用深紫外透明导电玻璃,能够获得强度高、稳定性好的紫外发射材料表面光电压信号。

    一种用于大面积MCP清刷测试的真空装置

    公开(公告)号:CN106246512A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201610695410.1

    申请日:2016-08-20

    Abstract: 本发明提供一种用于大面积MCP清刷测试的真空装置,包括分子泵、闸板阀、支撑台架、真空室上盖、转轴组件、真空室底盘组件、转盘、接线柱。支撑台架水平设置且承载面设置若干通孔,真空室底盘组件设置于支撑台架上表面且端面设置与支撑台架一通孔匹配的分子泵通孔,真空室上盖上设置一观察窗且真空室上盖与真空室底盘同心闭合并于非工作状态下可分离,转轴组件穿过真空室底盘组件,转盘设置于真空室内部用于承载MCP及荧光屏组件且在转轴组件的驱动下转动,闸板阀设置于支撑台架下表面且设置一可闭合或打开的阀孔且阀孔与分子泵通孔对应,分子泵设置于闸板阀下端面且分子泵抽气口与阀孔对应,接线柱沿转盘的周向设置于转盘上。

    微光ICCD信噪比测试系统及测试方法

    公开(公告)号:CN104634449A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201510075328.4

    申请日:2015-02-12

    Abstract: 本发明公开了一种微光ICCD信噪比测试系统及测试方法,它包括信噪比的测试系统和具体测试方法。本发明将ICCD置于暗箱中,均匀光入射ICCD,给ICCD加工作电压使其正常工作;调节渐变楔形光阑和可变孔径光阑改变光照度,采集ICCD的图像信号,得到平均信号值和均方根噪声值;挡住入射光源,采集暗背景下ICCD的图像信号,得到平均信号值和噪声均方根值;通过数据处理计算ICCD的信噪比值。该测试方法可以科学地评价ICCD的噪声特性,在微光器件的研制和生产中得到广泛应用。

    一种紫外像增强器的辐射亮度增益测试装置

    公开(公告)号:CN104614154A

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201510057040.4

    申请日:2015-02-03

    Abstract: 本发明提供一种紫外像增强器的辐射亮度增益测试装置,包括光学平台、设置于光学平台上的导轨,导轨上设有四个滑块,光源装置、积分球、测试暗箱、光度计依次设置于四个滑块上;光源装置发射紫外线光;积分球将紫外线光转化为均匀光;测试暗箱中设有被测像增强器,均匀光照射在像增强器的阴极面上;光度计测量像增强器荧光屏亮度;积分球、测试暗箱、光度计设置的高度使测试暗箱中光线在一条直线上;被测像增强器由外部电源供电。本发明提供的装置可以检测紫外像增强器的辐射亮度增益,结构简单,其意义在于不仅为发展新型检测成像技术提供技术支持,而且也为电力系统检测、太空科学和环境保护研究等领域提供帮助。

    一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN103295855A

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN201310211048.2

    申请日:2013-05-29

    Abstract: 本发明提供一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法,该阴极自下而上由高质量的n型GaAs衬底、p型GaAs过渡层、p型Ga1-xAlxAs缓冲层、p型指数掺杂的GaAs发射层以及Cs/O激活层组成;其中,p型Ga1-xAlxAs缓冲层中x取值范围为0.5~0.8,厚度在500~1000nm,采用均匀掺杂方式;p型指数掺杂GaAs发射层为3个以上单元分层结构,掺杂浓度按内建电场减小型指数掺杂分布,从后界面处单元分层的1.0×1019cm-3下降到发射表面处单元分层的1.0×1018cm-3,总厚度为1000~3000nm。本发明中充当后界面电子壁垒的p型Ga1-xAlxAs缓冲层以及具有减小型内建电场的p型指数掺杂GaAs发射层,提高了在后界面处吸收近红外光产生电子的发射效率,使反射式GaAs光电阴极具有更高的近红外响应和积分灵敏度。

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